一种碳化硅MOS芯片、电路板组件和电子设备制造技术

本申请提出一种碳化硅MOS芯片、电路板组件和电子设备，碳化硅MOS芯片包括多个碳化硅mos单元；对于每个所述碳化硅mos单元，所述碳化硅mos单元包括漏极金属层、N型衬底层、N型外延层、栅极部、源极金属层以及终端结构。通过形成多个等同过流能力的碳化硅mos单元，减少碳化硅MOS芯片完全失效的可能性。化硅MOS芯片完全失效的可能性。化硅MOS芯片完全失效的可能性。

【技术实现步骤摘要】
一种碳化硅MOS芯片、电路板组件和电子设备


[0001]本申请涉及半导体
，尤其涉及一种碳化硅MOS芯片、电路板组件和电子设备。

技术介绍

[0002]目前，碳化硅电子器件由于其优秀的电气属性被广泛应用，随着电气设备发展迅速，碳化硅电子器件行业也随着发展潮流，其中，应用最广泛的为碳化硅MOS芯片。
[0003]对于具有大电流属性的碳化硅mos芯片，其芯片面积相对于其他普通碳化硅mos芯片而言较大。但现时所有碳化硅mos芯片为一体化生产，当芯片面积较大的碳化硅MOS芯片中存在一个失效点，整个碳化硅mos芯片将会被失效，无法使用。

