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本发明提供了一种半导体器件版图结构，包括：半导体衬底、第一P型阱区和两个N型阱区，第一P型阱区位于半导体衬底中，第一P型阱区包括第一P型子阱区和两个第二P型子阱区，沿第一P型子阱区的长度方向两个第二P型子阱区分别与第一P型子阱区的两端连接，...
该专利属于合肥晶合集成电路股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过合肥晶合集成电路股份有限公司授权不得商用。

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