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本发明提供了一种半导体器件版图结构，包括：半导体衬底、第一P型阱区和两个N型阱区，第一P型阱区位于半导体衬底中，两个N型阱区均位于半导体衬底中，两个N型阱区对称设置于第一P型阱区的两侧，且每个N型阱区均包括第一N型子阱区和两个第二N型子阱区...
该专利属于合肥晶合集成电路股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过合肥晶合集成电路股份有限公司授权不得商用。

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