一种半导体结构及其制备方法技术

本发明专利技术提供一种半导体结构及其制备方法，包括：衬底，所述衬底上形成多个有源区器件，相邻两个所述有源区器件之间的所述衬底的部分结构形成隔离器件；以及栅极结构，形成于所述隔离器件上，所述栅极结构包括偏移间隔层与栅极层，所述偏移间隔层形成于所述隔离器件上，所述偏移间隔层上形成有栅极槽，所述栅极层形成于所述栅极槽中。通过本发明专利技术公开的一种半导体结构及其制备方法，能够对栅极层进行防护。能够对栅极层进行防护。能够对栅极层进行防护。

【技术实现步骤摘要】
一种半导体结构及其制备方法


[0001]本专利技术涉及半导体
，特别是涉及一种半导体结构及其制备方法。

技术介绍

[0002]在衬底上形成栅极结构的过程中，大多都是通过在衬底上进行多晶硅沉积后形成多晶硅薄膜，之后对多晶硅薄膜进行刻蚀处理，以生成栅极结构。在刻蚀过程中，栅极结构的栅极层可能会被部分刻蚀，导致衬底出现损伤，进而导致栅极结构的控制能力降低。因此，存在待改进之处。

技术实现思路

[0003]鉴于以上所述现有技术的缺点，本专利技术的目的在于提供一种半导体结构及其制备方法，能够对栅极层进行防护。
[0004]为实现上述目的及其他相关目的，本专利技术提供一种半导体结构，包括：衬底，所述衬底上形成多个有源区器件，相邻两个所述有源区器件之间的所述衬底的部分结构形成隔离器件；以及栅极结构，形成于所述隔离器件上，所述栅极结构包括偏移间隔层与栅极层，所述偏移间隔层形成于所述隔离器件上，所述偏移间隔层上形成有栅极槽，所述栅极层形成于所述栅极槽中。
[0005]在本专利技术一实施例中，所述有源区器件包括源极结构与漏极结构，所述源极结构与所述漏极结构分别位于所述栅极结构的两侧。
[0006]在本专利技术一实施例中，所述栅极层的表面与所述偏移间隔层的表面位于同一水平面上。
[0007]在本专利技术一实施例中，所述栅极结构位于所述隔离器件上，且与所述隔离器件相对应。
[0008]在本专利技术一实施例中，在所述偏移间隔层与所述隔离器件的接触面上，所述偏移间隔层的表面积小于所述隔离器件的表面积。
[0009]本专利技术还提供一种半导体结构的制备方法，包括：对衬底进行处理，以在所述衬底上形成多个有源区器件，其中，相邻两个所述有源区器件之间的所述衬底上形成隔离器件；对所述隔离器件进行沉积处理，以在所述隔离器件上形成栅极结构，其中，所述栅极结构包括偏移间隔层与栅极层，所述偏移间隔层形成于所述隔离器件上，所述偏移间隔层上形成有栅极槽，所述栅极层形成于所述栅极槽中。
[0010]在本专利技术一实施例中，所述对衬底进行处理，以在所述衬底上形成多个有源区器件的步骤包括：对衬底进行刻蚀处理，以在所述衬底上形成多个有源槽；对所述衬底进行漏源离子注入处理，以在所述有源槽中形成有源区器件，其中，相
邻两个所述有源区器件之间的所述衬底的部分结构形成隔离器件。
[0011]在本专利技术一实施例中，在所述对衬底进行处理，以在所述衬底上形成多个有源区器件的步骤之后，还包括：对所述衬底进行沉积处理，以在所述衬底的表面沉积氧化硅薄膜；对所述氧化硅薄膜进行刻蚀处理，以在所述氧化硅薄膜上形成多个栅极槽。
[0012]在本专利技术一实施例中，所述对所述隔离器件进行沉积处理，以在所述隔离器件上形成栅极结构的步骤包括：对所述衬底进行沉积处理，以在氧化硅薄膜的表面沉积多晶硅层，其中，所述氧化硅薄膜的栅极槽中沉积多晶硅材料；对所述多晶硅层进行研磨处理，以去除所述氧化硅薄膜上的所述多晶硅层；对所述氧化硅薄膜进行刻蚀处理，以形成偏移间隔层，其中，所述偏移间隔层与所述栅极层配合形成栅极结构。
[0013]在本专利技术一实施例中，所述栅极结构位于所述隔离器件上，且与所述隔离器件相对应。
[0014]如上所述，本专利技术提供一种半导体结构及其制备方法，意想不到的技术效果是：在对氧化硅薄膜进行刻蚀的过程中，不会对栅极层造成损伤，同时生成的偏移间隔层能够对栅极层进行防护。
附图说明
[0015]为了更清楚地说明本专利技术实施例的技术方案，下面将对实施例描述所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0016]图1显示为本专利技术的一种半导体结构的制备过程的示意图；图2显示为本专利技术的一种半导体结构的制备方法的流程图；图3显示为图2中步骤S10的流程图；图4显示为图2中步骤S40的流程图。
[0017]元件标号说明：10、衬底；20、有源区器件；30、隔离器件；40、氧化硅薄膜；50、栅极槽；60、多晶硅层；70、偏移间隔层；80、栅极层。
具体实施方式
