半导体器件版图结构制造技术

本发明专利技术提供了一种半导体器件版图结构，包括：半导体衬底、第一P型阱区和两个N型阱区，第一P型阱区位于半导体衬底中，两个N型阱区均位于半导体衬底中，两个N型阱区对称设置于第一P型阱区的两侧，且每个N型阱区均包括第一N型子阱区和两个第二N型子阱区，每个N型阱区中的两个第二N型子阱区分别与第一N型子阱区靠近第一P型阱区一侧的两端部连接，且第二N型子阱区与第一P型阱区连接。本发明专利技术能够防止半导体器件工作在饱和区时出现基区扩展效应，从而提高半导体器件的稳定性。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体，尤其涉及一种半导体器件版图结构。

技术介绍

1、随着平板显示器和便携式设备的快速发展，高压nmos器件广泛应用于平板显示驱动芯片和电源管理芯片。高压nmos器件中n型阱区的面积大小决定了器件的稳定性，当n型阱区的面积较小，当器件工作在饱和区时，漏端电压较高，n型阱区与半导体衬底形成的耗尽区向重掺杂的漏区偏移，使得漏端的电场强度增加，电场强度峰值向漏区偏移，引起基区扩展效应；并且漏端电流（漏区电流）会迅速增加，影响器件的稳定性；并且漏端电流的增加会影响电路的输出阻抗和增益，引起电路不稳定，甚至电路烧坏。

技术实现思路

1、本专利技术的目的在于提供一种半导体器件版图结构，防止半导体器件工作在饱和区时出现基区扩展效应，从而提高半导体器件的稳定性。

2、为了达到上述目的，本专利技术提供了一种半导体器件版图结构，包括：

3、半导体衬底；

4、第一p型阱区，位于所述半导体衬底中；

5、两个n型阱区，均位于所述半导体衬底中，两个所述n型阱区对称设置于所述本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种半导体器件版图结构，其特征在于，包括：

2.如权利要求1所述的半导体器件版图结构，其特征在于，所述第一P型阱区包括第一P型子阱区和两个第二P型子阱区，沿所述第一P型子阱区的长度方向，两个所述第二P型子阱区分别与所述第一P型子阱区的两端连接。

3.如权利要求2所述的半导体器件版图结构，其特征在于，沿所述第一P型子阱区的宽度方向，两个所述第二P型子阱区的宽度相同。

4.如权利要求2所述的半导体器件版图结构，其特征在于，沿所述第一P型子阱区的宽度方向，两个所述第二P型子阱区的宽度均大于所述第一P型子阱区的宽度。

5.如权利要求2所述的半导...

【技术特征摘要】

1.一种半导体器件版图结构，其特征在于，包括：

2.如权利要求1所述的半导体器件版图结构，其特征在于，所述第一p型阱区包括第一p型子阱区和两个第二p型子阱区，沿所述第一p型子阱区的长度方向，两个所述第二p型子阱区分别与所述第一p型子阱区的两端连接。

3.如权利要求2所述的半导体器件版图结构，其特征在于，沿所述第一p型子阱区的宽度方向，两个所述第二p型子阱区的宽度相同。

4.如权利要求2所述的半导体器件版图结构，其特征在于，沿所述第一p型子阱区的宽度方向，两个所述第二p型子阱区的宽度均大于所述第一p型子阱区的宽度。

5.如权利要求2所述的半导体器件版图结构，其特征在于，所述第二n型子阱区与所述第二p型子阱区连接，所述第一n型子阱区与所述第一p型子阱区之间具有间隙。

6.如权利要求5所述的半导体器件版...

【专利技术属性】
技术研发人员：金鹏，马婷，汪小小，陈信全，
申请(专利权)人：合肥晶合集成电路股份有限公司，
类型：发明
国别省市：