一种抛光液供应系统的使用方法技术方案

本发明专利技术公开了一种抛光液供应系统的使用方法，其包括：按照质量配比或体积配比，向混液器通入抛光原液、化学液和超纯水，以形成预制抛光液；将混液器中的预制抛光液输送至供液器，在预制抛光液通入供液器之前开启加湿器，以对供液器内部进行保湿；通过循环装置和搅拌装置搅拌供液器中的预制抛光液，以通过供液管路为CMP系统提供至少一种抛光液。路为CMP系统提供至少一种抛光液。路为CMP系统提供至少一种抛光液。

【技术实现步骤摘要】
一种抛光液供应系统的使用方法


[0001]本专利技术属于化学机械抛光
，具体而言，涉及一种抛光液供应系统的使用方法。

技术介绍

[0002]集成电路产业是信息技术产业的核心，在助推制造业向数字化、智能化转型升级的过程中发挥着关键作用。芯片是集成电路的载体，芯片制造涉及集成电路设计、晶圆制造、晶圆加工、电性测量、切割封装和测试等工艺流程。其中，化学机械抛光(Chemical Mechanical Polishing,CMP)属于晶圆制造工序中的五大核心制程之一。
[0003]化学机械抛光是一种全局平坦化的超精密表面加工技术。化学机械抛光通常将晶圆吸合于承载头的底面，晶圆具有沉积层的一面抵接抛光垫上表面，承载头在驱动组件的致动下与抛光垫同向旋转并给予晶圆向下的载荷；抛光液供给于抛光垫的上表面并分布在晶圆与抛光垫之间，使得晶圆在化学和机械的共同作用下完成晶圆的化学机械抛光。
[0004]抛光液供应系统是CMP系统的重要组成部分，其与Fab的厂务连接，以朝向抛光垫供给符合工艺要求的抛光液。现有的抛光液供应系统仅能够提供单一种类的抛光液，无法同时供应多种抛光液。若需要同时使用多种抛光液，则需要配置多套抛光液供应系统，这会增加CMP系统运行所需的空间，增加晶圆的制造成本。
[0005]此外，现有的抛光液供应系统包括搅拌结构，所述搅拌结构通常为旋转的搅拌桨，其采用机械方式搅拌抛光液；但在抛光液配置过程中，若抛光液的液面较低，则现有的搅拌桨无法触及抛光液面，无法搅拌少量抛光液。即现有的搅拌结构不是全周期搅拌抛光液，这会影响抛光液的配置质量。

