【技术实现步骤摘要】
本申请实施例涉及晶圆加工，尤其涉及一种晶圆减薄系统及方法、电子设备、存储介质。
技术介绍
1、晶圆的背面减薄(grinding)，是指对封装前的半导体材料进行高精度磨削，使其形貌减少至合适形态，以实现降低封装贴装高度，减小芯片封装体积，改善芯片的热扩散效率、电气性能、机械性能等目的。
2、相关的背面减薄技术中，可在完成晶圆磨削处理后，执行晶圆抛光处理，以进一步提高晶圆表面的平整度。在进行晶圆的抛光处理之前，会根据磨削后的晶圆形貌以及设定的期望形貌，计算晶圆中各区域的期望去除量，然后根据各区域的期望去除量，调节抛光压力值大小。因此，压力调整控制的准确度，是晶圆抛光处理工艺中的重要影响参数之一。
3、现在抛光工艺中使用的是分区压力控制。然而，各个区域之间会由于不同的气模结构及材质特征的差异，而表现出不同的区域间耦合效应，其会导致抛光头的各区域之间相互影响，从而影响了各个区域的压力控制精度。
技术实现思路
1、有鉴于此，本申请实施例提供一种晶圆减薄方案，以提高压力控制精度。
2、根据本申请实施例的第一方面，提供了一种晶圆减薄系统，设备前端模块、磨削模块、抛光模块、控制器；所述设备前端模块用于搬进或者搬出晶圆；磨削模块用于对晶圆进行磨削；抛光模块用于对磨削完成的晶圆进行抛光，以实现晶圆减薄；所述控制器用于执行以下晶圆减薄方法：针对一批次待减薄晶圆中的第n片晶圆，根据磨削系数控制磨削模块对第n片晶圆进行磨削，并根据压力响应系数控制抛光模块对磨削后的晶圆进行
3、根据本申请实施例的第二方面，提供了一种晶圆减薄方法，包括：针对一批次待减薄晶圆中的第n片晶圆，根据磨削系数控制磨削模块对第n片晶圆进行磨削，并根据压力响应系数控制抛光模块对磨削后的晶圆进行一次抛光，得到减薄后晶圆，其中，所述压力响应系数用于表征每个抛光区域的期望施加压力和期望去除速率形貌之间的关系；根据第n片晶圆中每相邻的两个抛光区域对应于抛光的去除速率形貌，更新每个抛光区域的压力响应系数，所述压力响应系数用于表征每个抛光区域的期望施加压力和期望去除速率形貌之间的关系，n为正整数；基于更新后的压力响应系数继续对第n+1片晶圆进行磨削以及抛光，直至一批次待减薄晶圆减薄完成。
4、根据本申请实施例的第三方面，提供了一种计算机存储介质，其上存储有计算机程序，该程序被处理器执行时实现如第一方面所述的方法。
5、根据本申请实施例的第四方面，提供了一种计算机程序产品，包括计算机指令，所述计算机指令指示计算设备执行如第一方面所述方法对应的操作。
6、根据本申请各实施例提供的晶圆减薄方案，针对同一批需要减薄的晶圆，根据完成减薄的晶圆中相邻两个抛光区域的两个期望去除速率形貌，估算不同压力状态下的各区域之间的耦合关系，并调整压力响应系数，再根据调整后的压力响应系数继续进行后需的晶圆减薄，能够有效改善减薄过程中由于抛光头的各区域间的耦合效应所导致的压力计算准确度不高的问题，提高了抛光精度，从而获得较佳的晶圆抛光处理形貌。
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1.一种晶圆减薄系统，其特征在于，设备前端模块、磨削模块、抛光模块、控制器；
2.根据权利要求1所述的系统，其特征在于，若n≥2，则所述根据第n片晶圆中每相邻的两个抛光区域对应于抛光的去除速率形貌，更新每个抛光区域的压力响应系数，包括：
3.根据权利要求1所述的系统,其特征在于，所述方法还包括：根据第n片晶圆的减薄误差，更新所述磨削系数，以基于更新后的所述磨削系数和压力响应系数继续对第n+1片晶圆进行磨削以及抛光，直至一批次待减薄晶圆减薄完成。
4.根据权利要求3所述的系统,其特征在于，所述根据第n片晶圆的减薄误差，更新所述磨削系数，包括：
5.根据权利要求4所述的系统，其特征在于，所述控制器配置有磨削控制模型以及抛光控制模型，所述磨削控制模型包括所述磨削系数，所述抛光控制模型包括所述压力响应系数，所述方法还包括：
6.一种晶圆减薄方法，其特征在于，包括：
7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，若n≥2，则所述根据第n片晶圆中每相邻的两个抛光区域对应于抛光的去除速率形貌，更新每个抛光区域的压力响应系数，包
8.根据权利要求6所述的方法,其特征在于，所述方法还包括：根据第n片晶圆的减薄误差，更新所述磨削系数，以基于更新后的所述磨削系数和压力响应系数继续对第n+1片晶圆进行磨削以及抛光，直至一批次待减薄晶圆减薄完成。
9.根据权利要求8所述的方法,其特征在于，所述根据第n片晶圆的减薄误差，更新所述磨削系数，包括：
10.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，所述根据第n片晶圆的减薄误差以及所述第n片晶圆磨削后的形貌，以抛光过程对应的去除速率形貌变化值最小以及减薄时间最短为约束，更新所述磨削系数包括：
11.一种电子设备，包括：处理器、通信接口、存储器和总线，所述处理器、所述通信接口和所述存储器通过所述总线完成相互间的通信；
12.一种计算机可读存储介质，所述计算机可读存储介质上存储有计算机指令，所述计算机指令在被处理器执行时，使所述处理器执行权利要求6至10中任一项所述的方法。
...【技术特征摘要】
1.一种晶圆减薄系统，其特征在于，设备前端模块、磨削模块、抛光模块、控制器；
2.根据权利要求1所述的系统，其特征在于，若n≥2，则所述根据第n片晶圆中每相邻的两个抛光区域对应于抛光的去除速率形貌，更新每个抛光区域的压力响应系数，包括：
3.根据权利要求1所述的系统,其特征在于，所述方法还包括：根据第n片晶圆的减薄误差，更新所述磨削系数，以基于更新后的所述磨削系数和压力响应系数继续对第n+1片晶圆进行磨削以及抛光，直至一批次待减薄晶圆减薄完成。
4.根据权利要求3所述的系统,其特征在于，所述根据第n片晶圆的减薄误差，更新所述磨削系数，包括：
5.根据权利要求4所述的系统，其特征在于，所述控制器配置有磨削控制模型以及抛光控制模型，所述磨削控制模型包括所述磨削系数，所述抛光控制模型包括所述压力响应系数，所述方法还包括：
6.一种晶圆减薄方法，其特征在于，包括：
7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，若n≥2，则所述根据第n片晶圆中每相邻的...
【专利技术属性】
技术研发人员：路新春，赵德文，温世乾，吴英明，田芳馨，
申请(专利权)人：华海清科北京科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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