一种湿洗批处理设备及其多功能缓冲器制造技术

本发明专利技术公开了一种湿洗批处理设备及其多功能缓冲器，本发明专利技术提供的多功能缓冲器通过将缓存、机械手清洗和升温等功能集成于同一区域，相较于现有的各功能区间相互独立的技术，本发明专利技术能够有效降低设备占地面积，从而降低生产制造成本。产制造成本。产制造成本。

【技术实现步骤摘要】
一种湿洗批处理设备及其多功能缓冲器


[0001]本专利技术属于半导体清洗
，具体涉及一种湿洗批处理设备及其多功能缓冲器。

技术介绍

[0002]半导体制造工艺中的半导体湿洗工艺，考虑到产量以及效率的问题，目前采用批量洗涤设备，即一次性可对多片半导体进行湿洗，如图1所示，其具体工艺过程依次为：Buffer Position(缓存区，用于暂存半导体晶片)——Chuck wash(机械手清洗区)——H3PO4(化学浴)——HQDR(Hot DIW浴升温)——SC1——QDR——IPA；由于H3PO4为高温浴，因此在将半导体晶片投入H3PO4中进行清洗之前需要将半导体晶片放入Hot DIW浴中进行前置升温(HQDR)，之后再通过后退模式将其放入H3PO4中进行化学浴清洗，然而后退模式会导致设备的吞吐量降低。
[0003]同时，目前的湿洗批量洗涤工艺过程中需要缓存区、机械手清洗、HQDR等设备区，这就使得该批量洗涤设备在投入化学浴前需要大量的半导体晶片待机区域、机械手清洗空间等，从而导致该批量洗涤设备占地面积大，提高了生产制造成本。

