【技术实现步骤摘要】
本申请实施例涉及晶圆加工，尤其涉及一种晶圆减薄系统、方法、装置、电子设备及计算机可读存储介质。
技术介绍
1、晶圆的背面减薄(grinding)，是指对封装前的半导体材料进行高精度磨削，使其厚度减少至合适形态，以实现降低封装贴装高度，减小芯片封装体积，改善芯片的热扩散效率、电气性能、机械性能等目的。
2、相关技术中，可在完成晶圆磨削处理后，执行晶圆抛光处理(例如，化学机械抛光处理)，以进一步提高晶圆表面的平整度、减小晶圆的总厚度偏差(total thicknessvariation，ttv)，同时去除磨削工艺造成的损伤层。
3、在进行晶圆的抛光处理时，主要通过抛光头将晶圆压在抛光垫上，通过晶圆和抛光垫之间的机械摩擦进行抛光，并且，由于晶圆的厚度已经被磨削至接近预设厚度，能够抛光的厚度可能小于1nm，不仅只能进行一次晶圆抛光，并且对抛光的精度要求也极高，抛光过程的容错率极低。因此，对抛光头各区域压力调整控制的准确度成为了最重要的影响参数之一，直接关系到了晶圆减薄精度。
4、因此，如何对磨削后抛光过程的压力进行高精度控制，成为现有技术亟需解决的技术问题。
技术实现思路
1、有鉴于此，本申请实施例提供一种晶圆减薄方案，以至少部分解决上述问题。
2、根据本申请实施例的第一方面，提供了一种晶圆减薄系统，包括：应用于晶圆减薄设备中的化学机械抛光设备以及控制器；所述控制器用于控制所述化学机械抛光设备，执行如下晶圆减薄方法：晶圆完成磨削后，测量晶圆的
3、根据本申请实施例的第二方面，提供了一种晶圆减薄方法，所述方法包括：根据各参考数据组的各实际去除形貌与各期望施加压力，估算各参考数据组的各去除形貌误差，根据各期望施加压力与各去除形貌误差，对待优化压力响应系数执行选择性地迭代更新，得到优化压力响应系数，其中，每个参考数据组的期望施加压力，是利用待优化压力响应系数根据每个参考数据组的期望去除形貌执行预测得到的；晶圆完成磨削后，测量晶圆的前值形貌，以及根据晶圆的前值形貌和目标形貌得到晶圆的期望去除形貌；基于优化压力响应系数、待抛光晶圆的期望去除形貌执行预测，得到待抛光晶圆的期望施加压力；控制化学机械抛光设备，基于期望施加压力进行一次化学机械抛光，得到减薄后的晶圆。
4、根据本申请实施例的第三方面，提供了一种电子设备，包括：处理器、存储器、通信接口和通信总线，所述处理器、所述存储器和所述通信接口通过所述通信总线完成相互间的通信；所述存储器用于存放至少一可执行指令，所述可执行指令使所述处理器执行如第二方面所述方法对应的操作。
5、根据本申请实施例的第四方面，提供了一种计算机存储介质，其上存储有计算机程序，该程序被处理器执行时实现如第二方面所述的方法。
6、根据本申请实施例的第五方面，提供了一种计算机程序产品，包括计算机指令，所述计算机指令指示计算设备执行如第二方面所述方法对应的操作。
7、根据本申请各实施例提供的晶圆减薄方案，根据各参考数据组的实际去除形貌和期望施加压力，估算各参考数据组的去除形貌误差，据以对压力响应系数执行选择性地迭代更新，可实现压力响应系数的快速收敛，降低晶圆减薄过程中晶圆抛光处理前期产生的晶圆材料耗损，提高晶圆抛光压力控制的准确性，以获得较佳的晶圆抛光处理形貌，提高减薄精度和效率。
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1.一种晶圆减薄系统，其特征在于，包括：应用于晶圆减薄设备中的化学机械抛光设备以及控制器；
2.根据权利要求1所述的系统，其中，多个参考数据组对应有全局去除形貌误差；
3.根据权利要求1或2所述的系统，其特征在于，通过以下方式得到所述多个参考数据组：
4.根据权利要求2所述的系统，其特征在于，每个参考数据组的去除形貌误差包括局部去除形貌误差，根据所述当前优化轮次的实际去除形貌、期望施加压力、初始压力响应系数，得到所述当前优化轮次的局部去除形貌误差，包括：
5.根据权利要求4所述的系统，其中，根据所述当前优化轮次的实际去除形貌、期望施加压力、初始压力响应系数，得到所述当前优化轮次的迭代压力响应系数，包括：
6.根据权利要求5所述的系统，其特征在于，通过以下方式得到所述当前优化轮次的优化权重系数：
7.根据权利要求2所述的系统，其特征在于，通过以下方式得到所述当前优化轮次的全局去除形貌误差：
8.根据权利要求2、4至7中任一项所述的系统，其特征在于，所述根据所述当前优化轮次的全局去除形貌误差和所述前续
9.根据权利要求8所述的系统，其特征在于，在所述当前优化轮次的全局去除形貌误差大于或等于所述前续优化轮次的全局去除形貌误差的情况下，所述晶圆减薄方法还包括：
10.根据权利要求9所述的系统，其特征在于，通过以下方式得到所述待优化压力响应系数的迭代更新处理满足所述优化结束条件的判断结果：
11.一种晶圆减薄方法，其特征在于，所述方法包括：
12.一种晶圆减薄装置，其特征在于，所述装置包括：
13.一种电子设备，包括：处理器、通信接口、存储器和总线，所述处理器、所述通信接口和所述存储器通过所述总线完成相互间的通信；
14.一种计算机可读存储介质，所述计算机可读存储介质上存储有计算机指令，所述计算机指令在被处理器执行时，使所述处理器执行权利要11所述的方法。
...【技术特征摘要】
1.一种晶圆减薄系统，其特征在于，包括：应用于晶圆减薄设备中的化学机械抛光设备以及控制器；
2.根据权利要求1所述的系统，其中，多个参考数据组对应有全局去除形貌误差；
3.根据权利要求1或2所述的系统，其特征在于，通过以下方式得到所述多个参考数据组：
4.根据权利要求2所述的系统，其特征在于，每个参考数据组的去除形貌误差包括局部去除形貌误差，根据所述当前优化轮次的实际去除形貌、期望施加压力、初始压力响应系数，得到所述当前优化轮次的局部去除形貌误差，包括：
5.根据权利要求4所述的系统，其中，根据所述当前优化轮次的实际去除形貌、期望施加压力、初始压力响应系数，得到所述当前优化轮次的迭代压力响应系数，包括：
6.根据权利要求5所述的系统，其特征在于，通过以下方式得到所述当前优化轮次的优化权重系数：
7.根据权利要求2所述的系统，其特征在于，通过以下方式得到所述当前优化轮次的全局去除形貌误差：
8.根据权利要求2、4至7中任一项所述的系统，...
【专利技术属性】
技术研发人员：赵德文，温世乾，吴英明，田芳馨，路新春，
申请(专利权)人：华海清科北京科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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