一种常关型P型氮化镓器件及其制作方法技术

本申请公开了一种常关型P型氮化镓器件及其制作方法。方法包括：提供一氮化镓器件半成品；在GaN沟道层上依次形成第一ALGaN势垒层以及第一钝化层；通过湿法腐蚀部分去除第一钝化层，形成待生长区；在待生长区以外的区域形成第二ALGaN势垒层；通过湿法腐蚀去除待生长区的第一钝化层，使待生长区的第一ALGaN势垒层外露；在待生长区以外的区域形成第二钝化层；在待生长区上外延生长形成P型氮化镓层；P型氮化镓层为氮化镓器件的栅极；采用湿法腐蚀工艺，去除第二钝化层；在GaN沟道层上形成氮化镓器件的源极以及漏极，在P型氮化镓层上形成氮化镓器件的栅极。本方法可以提高产品的品质。本申请可广泛应用于半导体器件技术领域。本申请可广泛应用于半导体器件技术领域。本申请可广泛应用于半导体器件技术领域。

【技术实现步骤摘要】
一种常关型P型氮化镓器件及其制作方法


[0001]本申请涉及半导体器件
，尤其是一种常关型P型氮化镓器件及其制作方法。

技术介绍

[0002]相关技术在常关型P型氮化镓器件制作过程中，通常会采用外延生长的方式在ALGaN层上形成完全覆盖ALGaN层的P
‑
GaN层，然后通过干法蚀刻去除部分的P
‑
GaN层以形成器件栅极。但是，采用干法蚀刻容易对ALGaN层造成损伤导致导通电阻以及开关电压增大。因此，相关技术中仍存在需要解决的技术问题。

技术实现思路

[0003]本申请的目的在于至少一定程度上解决现有技术中存在的技术问题之一。
[0004]为此，本申请实施例的一个目的在于提供一种常关型P型氮化镓器件及其制作方法，该方法可以提高产品的品质。
[0005]为了达到上述技术目的，本申请实施例所采取的技术方案包括：一种常关型P型氮化镓器件制作方法，包括提供一氮化镓器件半成品；所述半成品从下至上依次包括衬底、缓冲层以及GaN沟道层；在所述GaN沟道层上依次形成第一ALGaN势垒层以及本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种常关型P型氮化镓器件制作方法，其特征在于，包括：提供一氮化镓器件半成品；所述半成品从下至上依次包括衬底、缓冲层以及GaN沟道层；在所述GaN沟道层上依次形成第一ALGaN势垒层以及第一钝化层；采用湿法腐蚀工艺部分去除所述第一钝化层，形成待生长区；在所述待生长区以外的区域形成第二ALGaN势垒层；采用湿法腐蚀工艺去除所述待生长区剩余的第一钝化层，使所述待生长区的第一ALGaN势垒层外露；采用CVD和湿法腐蚀工艺在所述待生长区以外的区域形成部分第二钝化层；在所述待生长区上外延生长形成P型氮化镓层；所述P型氮化镓层的厚度小于等于所述第二ALGaN势垒层与所述第二钝化层的厚度之和；采用湿法腐蚀工艺，去除所述部分第二钝化层；在所述第二ALGaN势垒层上形成介质层以及在所述GaN沟道层上形成所述氮化镓器件的源极以及漏极，在所述P型氮化镓层上形成所述氮化镓器件的栅极。2.根据权利要求1所述一种常关型P型氮化镓器件制作方法，其特征在于，所述在所述待生长区以外的区域形成第二钝化层这一步骤，具体包括：在所述待生长区以及所述第二ALGaN势垒层上形成第二钝化层；通过湿法腐蚀工艺去除所述待生长区上的部分第二钝化层。3.根据权利要求1所述一种常关型P型氮化镓器件制作方法，其特征在于，所述第一ALGaN势垒层的厚度为5nm
‑
10nm。4.根据权利要求1所述一...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨彪，张爱忠，
申请(专利权)人：深圳市至信微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：