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本发明涉及制造绝缘半导体器件的方法。该方法包括下列步骤：形成一图案化的垫氮化层，以在衬底上打开至少一个绝缘区域；通过刻蚀裸露的衬底形成第一和第二沟槽；通过执行原子层沉积（ＡＬＤ）方法沉积第一氧化层来填充第一沟槽；刻蚀第一氧化层填充到宽沟槽的...
该专利属于海力士半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过海力士半导体有限公司授权不得商用。

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