技术实现思路

[0004]本申请实施例的主要目的在于提出一种碳化硅MOS芯片、电路板组件和电子设备，旨在使碳化硅MOS芯片在存在失效点的情况下，依旧能够在相匹配的电流环境中进行工作。
[0005]为实现上述目的，本申请实施例的第一方面提出了一种碳化硅MOS芯片，所述碳化硅MOS芯片包括多个碳化硅mos单元；
[0006]对于每个所述碳化硅mos单元，所述碳化硅mos单元包括漏极金属层、N型衬底层、N型外延层、栅极部、源极金属层以及终端结构。
[0007]在本申请一些可能的实施例，对于每个所述碳化硅mos单元，所述碳化硅mos单元包括多个元胞，每个所述元胞包括基础单元；多个所述碳化硅mos单元包括多个中心mos单元、多个边侧mos单元以及多个角部mos单元；
[0008]各个所述中心mos单元之间相互抵接，形成中心矩阵；
[0009]各个所述边侧mos单元之间相互抵接，形成多个边侧矩阵，每个所述角部mos单元与相邻的两个所述边侧矩阵抵接，以形成第一包围圈，所述第一包围圈抵接包围所述中心矩阵。
[0010]在本申请一些可能的实施例，对于每个所述碳化硅mos单元，所述终端结构在N型外延层上形成多个浮空场环部。
[0011]在本申请一些可能的实施例，对于每个所述碳化硅mos单元，所述终端结构在N型外延层上形成多个场板结构。
[0012]在本申请一些可能的实施例，多个所述中心mos单元的所述基础单元之间距离相等。
[0013]在本申请一些可能的实施例，多个所述中心mos单元的所述基础单元之间间隔第一距离，多个所述边侧mos单元的所述基础单元之间间隔所述第一距离；
[0014]各个所述边侧mos单元的所述基础单元与所述碳化硅MOS芯片的边缘间隔第二距离，所述第二距离大于所述第一距离。
[0015]在本申请一些可能的实施例，对于每个所述角部mos单元，所述基础单元与边侧抵
接mos单元间隔所述第二距离，其中，所述边侧抵接mos单元为在所述边侧矩阵中，与所述角部mos单元抵接的所述边侧mos单元。
[0016]在本申请一些可能的实施例，对于与所述边侧矩阵抵接的每个所述中心mos单元，所述基础单元与多个所述边侧mos单元的所述基础单元最短间隔距离为所述第一距离。
[0017]为实现上述目的，本申请实施例的第二方面提出了一种电路板组件，所述电路板组件包括如上述第一方面所述的碳化硅MOS芯片。
[0018]为实现上述目的，本申请实施例的第三方面提出了一种电子设备，所述电子设备应用如上述第二方面所述的电路板组件。
[0019]本申请提出的一种碳化硅MOS芯片、电路板组件和电子设备，该碳化硅MOS芯片所述碳化硅MOS芯片包括多个碳化硅mos单元；对于每个所述碳化硅mos单元，所述碳化硅mos单元包括漏极金属层、N型衬底层、N型外延层、栅极部、源极金属层和终端结构。通过形成多个碳化硅mos单元，使得每个碳化硅mos单元形成等同的过流能力，当有碳化硅mos单元存在失效点，其他碳化硅mos单元依旧正常分流，使得碳化硅MOS芯片可以在相匹配的电流环境中依旧进行工作，减少碳化硅mos芯片由于失效点完全失效的可能性。
附图说明
[0020]图1是本申请实施例提供的碳化硅MOS芯片的俯视图；
[0021]图2是图1中碳化硅mos单元的元胞结构示意图；
[0022]图3是图2中包含结面结构的元胞结构示意图；
[0023]图4是图2中终端结构19的另一实施例示意图。
[0024]附图标记：
[0025]栅极层11；
[0026]栅氧化层12；
[0027]绝缘介质层13；
[0028]P阱结构单元14、Pwell层141、P型离子层142、N型离子层143；
[0029]N型外延层15、Jfet区151、隔离部152、浮空场环部153；
[0030]源极金属层16；
[0031]N型衬底层17；
[0032]漏极金属层18；
[0033]终端结构19；
[0034]元胞20、基础单元21、元胞子部22、中心mos单元101、中心矩阵1011、边侧mos单元102、边侧矩阵1021、角部mos单元103。
具体实施方式
[0035]为了使本申请的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本申请进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅用以解释本申请，并不用于限定本申请。
[0036]除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本申请的
的技术人员通常理解的含义相同。本文中所使用的术语只是为了描述本申请实施例的目的，
不是旨在限制本申请。
[0037]首先，对本申请中涉及的若干名词进行解析：
[0038]碳化硅：一种无机物，化学式为SiC，是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑等原料通过电阻炉高温冶炼而成，具有高热导性、高崩溃电场强度及高最大电流密度，是一种性能较好的半导体，其中，六方结构的4H型SiC(4H
‑
SiC)具有高临界击穿电场、高电子迁移率的优势，是制造高压、高温、抗辐照功率半导体器件的优良半导体材料，也是目前综合性能最好、商品化程度最高、技术最成熟的第三代半导体材料。
[0039]Jfet区，Jfet原为结型场效应管，Jfet的结构是2个背靠背的PN结，与三极管一致，但Jfet的主通道只有2个PN结之间夹着的区域，不经过这2个PN结，Jfet区指的是在电子器件中形成的与Jfet结构相似的区域，从工作原理上来看，就相当于是一个寄生Jfet。
[0040]目前，碳化硅电子器件由于其优秀的电气属性被广泛应用，随着电气设备发展迅速，碳化硅电子器件行业也随着发展潮流，其中，应用最广泛的为碳化硅MOS芯片。
[0041]对于具有大电流属性的碳化硅MOS芯片，其芯片体面积相对于其他普通碳化硅MOS芯片而言较大。但现时所有碳化硅MOS芯片为一体化生产，当芯片面积较大的碳化硅MOS芯片中存在一个失效点，整个碳化硅MOS芯片将会被失效，无法使用。
[0042]基于此，本申请实施例提供了一种碳化硅MOS芯片、电路板组件和电子设备，旨在使碳化硅MOS芯片在存在失效本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种碳化硅MOS芯片，其特征在于，所述碳化硅MOS芯片包括多个碳化硅mos单元；对于每个所述碳化硅mos单元，所述碳化硅mos单元包括漏极金属层、N型衬底层、N型外延层、栅极部、源极金属层以及终端结构。2.根据权利要求1所述的碳化硅MOS芯片，其特征在于，对于每个所述碳化硅mos单元，所述碳化硅mos单元包括基础单元；多个所述碳化硅mos单元包括多个中心mos单元、多个边侧mos单元以及多个角部mos单元；各个所述中心mos单元之间相互抵接，形成中心矩阵；各个所述边侧mos单元之间相互抵接，形成多个边侧矩阵，每个所述角部mos单元与相邻的两个所述边侧矩阵抵接，以形成第一包围圈，所述第一包围圈抵接包围所述中心矩阵。3.根据权利要求1所述的碳化硅MOS芯片，其特征在于，对于每个所述碳化硅mos单元，所述终端结构在N型外延层上形成多个浮空场环部。4.根据权利要求1所述的碳化硅MOS芯片，其特征在于，对于每个所述碳化硅mos单元，所述终端结构在N型外延层上形成多个场板结构。5.根据权利要求2所述的碳化硅MOS芯片，其特征...

【专利技术属性】
技术研发人员：张爱忠，
申请(专利权)人：深圳市至信微电子有限公司，
类型：新型
国别省市：