【技术实现步骤摘要】
本申请实施例涉及半导体制造，尤其涉及一种用于晶圆的金属薄膜厚度测量方法、装置、抛光设备和介质。
技术介绍
1、为对晶圆表面金属薄膜的形貌做出准确判断，现有技术中通常通过电涡流传感器测量晶圆表面金属薄膜的厚度，通过测得的金属薄膜的厚度确定晶圆表面金属薄膜的形貌。但受限于电涡流传感器的基本量测原理，现有技术在对晶圆上金属薄膜的边缘厚度测量时，无可避免地会受到磁场损失的影响，使得电涡流传感器采集的测量信号有所衰减。
2、为解决此问题，有相关技术通过建立测量信号的衰减函数，根据该衰减函数，对金属薄膜边缘对应的测量信号进行恢复，获得恢复后信号。但是，金属薄膜的边缘形貌也会影响测量信号的衰减，而相关技术建立的衰减函数通常为固定的理论函数，通过该衰减函数对测量信号的衰减进行计算时，无论金属薄膜为何种边缘形貌，均只能计算出一种衰减结果，即通过该衰减函数无法拟合金属薄膜的边缘形貌不同时测量信号的衰减变化，使得基于衰减函数获得的恢复后信号往往有较大的误差。
技术实现思路
1、有鉴于此，本申请实施例提供一种用于晶圆的金属薄膜厚度测量方法、装置、抛光设备和介质，以至少部分解决上述问题。
2、根据本申请实施例的第一方面，提供了一种用于晶圆的金属薄膜厚度测量方法，包括：根据电涡流传感器采集的测量信号，确定晶圆上金属薄膜的基准厚度，其中，所述测量信号用于指示所述金属薄膜上不同位置的测量厚度；根据所述基准厚度，确定调整参数，其中，所述调整参数包括所述基准厚度下金属薄膜的不同边缘形貌对应的子
3、根据本申请实施例的第二方面，提供了一种用于晶圆的金属薄膜厚度测量装置，包括：基准厚度确定模块，用于根据电涡流传感器采集的测量信号，确定晶圆上金属薄膜的基准厚度，其中，所述测量信号用于指示所述金属薄膜上不同位置的测量厚度；参数确定模块，根据所述基准厚度，确定调整参数，其中，所述调整参数包括所述基准厚度下金属薄膜的不同边缘形貌对应的子调整参数；处理模块，用于基于所述调整参数包括的所述子调整参数，对所述金属薄膜上位于待处理区域内的采样点的坐标值进行调整，并根据调整后坐标值对所述测量信号中该采样点对应的信号值进行处理，根据处理后的信号值确定晶圆的所述金属薄膜的厚度。
4、根据本申请实施例的第三方面，提供了一种化学机械抛光设备，包括：包括抛光盘、承载头、供液装置、电涡流传感器和控制器；所述承载头加载待抛光的晶圆并将其抵接于抛光盘上方的抛光垫，所述供液装置朝向抛光垫与晶圆之间供给抛光液；所述电涡流传感器用于对晶圆上金属薄膜的基准厚度进行测量；所述控制器用于执行前面任一项实施例所述的方法。
5、根据本申请实施例的第三方面，提供了一种计算机存储介质，其上存储有计算机程序，该程序被处理器执行时实现如前面任一项实施例所述的方法。
6、本申请实施例中，根据晶圆上金属薄膜的基准厚度，能够确定包括该基准厚度下金属薄膜的不同边缘形貌对应的子调整参数的调整参数，基于调整参数包括的各子调整参数，对金属薄膜上位于待处理区域内的采样点的坐标值进行调整，可以获得与金属薄膜的边缘形貌相对应的调整后坐标值。根据调整后坐标值，对测量信号中该采样点对应的信号值进行处理时，能够通过调整后坐标值较为准确地拟合出金属薄膜的边缘形貌与测量信号衰减的关系，从而可以减小对该采样点对应的信号值进行的处理的误差，获得更为准确的处理后信号值，提高测量晶圆上金属薄膜厚度的精度。
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1.一种用于晶圆的金属薄膜厚度测量方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，根据电涡流传感器采集的测量信号，确定晶圆上金属薄膜的基准厚度，包括：
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述基于所述调整参数包括的所述子调整参数，对所述金属薄膜上位于待处理区域内的采样点的坐标值进行调整，并根据调整后坐标值对所述测量信号中该采样点对应的信号值进行处理，包括：
4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，若所述调整参数包括平坦边缘形貌、翘起边缘形貌和下垂边缘形貌分别对应的子调整参数，则所述第一子调整参数为平坦边缘形貌对应的子调整参数，所述第二子调整参数为翘起边缘形貌或下垂边缘形貌对应的子调整参数。
5.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述根据所述目标子调整参数对所述金属薄膜上位于待处理区域内的采样点的坐标值进行调整，获得中间坐标值，包括：
6.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述根据所述中间坐标值对所述测量信号中该采样点对应的信号值进行处理，获得中间信号值，包括：
7.根据权利
8.一种用于晶圆的金属薄膜厚度测量装置，其特征在于，包括：
9.一种化学机械抛光设备，其特征在于，包括：包括抛光盘、承载头、供液装置、电涡流传感器和控制器；
10.一种计算机存储介质，其上存储有计算机程序，该程序被处理器执行时实现如权利要求1-7中任一所述的方法。
...【技术特征摘要】
1.一种用于晶圆的金属薄膜厚度测量方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，根据电涡流传感器采集的测量信号，确定晶圆上金属薄膜的基准厚度，包括：
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述基于所述调整参数包括的所述子调整参数，对所述金属薄膜上位于待处理区域内的采样点的坐标值进行调整，并根据调整后坐标值对所述测量信号中该采样点对应的信号值进行处理，包括：
4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，若所述调整参数包括平坦边缘形貌、翘起边缘形貌和下垂边缘形貌分别对应的子调整参数，则所述第一子调整参数为平坦边缘形貌对应的子调整参数，所述第二子调整参数为翘起边缘形貌或下垂边缘形貌对应的子调整参数。
【专利技术属性】
技术研发人员：路新春，吴英明，田芳馨，刘杰，
申请(专利权)人：华海清科北京科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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