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本申请提出一种碳化硅MOS芯片、电路板组件和电子设备，碳化硅MOS芯片包括多个碳化硅mos单元；对于每个所述碳化硅mos单元，所述碳化硅mos单元包括漏极金属层、N型衬底层、N型外延层、栅极部、源极金属层以及终端结构。通过形成多个等同过流能...
该专利属于深圳市至信微电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过深圳市至信微电子有限公司授权不得商用。

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