【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及形成半导体器件的方法，尤其涉及用浅沟槽绝缘方法在 半导体衬底上绝缘半导体器件的方法。
技术介绍
众所周知，在制作半导体集成电路器件的过程中，器件绝缘技术一 直用于诸如晶体管和电容器的单个器件的电绝缘。在该器件绝缘技术的 各种各样的方法中，普遍采用硅局部氧化(LOCOS)方法和浅沟槽绝缘(STI) 方法。LOCOS方法在硅衬底的有源区形成基于氮化物层的掩膜图案，并用该 掩膜图案作为掩膜热氧化硅衬底。虽然LOCOS方法是如上所述的简单氧 化过程，但LOCOS方法是不利的，在热氧化期间，因为横向氧化，氧化 层形成在大的区域内，并在氧化层和硅衬底间的界面上出现鸟嘴现象。 尤其是，鸟嘴现象是导致栅极氧化层退化且有源区减少的原因。因为这些缺点，限制了将LOCOS方法应用到高集成度的器件上。由 于这一限制，更广泛地采用STI方法。特定地，该STI方法通过在衬底 上形成浅沟槽然后将氧化层掩埋到该沟槽上形成器件绝缘区域。该STI 方法的这一系列步骤使得有可能解决上述和L0C0S方法相关的问题。因 此，将STI方法用于在高度集成器件，如，具有256兆字节的动态随机 ...
【技术保护点】
通过形成沟槽来绝缘衬底上器件的方法，包括下列步骤： 形成一图案化的垫氮化层，以在衬底上打开至少一个绝缘区域； 通过刻蚀裸露的衬底形成第一和第二沟槽； 通过执行原子层沉积（ＡＬＤ）方法沉积第一氧化层，以填充第一沟槽和第二沟槽 ，其中使用吡啶催化剂来降低反应激活能级； 刻蚀第一氧化层填充到第二沟槽的部分； 通过执行具有高于ＡＬＤ方法的沉积速率的沉积方法沉积第二氧化层，由此用第二氧化层完全填充第二沟槽。
【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：安尚太，辛东善，宋锡杓，
申请(专利权)人：海力士半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：KR[韩国]
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