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本发明公开了一种用于磁控溅射镀膜的导电Ｎｂ２Ｏ５－ｘ靶材。该导电Ｎｂ２Ｏ５－ｘ靶材所用的原料粉体中，ＺｎＯ的含量为８０－９９ｗｔ％，Ｉｎ２Ｏ３为０．１－１０ｗｔ％，Ｇａ２Ｏ３含量为０．１－１０ｗｔ％，粉体平均粒径为０．０５－５０微米，原料粉...
该专利属于宜兴佰伦光电材料科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过宜兴佰伦光电材料科技有限公司授权不得商用。

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