【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及化学抛光领域。更具体地说，本专利技术涉及一种抛光垫及研磨设备。
技术介绍
1、化学机械抛光(cmp)是目前用于工件表面抛光最常用的技术。cmp是将化学侵蚀和机械去除进行结合后得到的复合技术，也是对半导体晶片之类平面化最常用的技术。
2、目前，常规的cmp过程中，晶片被安装在研磨设备的支架组件上，通过调节相关参数来设置抛光过程中晶片与抛光垫接触的位置。在抛光过程中，晶片被施加了可控压力压向抛光垫，通过外驱力使抛光垫与晶片以相同或相反方向转动。在相对转动过程中，抛光液被持续性地滴入到抛光垫上，从而通过抛光垫表面的机械作用以及抛光液的化学作用，对晶片表面进行平坦化研磨，实现晶片的抛光。
3、但是，化学机械抛光常常伴随着“边缘效应”的问题。边缘效应是指在晶片边缘的研磨速率和中心的研磨速率不均匀的现象，相对于晶片中心的部分，边缘效应通常会导致移除过多的晶片边缘的材料，因此，会导致晶片产生不平坦的边缘研磨轮廓，严重的会影响晶片的产率及良率。
技术实现思路
1、本专利技术的一个目的是解决至少上述问题，并提供至少后面将说明的优点。
2、本专利技术还有一个目的是提供一种抛光垫，该抛光垫的抛光层结合长度不同的径向沟槽，提高研磨均一性，解决了边缘效应的问题。
3、为了实现根据本专利技术的这些目的和其它优点，本专利技术第一方面提供了一种抛光垫，包括抛光层，所述抛光层包括若干同心圆沟槽、若干第一径向沟槽和若干第二径向沟槽，所述第二径向沟槽设置于相
4、具体的是，所述第二径向沟槽的个数为2*k，2≤k≤16，k为整数；优选的是，4≤k≤8。
5、优选的是，所述第二径向沟槽至少包括0.320r～0.355r、0.545r～0.590r、0.710r～0.730r三种长度的沟槽。
6、优选的是，所述第二径向沟槽的长度沿圆周向逐渐递增，所述第二径向沟槽的长度ln＝0.514r+a*n*(w+p)，n取值为1至2*k之间的整数，2≤k≤16，w为同心圆沟槽的宽度，p为同心圆沟槽之间的间距，a为常数，w取值为0.20mm～0.50mm，p取值为1.47mm～4.11mm。
7、优选的是，所述第二径向沟槽的总体积与所述第一径向沟槽的总体积的比值范围为0.452～0.659，更优为0.550～0.605。
8、优选的是，所述同心圆沟槽的宽度记为w、间隔记为p，w/r的范围为
9、0.78*10-3～1.33*10-3，p/w的取值范围为3.48～5.65。
10、优选的是，w/r的范围为0.94*10-3～1.12*10-3，p/w的范围为3.48～4.65。
11、具体的是，所述同心圆沟槽的深度为所述抛光层厚度的0.3～0.45倍。
12、本专利技术第二方面提供一种研磨设备，具有与被研磨工件接触的抛光垫，所述抛光垫为第一方面所述的抛光垫。
13、本专利技术至少包括以下有益效果：
14、本专利技术结合长度相同的第一径向沟槽和长度相同或不相同的第二径向沟槽，起到调节边缘研磨速率的作用，提高研磨均一性，解决了边缘效应的问题。
15、本专利技术的其它优点、目标和特征将部分通过下面的说明体现，部分还将通过对本专利技术的研究和实践而为本领域的技术人员所理解。
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1.一种抛光垫，其特征在于，包括抛光层，所述抛光层包括若干同心圆沟槽、若干第一径向沟槽和若干第二径向沟槽，所述第二径向沟槽设置于相邻两个所述第一径向沟槽之间，所述第一径向沟槽自所述抛光层中心径向延伸至所述抛光层边缘，所述第二径向沟槽自所述抛光层上的任意一点径向延伸至所述抛光层上的任意另外一点，所述抛光层的半径记为R，所述第二径向沟槽的内侧端位于0.15R～0.35R处，所述第二径向沟槽的外侧端位于0.68R～0.92R处。
2.如权利要求1所述的抛光垫，其特征在于，所述第二径向沟槽的个数为2*K，2≤K≤16，K为整数；优选的是，4≤K≤8。
3.如权利要求1所述的抛光垫，其特征在于，所述第二径向沟槽至少包括0.320R～0.355R、0.545R～0.590R、0.710R～0.730R三种长度的沟槽。
4.如权利要求1所述的抛光垫，其特征在于，所述第二径向沟槽的长度沿圆周向逐渐递增，Ln记为第n条所述第二径向沟槽的长度，Ln＝0.514R+A*n*(W+P)，n取值为1至2*K之间的整数，2≤K≤16，W为同心圆沟槽的宽度，P为同心圆沟槽之
5.如权利要求1所述的抛光垫，其特征在于，所述第二径向沟槽的总体积与所述第一径向沟槽的总体积的比值范围为0.452～0.659，更优为0.550～0.605。
6.如权利要求1所述的抛光垫，其特征在于，所述同心圆沟槽的宽度记为W、间隔记为P，W/R的范围为0.78*10-3～1.33*10-3，P/W的取值范围为3.48～5.65。
7.如权利要求6所述的抛光垫，其特征在于，W/R的范围为0.94*10-3～1.12*10-3，P/W的范围为3.48～4.65。
8.如权利要求1所述的抛光垫，其特征在于，所述同心圆沟槽的深度为所述抛光层厚度的0.3～0.45倍。
9.一种研磨设备，其特征在于，具有与被研磨工件接触的抛光垫，所述抛光垫为权利要求1～8中任意一项所述的抛光垫。
...【技术特征摘要】
1.一种抛光垫，其特征在于，包括抛光层，所述抛光层包括若干同心圆沟槽、若干第一径向沟槽和若干第二径向沟槽，所述第二径向沟槽设置于相邻两个所述第一径向沟槽之间，所述第一径向沟槽自所述抛光层中心径向延伸至所述抛光层边缘，所述第二径向沟槽自所述抛光层上的任意一点径向延伸至所述抛光层上的任意另外一点，所述抛光层的半径记为r，所述第二径向沟槽的内侧端位于0.15r～0.35r处，所述第二径向沟槽的外侧端位于0.68r～0.92r处。
2.如权利要求1所述的抛光垫，其特征在于，所述第二径向沟槽的个数为2*k，2≤k≤16，k为整数；优选的是，4≤k≤8。
3.如权利要求1所述的抛光垫，其特征在于，所述第二径向沟槽至少包括0.320r～0.355r、0.545r～0.590r、0.710r～0.730r三种长度的沟槽。
4.如权利要求1所述的抛光垫，其特征在于，所述第二径向沟槽的长度沿圆周向逐渐递增，ln记为第n条所述第二径向沟槽的长度，ln＝0.514r+a*n*(w+p)，n...
【专利技术属性】
技术研发人员：罗乙杰，杨浩，康靖，
申请(专利权)人：湖北鼎汇微电子材料有限公司，
类型：发明
国别省市：
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