技术实现思路

[0006]本专利技术实施例提供了一种抛光液供应系统的使用方法，旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一。
[0007]本专利技术实施例的第一方面提供了一种抛光液供应系统的使用方法，其包括：
[0008]S1，按照质量配比或体积配比，向混液器通入抛光原液、化学液和超纯水，以形成预制抛光液；
[0009]S2，将混液器中的预制抛光液输送至供液器，在预制抛光液通入供液器之前开启加湿器，以对供液器内部进行保湿；
[0010]S3，通过循环装置和搅拌装置搅拌供液器中的预制抛光液，以通过供液管路为CMP系统提供至少一种抛光液。
[0011]在一些实施例中，步骤S3中，预制抛光液的搅拌作业包括：
[0012]S31，使用循环装置搅拌供液器中的预制抛光液；
[0013]S32，当供液器中预制抛光液的液位处于搅拌装置的搅拌桨之上，开启搅拌装置，使用循环装置和搅拌装置同时搅拌预制抛光液；
[0014]S33，当供液器中预制抛光液的液位处于搅拌装置的搅拌桨之下，停止搅拌装置，仅使用循环装置搅拌预制抛光液。
[0015]在一些实施例中，所述加湿器自所述供液器的顶部通入气液二流体，气液二流体在供液器的内部弥散。
[0016]在一些实施例中，所述气液二流体包括超纯水和气体，所述气体为氮气和/或惰性气体。
[0017]在一些实施例中，所述抛光液供应系统包括混液器和供液器，所述混液器的数量至少两个，所述供液器的数量大于或等于混液器的数量。
[0018]在一些实施例中，所述循环装置设置于所述供液器的外侧，以促进预制抛光液在供液器的内部循环。
[0019]在一些实施例中，所述循环装置包括循环泵和循环管路，所述循环泵设置于循环管路，所述循环管路的数量为多个，其中，至少一个循环管路与所述供液器的底部连接。
[0020]在一些实施例中，所述循环管路的端部连接于供液器竖向和/或周向的不同位置，使得预制抛光液能够在循环管路及供液器的内部的流通。
[0021]在一些实施例中，抛光液供应系统还包括鼓泡装置，其设置于所述供液器的内部，以通过鼓泡的方式搅拌供液器中的预制抛光液。
[0022]本专利技术实施例的第二方面提供了一种控制设备，其包括存储器、处理器以及存储在所述存储器中并可在所述处理器上运行的计算机程序，所述处理器执行所述计算机程序时实现上面所述抛光液供应系统的使用方法的步骤。
[0023]本专利技术的有益效果包括：
[0024]a.提供的抛光液供应系统的使用方法，在供液器中存在预制抛光液时，持续将加湿器产生的气液二流体通入供液器的内部，以保证预制抛光液所处环境的湿润性，防止抛光液发生结晶；
[0025]b.将循环装置与搅拌装置组合，在抛光液配置过程中保持搅拌作业，以有效防止抛光液发生结晶；
[0026]c.抛光液供应系统配置至少两个混液器，其能够同时供应两种及以上的抛光液，满足不同抛光制程的需求；供液器的数量等于或大于混液器的数量，以预留备用数量，防止故障停机，保证抛光液的正常供应。
附图说明
[0027]通过结合以下附图所作的详细描述，本专利技术的优点将变得更清楚和更容易理解，这些附图只是示意性的，并不限制本专利技术的保护范围，其中：
[0028]图1是本专利技术一实施例提供的一种抛光液供应系统的使用方法的流程图；
[0029]图2是本专利技术一实施例提供的抛光液供应系统的示意图；
[0030]图3是本专利技术一实施例提供的供液器的示意图；
[0031]图4是本专利技术所述预制抛光液搅拌作业的流程图；
[0032]图5是本专利技术一实施例提供的主循环管路与供液器底部连接的示意图；
[0033]图6是本专利技术另一实施例提供的供液器的示意图；
[0034]图7是本专利技术再一实施例提供的供液器的示意图；
[0035]图8是本专利技术所述抛光液供应系统的外形图；
[0036]图9是本专利技术一实施例提供的化学机械抛光系统的示意图；
[0037]图10是本专利技术所述抛光液供应系统为不同抛光系统供液的示意图；
[0038]图11是本专利技术一实施例提供的控制设备的示意图。
具体实施方式
[0039]下面结合具体实施例及其附图，对本专利技术所述技术方案进行详细说明。在此记载的实施例为本专利技术的特定的具体实施方式，用于说明本专利技术的构思；这些说明均是解释性和示例性的，不应理解为对本专利技术实施方式及本专利技术保护范围的限制。除在此记载的实施例外，本领域技术人员还能够基于本申请权利要求书及其说明书所公开的内容采用显而易见的其它技术方案，这些技术方案包括采用对在此记载的实施例的做出任何显而易见的替换和修改的技术方案。
[0040]本说明书的附图为示意图，辅助说明本专利技术的构思，示意性地表示各部分的形状及其相互关系。应当理解的是，为了便于清楚地表现出本专利技术实施例的各部件的结构，各附图之间并未按照相同的比例绘制，相同的参考标记用于表示附图中相同的部分。
[0041]在本专利技术中，“化学机械抛光(Chemical Mechanical Polishing,CMP)”也称为“化学机械平坦化(Chemical Mechanical Planarization,CMP)”，晶圆(Wafer,W)也称基板(Substrate)，抛光液本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种抛光液供应系统的使用方法，其特征在于，包括：S1，按照质量配比或体积配比，向混液器通入抛光原液、化学液和超纯水，以形成预制抛光液；S2，将混液器中的预制抛光液输送至供液器，在预制抛光液通入供液器之前开启加湿器，以对供液器内部进行保湿；S3，通过循环装置和搅拌装置搅拌供液器中的预制抛光液，以通过供液管路为CMP系统提供至少一种抛光液。2.如权利要求1所述抛光液供应系统的使用方法，其特征在于，步骤S3中，预制抛光液的搅拌作业包括：S31，使用循环装置搅拌供液器中的预制抛光液；S32，当供液器中预制抛光液的液位处于搅拌装置的搅拌桨之上，开启搅拌装置，使用循环装置和搅拌装置同时搅拌预制抛光液；S33，当供液器中预制抛光液的液位处于搅拌装置的搅拌桨之下，停止搅拌装置，仅使用循环装置搅拌预制抛光液。3.如权利要求1所述抛光液供应系统的使用方法，其特征在于，所述加湿器自所述供液器的顶部通入气液二流体，气液二流体在供液器的内部弥散。4.如权利要求3所述抛光液供应系统的使用方法，其特征在于，所述气液二流体包括超纯水和气体，所述气体为氮气和/或惰性气体。5.如权利要求1所述抛光...

【专利技术属性】
技术研发人员：张洪蛟，卢潇潇，徐俊成，
申请(专利权)人：华海清科北京科技有限公司，
类型：发明
国别省市：