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本申请公开了一种常关型P型氮化镓器件及其制作方法。方法包括：提供一氮化镓器件半成品；在GaN沟道层上依次形成第一ALGaN势垒层以及第一钝化层；通过湿法腐蚀部分去除第一钝化层，形成待生长区；在待生长区以外的区域形成第二ALGaN势垒层；通过...
该专利属于深圳市至信微电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过深圳市至信微电子有限公司授权不得商用。

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