【技术实现步骤摘要】
本技术涉及半导体器件，特别涉及一种具有温度采集功能的宽禁带半导体器件。
技术介绍
1、to-247是比较常用的小外形封装，247是封装的序号，to-247封装尺寸介于模块与单管之间，能封装大部分的半导体器件。与之相关的封装还有to-264、to-220等，在此不一一列举。
2、但在上述封装结构中，当半导体器件的工作温度过高时，半导体器件和与之连接的其他器件会被烧毁，影响产品的使用。
技术实现思路
1、本技术的主要目的是提供一种具有温度采集功能的宽禁带半导体器件，旨在通过温度采集模块采集宽禁带半导体器件的工作温度，以确保宽禁带半导体器件在不超过最大结温下工作。
2、为实现上述目的，本技术提出的具有温度采集功能的宽禁带半导体器件，包括：
3、封装壳体，所述封装壳体内部形成有内腔；
4、开关电路，所述开关电路设于所述内腔；
5、温度采集模块，所述温度采集模块设于所述内腔，用于采集宽禁带半导体器件的温度数据。
6、在本技术的一实施例中，所述开关电路具有受控端、输入端以及输出端，所述温度采集模块与所述开关电路的输出端电连接。
7、在本技术的一实施例中，所述具有温度采集功能的宽禁带半导体器件还包括：
8、开关引脚，所述开关引脚设于所述封装壳体的前端，并延伸至所述内腔，以与所述开关电路电连接；
9、温度采集引脚，所述温度采集引脚设于所述封装壳体的前端，并延伸至所述内腔，以与所述温度采集模块
10、在本技术的一实施例中，所述开关引脚包括：
11、漏极引脚，所述漏极引脚设于所述封装壳体的前端，并延伸至所述内腔，以与所述开关电路的输入端电连接；
12、栅极引脚，所述栅极引脚设于所述封装壳体的前端，并延伸至所述内腔，以与所述开关电路的受控端电连接；
13、源极引脚，所述源极引脚设于所述封装壳体的前端，并延伸至所述内腔，以与所述开关电路的输出端电连接。
14、在本技术的一实施例中，所述漏极引脚、所述源极引脚、所述温度采集引脚以及所述栅极引脚依次间隔设置；或所述漏极引脚、所述源极引脚、所述栅极引脚以及所述温度采集引脚依次间隔设置。
15、在本技术的一实施例中，所述宽禁带半导体器件的封装形式采用to-247-4、to-247plus-4、iso to-247-4、to-264-4、to-264plus-4、sot-227和to-220中的一种。
16、在本技术的一实施例中，所述温度采集模块包括：
17、ntc热敏电阻，所述ntc热敏电阻设于所述内腔，并与所述开关电路的输出端电连接；
18、定值电阻，所述定值电阻设于所述内腔，所述定值电阻分别与所述ntc热敏电阻和所述温度采集引脚电连接。
19、在本技术的一实施例中，所述温度采集模块包括温度采集二极管，所述温度采集二极管设于所述内腔，所述温度采集二极管分别与所述开关电路的输出端和温度采集引脚电连接。
20、在本技术的一实施例中，所述开关电路包括nmos开关管，所述nmos开关管的漏极形成为所述输入端，所述nmos开关管的源极形成为所述输出端，所述nmos开关管的栅极形成为所述受控端。
21、在本技术的一实施例中，所述开关电路具有受控端、输入端以及输出端，所述温度采集模块与所述开关电路的输入端电连接。
22、本技术技术方案的具有温度采集功能的宽禁带半导体器件包括封装壳体、开关电路以及温度采集模块，封装壳体内部形成有内腔，开关电路和温度采集模块设于内腔，在使用过程中，温度采集模块可实时采集宽禁带半导体器件的温度数据，以监测宽禁带半导体器件的工作温度，避免宽禁带半导体器件的工作温度过高，使得宽禁带半导体器件被烧毁。温度采集模块用于检测宽禁带半导体器件的工作温度，以确保宽禁带半导体器件在不超过最大结温下工作。
