【技术实现步骤摘要】
本申请涉及半导体，尤其是一种mosfet器件制作方法及器件。
技术介绍
1、相关技术中，碳化硅平面mosfet常规工艺源极接触孔（source孔）是通过光刻和刻蚀工艺形成的。由于光刻套刻的精度和刻蚀精度问题，通常source孔与栅极多晶之间需要保持一定的安全距离，通常source孔与栅极多晶直接需要留有0.8-1.2um左右的安全距离，这样容易限制碳化硅平面mosfet的元胞尺寸的进一步缩小。因此，相关技术中仍存在需要解决的技术问题。
技术实现思路
1、本申请的目的在于至少一定程度上解决现有技术中存在的技术问题之一。
2、为此，本申请实施例的一个目的在于提供一种mosfet器件制作方法及器件，该方法可以改善源极接触孔的精度问题，改善器件的小型化制程。
3、为了达到上述技术目的，本申请实施例所采取的技术方案包括：一种mosfet器件制作方法，包括：提供mosfet器件半成品；所述mosfet器件半成品包括两个栅极以及源极接触孔；所述源极接触孔设置于两个所述栅极之间；在...
【技术保护点】
1.一种MOSFET器件制作方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的MOSFET器件制作方法，其特征在于，所述在所述MOSFET器件半成品上形成第一间隙层、第二间隙层以及第三间隙层，具体包括：
3.根据权利要求1所述的MOSFET器件制作方法，其特征在于，所述去除所述第一间隙层以及所述第三间隙层，并在所述第二间隙层以及两个所述栅极上形成ILD介质层，得到目标MOSFET器件，具体包括：
4.根据权利要求3所述的MOSFET器件制作方法，其特征在于，所述ILD介质层的厚度为5000埃-8000埃。
5.根据权利要...
【技术特征摘要】
1.一种mosfet器件制作方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的mosfet器件制作方法，其特征在于，所述在所述mosfet器件半成品上形成第一间隙层、第二间隙层以及第三间隙层，具体包括：
3.根据权利要求1所述的mosfet器件制作方法，其特征在于，所述去除所述第一间隙层以及所述第三间隙层，并在所述第二间隙层以及两个所述栅极上形成ild介质层，得到目标mosfet器件，具体包括：
4.根据权利要求3所述的mosfet器件制作方法，其特征在于，所述ild介质层的厚度为5000埃-8000埃。
5.根据权利要求1所述的mosfet器件制作方法，其特征在于，所述mosfet器件半成品...
【专利技术属性】
技术研发人员：杨彪，张天畅，张爱忠，
申请(专利权)人：深圳市至信微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：
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