半导体器件版图结构制造技术

本发明专利技术提供了一种半导体器件版图结构，包括：半导体衬底、第一P型阱区和两个N型阱区，第一P型阱区位于半导体衬底中，第一P型阱区包括第一P型子阱区和两个第二P型子阱区，沿第一P型子阱区的长度方向两个第二P型子阱区分别与第一P型子阱区的两端连接，且两个第二P型子阱区的宽度均大于第一P型子阱区的宽度；两个N型阱区均位于半导体衬底中，沿第一P型阱区的宽度方向两个N型阱区对称设置于第一P型阱区的两侧，且每个N型阱区与第一P型子阱区和第二P型子阱区均具有间隙。本发明专利技术提高两个N型阱区之间第一P型阱区的面积占比，能够减小半导体器件的失配系数，改善半导体器件的失配现象。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体，尤其涉及一种半导体器件版图结构。

技术介绍

1、在半导体器件制造工艺中，由于工艺不确定性会使得设计值与最终物理实现值并不相同。在制造过程中同一尺寸的同类型半导体器件的参数值偏差称之为相对偏差，相对偏差通过合理的电路设计和版图布局可以使其不匹配的程度降低，通常失配指的是同一尺寸的同类型半导体器件间的相对偏差，造成半导体器件的电性参数失配，即匹配性能下降。同一尺寸的同类型半导体器件相互匹配的程度有多好，可以通过器件的失配系数体现，失配系数越大，同一尺寸的同类型半导体器件在晶圆上的差异性越大，影响产品良率。为了尽可能减小同一尺寸的同类型半导体器件的失配系数，需要按照一定的匹配原则进行电路设计和版图布局。

技术实现思路

1、本专利技术的目的在于提供一种半导体器件版图结构，提高两个n型阱区之间第一p型阱区的面积占比，能够减小半导体器件的失配系数，改善半导体器件的失配现象。

2、为了达到上述目的，本专利技术提供了一种半导体器件版图结构，包括：

3、半导体衬底；

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【技术保护点】

1.一种半导体器件版图结构，其特征在于，包括：

2.如权利要求1所述的半导体器件版图结构，其特征在于，两个所述N型阱区和所述第一P型阱区的长度相同，且沿所述第一P型阱区的长度方向两个所述N型阱区和所述第一P型阱区的两端对齐。

3.如权利要求1所述的半导体器件版图结构，其特征在于，每个所述N型阱区与所述第一P型子阱区的间隙相同，且每个所述N型阱区与所述第二P型子阱区的间隙相同。

4.如权利要求1所述的半导体器件版图结构，其特征在于，所述N型阱区与所述第一P型子阱区的间隙大于所述N型阱区与所述第二P型子阱区的间隙。

5.如权利要求4所述的半导体...

【技术特征摘要】

1.一种半导体器件版图结构，其特征在于，包括：

2.如权利要求1所述的半导体器件版图结构，其特征在于，两个所述n型阱区和所述第一p型阱区的长度相同，且沿所述第一p型阱区的长度方向两个所述n型阱区和所述第一p型阱区的两端对齐。

3.如权利要求1所述的半导体器件版图结构，其特征在于，每个所述n型阱区与所述第一p型子阱区的间隙相同，且每个所述n型阱区与所述第二p型子阱区的间隙相同。

4.如权利要求1所述的半导体器件版图结构，其特征在于，所述n型阱区与所述第一p型子阱区的间隙大于所述n型阱区与所述第二p型子阱区的间隙。

5.如权利要求4所述的半导体器件版图结构，其特征在于，所述n型阱区与所述第二p型子阱区的间隙为第一间隙，所述第一间隙的取值等于两个所述n型阱区之间的最小设计间距的一半。

6.如权利要求4所述的半导体...

【专利技术属性】
技术研发人员：马婷，陈信全，汪小小，金鹏，
申请(专利权)人：合肥晶合集成电路股份有限公司，
类型：发明
国别省市：