用于磁控溅射镀膜的导电Ｎｂ２Ｏ５－ｘ靶材及生产方法技术

本发明专利技术公开了一种用于磁控溅射镀膜的导电Ｎｂ２Ｏ５－ｘ靶材。该导电Ｎｂ２Ｏ５－ｘ靶材所用的原料粉体中，ＺｎＯ的含量为８０－９９ｗｔ％，Ｉｎ２Ｏ３为０．１－１０ｗｔ％，Ｇａ２Ｏ３含量为０．１－１０ｗｔ％，粉体平均粒径为０．０５－５０微米，原料粉体的纯度大于或等于４Ｎ。本发明专利技术还公开了该导电Ｎｂ２Ｏ５－ｘ靶材的生产方法。本发明专利技术的所得材料是一种导电性能良好的Ｎｂ２Ｏ５－ｘ靶材，使得用磁控溅射生产氧化铌系列光学功能膜成为可能，可以保证制造大面积氧化铌系列光学功能膜时的膜层均匀度，生产过程更易控制，生产效率比以前用常规不良导电体Ｎｂ２Ｏ５为靶源采用交流射频溅射或真空蒸发镀膜工艺提高３０－５０％。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种光电材料，具体地说，本专利技术是一种用于磁控溅射镀膜的导电 Nb205_x靶材及生产方法。
技术介绍
目前，Nb205光学薄膜是一种用途广泛的光学功能膜，在光学镜头、光纤光缆、眼镜 镀膜、光数据存储、建筑玻璃镀膜、高温介质膜、激光装置滤光片、保护膜、分光膜、高反射 膜、绝缘膜、热反射膜、冷光膜等等领域和产品上，都有应用。目前普遍采用以Nb205材料为 靶源真空蒸发工艺制造，由于Nb205材料本身为电的不良导体，不能用更高生产效率的直流 磁控溅射法镀膜，因而需要对其进行改进。
技术实现思路
本专利技术的专利技术目的是提供一种用于磁控溅射镀膜的导电Nb205_x靶材。本专利技术的另一目的是提供一种用于磁控溅射镀膜的导电Nb205_x靶材的生产方法。为了实现上述的专利技术目的，本专利技术采用以下技术方案一种导电Nb205_x靶材，其所用的原料粉体中，Nb205的含量为90-99. 7wt %，金属铌 粉含量为0. 3-10wt %，Nb205粉体平均粒径为0. 05-50微米，金属铌粉的粒度彡200目，原料 粉体的纯度大于或等于4N。所述的原料粉体为Nb205与金属铌粉的充本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种导电Ｎｂ↓［２］Ｏ↓［５－ｘ］靶材，其特征在于：所用的原料粉体中，Ｎｂ↓［２］Ｏ↓［５］的含量为９０－９９．７ｗｔ％，金属铌粉含量为０．３－１０ｗｔ％，Ｎｂ↓［２］Ｏ↓［５］粉体平均粒径为０．０５－５０微米，金属铌粉的粒度≥２００目，原料粉体的纯度大于或等于４Ｎ。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：孔伟华，
申请(专利权)人：宜兴佰伦光电材料科技有限公司，
类型：发明
国别省市：32[中国|江苏]