[0018]下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其它实施例，都属于本专利技术保护的范围。
[0019]请参阅图1，本专利技术提供了一种半导体结构，其上可设有多个栅极结构，以实现不同的需求。半导体结构可以包括衬底10、有源区器件20、隔离器件30以及栅极结构。其中，衬底10上可开设有多个有源槽，有源区器件20可以沉积在该有源槽中，以形成对应的源极结
构与漏极结构。相邻两个有源区器件20之间通过隔离器件30进行隔离，隔离器件30上可形成有栅极结构。栅极结构可以位于隔离器件30上，且与隔离器件30相对应。栅极结构可以与两侧的源极结构、漏极结构相互配合，以形成对应的场效应管。其中，栅极结构的两侧分别设有源极结构与漏极结构。
[0020]请参阅图1，在本专利技术的一个实施例中，在衬底10上生成栅极结构的过程中，可以先在衬底10上刻蚀出多个有源槽，以便后续形成对应的有源区器件20。在衬底10上刻蚀有源槽的过程中，可以通过刻蚀机采用等离子体刻蚀法对其进行刻蚀处理，进而在衬底10上形成多个有源槽。相邻两个有源槽之间的间距可以相同，也可以不同。有源槽的形状可不加限制。在本实施例中，有源槽的形状可以为长方体形，其竖直方向上的截面可以为矩形。在其他实施例中，有源槽的形状也可以为其他形状的四棱柱形，其竖直方向上的截面可以为倒梯形。相邻两个有源槽之间的衬底10的部分结构可以形成隔离器件30，用以对相邻两个有源槽进行隔离。隔离器件30的形状可不加限制。在本实施例中，隔离器件30的形状可以为长方体形，其竖直方向上的截面可以为矩形。在其他实施例中，隔离器件30的形状也可以为其他形状的四棱柱形，其竖直方向上的截面可以为倒梯形。
[0021]请参阅图1，在本专利技术的一个实施例中，当在衬底10上刻蚀出多个有源槽后，需要衬底10进行漏源离子注入处理，以在有源槽中形成有源区器件20。在漏源离子注入处理时，可以通过离子注入机进行漏源离子的注入。在漏源离子注入完成后，可以在有源槽上形成有源区器件20，有源区器件20的形状可以与有源槽相同。有源区器件20的形状可不加限制，在本实施例中，有源区器件20的形状可以为长方体形，其竖直方向上的截面可以为矩形。在其他实施例中，有源区器件20的形状也可以为其他形状的四棱柱形，其竖直方向上的截面可以为倒梯形。有源区器件20可以包括源极结构与漏极结构，每个隔离器件30的两侧都会存在源极结构与漏极结构。
[0022]请参阅图1，在本专利技术的一个实施例中，当在衬底10上形成有源区器件20与隔离器件30后，此时需要根据半导体制程工艺，在衬底10的表面沉积氧化硅本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体结构，其特征在于，包括：衬底，所述衬底上形成多个有源区器件，相邻两个所述有源区器件之间的所述衬底的部分结构形成隔离器件；以及栅极结构，形成于所述隔离器件上，所述栅极结构包括偏移间隔层与栅极层，所述偏移间隔层形成于所述隔离器件上，所述偏移间隔层上形成有栅极槽，所述栅极层形成于所述栅极槽中。2.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述有源区器件包括源极结构与漏极结构，所述源极结构与所述漏极结构分别位于所述栅极结构的两侧。3.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述栅极层的表面与所述偏移间隔层的表面位于同一水平面上。4.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述栅极结构位于所述隔离器件上，且与所述隔离器件相对应。5.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，在所述偏移间隔层与所述隔离器件的接触面上，所述偏移间隔层侧面的表面积小于所述隔离器件侧面的表面积。6.一种半导体结构的制备方法，其特征在于，包括：对衬底进行处理，以在所述衬底上形成多个有源区器件，其中，相邻两个所述有源区器件之间的所述衬底上形成隔离器件；对所述隔离器件进行沉积处理，以在所述隔离器件上形成栅极结构，其中，所述栅极结构包括偏移间隔层与栅极层，所述偏移间隔层形成于所述隔离器件上，所述偏移间隔层上形成有栅极槽...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈涛，钱坤，董琳，钱阳，黄厚恒，
申请(专利权)人：合肥晶合集成电路股份有限公司，
类型：发明
国别省市：