技术实现思路

[0004]为了解决现有湿洗批处理设备存在占地面积大、成本高等问题，本专利技术提供了一种用于湿洗批处理设备的多功能缓冲器。本专利技术提供了一种将缓存、机械手清洗、升温等功能集成在同一区域的多功能缓冲器，从而极大的降低了设备占地面积，降低了成本。
[0005]本专利技术通过下述技术方案实现：
[0006]用于湿洗批处理设备的多功能缓冲器，将半导体晶片暂存区、机械手清洗区和半导体晶片升温区集成在同一区域。
[0007]优选的，本专利技术的多功能缓冲器包括设置于该区域的缓存设备、机械手清洗设备和升温设备；
[0008]所述缓存设备用于暂存半导体晶片，能够将暂存的半导体晶片运输至所述升温设备中进行预升温处理；
[0009]所述机械手清洗设备用于清洗被化学剂污染的机械手。
[0010]优选的，本专利技术的缓存设备能够沿X方向移动，可从区域后部的半导体晶片等待区域移动至所述升温设备正上方的半导体晶片导向区域；
[0011]所述缓存设备能够沿Z方向移动，可从半导体晶片导向区域移动至所述升温设备的水浴中以对暂存的半导体晶片进行预升温。
[0012]优选的，本专利技术的机械手清洗设备能够沿X方向移动，可从区域后部移动至区域前部，以对被化学剂污染的机械手进行清洗和干燥。
[0013]优选的，本专利技术的机械手清洗设备包括左清洗单元和右清洗单元；
[0014]所述左清洗单元和右清洗单元分别位于该区域后部左右两侧，且相对设置。
[0015]优选的，本专利技术的机械手清洗设备采用喷淋装置对机械手进行清洗；
[0016]所述机械手清洗设备还设置有干燥装置，用于对经清洗后的机械手进行干燥处理。
[0017]优选的，本专利技术的升温设备设置于该区域前部；
[0018]所述升温设备包括箱体；
[0019]所述箱体内部供有高温去离子水，用于对半导体晶片进行升温；
[0020]所述箱体底部设置有快速排水口，用于快速排出箱体中的去离子水。
[0021]优选的，本专利技术的箱体的材质采用石英。
[0022]优选的，本专利技术的区域前部和后部之间设置有隔板用于隔离前后区域；
[0023]所述隔板可沿Z轴方向上下移动。
[0024]另一方面，本专利技术还提出了一种湿洗批处理设备，采用本专利技术所述的多功能缓冲器对进行化学浴清洗的半导体晶片进行预先处理。
[0025]本专利技术具有如下的优点和有益效果：
[0026]本专利技术提供的多功能缓冲器通过将缓存、机械手清洗和升温等功能集成于同一区域，相较于现有的各功能区间相互独立的技术，本专利技术能够有效降低设备占地面积，从而降低生产制造成本。
[0027]本专利技术无需采用后退模式，从而提高了设备的吞吐量。
附图说明
[0028]此处所说明的附图用来提供对本专利技术实施例的进一步理解，构成本申请的一部分，并不构成对本专利技术实施例的限定。在附图中：
[0029]图1为现有的湿洗批量处理流程示意图。
[0030]图2为本专利技术的湿洗批量处理流程示意图。
[0031]图3为本专利技术的多功能缓冲器原理示意图。其中，(a)为俯视图，(b)为正视图。
[0032]图4为本专利技术的缓冲区工作原理示意图。
[0033]图5为本专利技术的机械手工作原理示意图。
[0034]图6为本专利技术的升温设备工作原理示意图。
[0035]附图中标记及对应的零部件名称：
[0036]1‑
缓存设备，11
‑
半导体晶片等待区域，12
‑
半导体晶片导向区域，2
‑
机械手清洗设备，21
‑
左清洗单元，22
‑
右清洗单元，3
‑
升温设备，31
‑
箱体，32
‑
快速排水口，4
‑
缓冲区域，41
‑
缓冲区域前部，42
‑
缓冲区域后部。
具体实施方式
[0037]在下文中，可在本专利技术的各种实施例中使用的术语“包括”或“可包括”指示所专利技术的功能、操作或元件的存在，并且不限制一个或更多个功能、操作或元件的增加。此外，如在本专利技术的各种实施例中所使用，术语“包括”、“具有”及其同源词仅意在表示特定特征、数字、步骤、操作、元件、组件或前述项的组合，并且不应被理解为首先排除一个或更多个其它特征、数字、步骤、操作、元件、组件或前述项的组合的存在或增加一个或更多个特征、数字、步骤、操作、元件、组件或前述项的组合的可能性。
[0038]在本专利技术的各种实施例中，表述“或”或“A或/和B中的至少一个”包括同时列出的文字的任何组合或所有组合。例如，表述“A或B”或“A或/和B中的至少一个”可包括A、可包括B或可包括A和B二者。
[0039]在本专利技术的各种实施例中使用的表述(诸如“第一”、“第二”等)可修饰在各种实施例中的各种组成元件，不过可不限制相应组成元件。例如，以上表述并不限制所述元件的顺序和/或重要性。以上表述仅用于将一个元件与其它元件区别开的目的。例如，第一用户装置和第二用户装置指示不同用户装置，尽管二者都是用户装置。例如，在不脱离本专利技术的各种实施例的范围的情况下，第一元件可被称为第二元件，同样地，第二元件也可被称为第一元件。
[0040]应注意到：如果描述将一个组成元件“连接”到另一组成元件，则可将第一组成元件直接连接到第二组成元件，并且可在第一组成元件和第二组成元件之间“连接”第三组成元件。相反地，当将一个组成元件“直接连接”到另一组成元件时，可理解为在第一组成元件和第二组成元件之间不存在第三组成元件。
[0041]在本专利技术的各种实施例中使用的术语仅用于描述特定实施例的目的并且并非意在限制本专利技术的各种实施例。如在此所使用，单本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.用于湿洗批处理设备的多功能缓冲器，其特征在于，将半导体晶片暂存区、机械手清洗区和半导体晶片升温区集成在同一区域。2.根据权利要求1所述的用于湿洗批处理设备的多功能缓冲器，其特征在于，包括设置于该区域的缓存设备(1)、机械手清洗设备(2)和升温设备(3)；所述缓存设备(1)用于暂存半导体晶片，能够将暂存的半导体晶片运输至所述升温设备(3)中进行预升温处理；所述机械手清洗设备(2)用于清洗被化学剂污染的机械手。3.根据权利要求2所述的用于湿洗批处理设备的多功能缓冲器，其特征在于，所述缓存设备(1)能够沿X方向移动，可从区域后部的半导体晶片等待区域移动至所述升温设备(3)正上方的半导体晶片导向区域；所述缓存设备(1)能够沿Z方向移动，可从半导体晶片导向区域移动至所述升温设备(3)的水浴中以对暂存的半导体晶片进行预升温。4.根据权利要求2所述的用于湿洗批处理设备的多功能缓冲器，其特征在于，所述机械手清洗设备(2)能够沿X方向移动，可从区域后部移动至区域前部，以对被化学剂污染的机械手进行清洗和干燥。5.根据权利要求2所述的用于湿洗批处理设备的多功能缓冲器，其特征在于，所述机械手清洗设备(2)包括左清洗单元(21)和右清洗单元(...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘钟埈，
申请(专利权)人：成都高真科技有限公司，
类型：发明
国别省市：