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1.一种具有温度采集功能的宽禁带半导体器件(100)，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的具有温度采集功能的宽禁带半导体器件(100)，其特征在于，所述开关电路(20)具有受控端(22)、输入端(21)以及输出端(23)，所述温度采集模块(30)与所述开关电路(20)的输出端(23)电连接。
3.如权利要求2所述的具有温度采集功能的宽禁带半导体器件(100)，其特征在于，所述具有温度采集功能的宽禁带半导体器件(100)还包括：
4.如权利要求3所述的具有温度采集功能的宽禁带半导体器件(100)，其特征在于，所述开关引脚(40)包括：
5.如权利要求4所述的具有温度采集功能的宽禁带半导体器件(100)，其特征在于，所述漏极引脚(41)、所述源极引脚(43)、所述温度采集引脚(50)以及所述栅极引脚(42)依次间隔设置；或所述漏极引脚(41)、所述源极引脚(43)、所述栅极引脚(42)以及所述温度采集引脚(50)依次间隔设置。
6.如权利要求1所述的具有温度采集功能的宽禁带半导体器件(100)，其特征在于，所述宽禁带半
7.如权利要求3所述的具有温度采集功能的宽禁带半导体器件(100)，其特征在于，所述温度采集模块(30)包括NTC热敏电阻(31)，所述NTC热敏电阻(31)设于所述内腔，所述NTC热敏电阻(31)分别与所述开关电路(20)的输出端(23)和所述温度采集引脚(50)电连接。
8.如权利要求3所述的具有温度采集功能的宽禁带半导体器件(100)，其特征在于，所述温度采集模块(30)包括温度采集二极管(33)，所述温度采集二极管(33)设于所述内腔，所述温度采集二极管(33)分别与所述开关电路(20)的输出端(23)和温度采集引脚(50)电连接。
9.如权利要求2所述的具有温度采集功能的宽禁带半导体器件(100)，其特征在于，所述开关电路(20)包括NMOS开关管，所述NMOS开关管的漏极形成为所述输入端(21)，所述NMOS开关管的源极形成为所述输出端(23)，所述NMOS开关管的栅极形成为所述受控端(22)。
10.如权利要求1所述的具有温度采集功能的宽禁带半导体器件(100)，其特征在于，所述开关电路(20)具有受控端(22)、输入端(21)以及输出端(23)，所述温度采集模块(30)与所述开关电路(20)的输入端(21)电连接。
...【技术特征摘要】
1.一种具有温度采集功能的宽禁带半导体器件(100)，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的具有温度采集功能的宽禁带半导体器件(100)，其特征在于，所述开关电路(20)具有受控端(22)、输入端(21)以及输出端(23)，所述温度采集模块(30)与所述开关电路(20)的输出端(23)电连接。
3.如权利要求2所述的具有温度采集功能的宽禁带半导体器件(100)，其特征在于，所述具有温度采集功能的宽禁带半导体器件(100)还包括：
4.如权利要求3所述的具有温度采集功能的宽禁带半导体器件(100)，其特征在于，所述开关引脚(40)包括：
5.如权利要求4所述的具有温度采集功能的宽禁带半导体器件(100)，其特征在于，所述漏极引脚(41)、所述源极引脚(43)、所述温度采集引脚(50)以及所述栅极引脚(42)依次间隔设置；或所述漏极引脚(41)、所述源极引脚(43)、所述栅极引脚(42)以及所述温度采集引脚(50)依次间隔设置。
6.如权利要求1所述的具有温度采集功能的宽禁带半导体器件(100)，其特征在于，所述宽禁带半导体器件的封装形式采用to-247-4、to-247plus-4、iso to-247-4、to-264-4、to-264plus-4、s...
【专利技术属性】
技术研发人员：姜杨，
申请(专利权)人：深圳市至信微电子有限公司，
类型：新型
国别省市：
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