一种高稳定性能透明导电膜用ＡＺＯ溅射靶材及制造方法技术

本发明专利技术公开了一种高稳定性能透明导电膜用ＡＺＯ溅射靶材及制造方法。该ＩＺＧＯ溅射靶材所用的原料粉体中，Ａｌ２Ｏ３的含量为２～３ｗｔ％，和Ｂ２Ｏ３含量０．１－３ｗｔ％，余量为ＺｎＯ粉体；粉体平均粒径为０．０５－５０微米，原料粉体的纯度大于或等于４Ｎ。本发明专利技术的材料用于磁控溅射生产透明导电膜的生产过程更易控制，不存在类似ＩＴＯ的严重毒化现象，溅射过程不需要加热，这在塑料等柔性导电膜的生产中更有优势，薄膜的稳定性及耐候性大大优于ＩＴＯ及传统的氧化锌铝导电膜。生产的透明导电膜电阻率小于５×１０－４Ω.ｃｍ，４００－７００ｎｍ可见光透过率大于８５％，可以满足各种透明导电膜要求。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种光电材料，具体地说，本专利技术是一种高稳定性能透明导电膜用AZ0 溅射靶材及制造方法。
技术介绍
用磁控溅射制造的透明导电薄膜，是液晶显示、平板显示、静电屏蔽、太阳能电池 必需的功能材料。目前，直流磁控溅射法是当前国际高档显示器件用透明导电膜的主导制 备工艺。传统工艺以IT0半导体陶瓷(90% In203-10% Sn02)作为溅射源，普遍在氩气或氩 氧混合气氛中基板100-550摄氏度下用直流磁控溅射法制备IT0透明导电薄膜，所制备的 透明导电薄膜品质优良，可见光透过率> 85 %，且电阻率小于10 X 10_4 Q.cm0但由于IT0 材料的成本高昂，其中的主组成原料稀有铟金属，地壳中存量有限，而且IT0导电膜在还原 气氛及相对高湿度空气环境下不稳定，无法满足这些领域的使用要求。
技术实现思路
本专利技术的专利技术目的是提供一种高稳定性能透明导电膜用AZ0溅射靶材。本专利技术的另一目的是提供一种高稳定性能透明导电膜用AZ0溅射靶材的制造方法。为了实现上述的专利技术目的，本专利技术采用以下技术方案一种高稳定性能透明导电膜用AZ0溅射靶材，所用的原料粉体中，A1本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种高稳定性能透明导电膜用ＡＺＯ溅射靶材，其特征在于：所用的原料粉体中，Ａｌ↓［２］Ｏ↓［３］的含量为２～３ｗｔ％，和Ｂ↓［２］Ｏ↓［３］含量０．１－３ｗｔ％，余量为ＺｎＯ粉体；粉体平均粒径为０．０５－５０微米，原料粉体的纯度大于或等于４Ｎ。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：孔伟华，
申请(专利权)人：宜兴佰伦光电材料科技有限公司，
类型：发明
国别省市：32[中国|江苏]