【技术实现步骤摘要】
本申请实施例涉及晶圆加工，尤其涉及一种抛光压力控制方法、装置、电子设备、计算机存储介质及晶圆抛光系统。
技术介绍
1、晶圆的背面减薄(grinding)，是指对封装前的半导体材料进行高精度磨削，使其厚度减少至合适形态，以实现降低封装贴装高度，减小芯片封装体积，改善芯片的热扩散效率、电气性能、机械性能等目的。
2、相关的背面减薄技术中，可在完成晶圆磨削处理后，执行晶圆抛光处理，以进一步提高晶圆表面的平整度。在进行晶圆的抛光处理之前，会根据磨削后的晶圆厚度以及设定的期望厚度，计算晶圆中各区域的期望去除量，然后根据各区域的期望去除量，调节抛光压力值大小。因此，压力调整控制的准确度，是晶圆抛光处理工艺中的重要影响参数之一。
技术实现思路
1、有鉴于此，本申请实施例提供一种抛光压力控制方案，以提高压力控制精度。
2、根据本申请实施例的第一方面，提供了一种抛光压力控制方法，包括：确定每个抛光区域的压力响应系数，其中，所述压力响应系数根据已抛光晶圆中每相邻的两个抛光区域的去除速率形貌得到，用于表征每个抛光区域的期望施加压力和期望去除速率形貌之间的关系；根据每个抛光区域的压力响应系数、期望去除速率形貌，得到所述待抛光晶圆的每个抛光区域的压力推荐值；基于所述待抛光晶圆的每个抛光区域的压力推荐值，抛光所述待抛光晶圆。
3、根据本申请实施例的第二方面，提供了一种抛光压力控制装置，包括：确定模块，用于确定每个抛光区域的压力响应系数，其中，所述压力响应系数根据已抛光晶圆中
4、根据本申请实施例的第三方面，提供了一种晶圆抛光系统，包括：晶圆抛光设备，包括承载装置、覆盖有抛光垫的抛光盘；控制器，所述控制器与晶圆抛光设备通信连接；其中，所述承载装置用将待抛光晶圆按压在所述抛光垫上，并带动所述待抛光晶圆相对于所述抛光盘作动，以抛光所述待抛光晶圆；所述控制器中存储有控制指令，所述控制指令在被执行时，使所述控制器执行如第一方面所述的方法，以控制所述晶圆抛光设备抛光所述承载待抛光晶圆。
5、根据本申请实施例的第四方面，提供了一种电子设备，包括：处理器、存储器、通信接口和通信总线，所述处理器、所述存储器和所述通信接口通过所述通信总线完成相互间的通信；所述存储器用于存放至少一可执行指令，所述可执行指令使所述处理器执行如第一方面所述方法对应的操作。
6、根据本申请实施例的第五方面，提供了一种计算机存储介质，其上存储有计算机程序，该程序被处理器执行时实现如第一方面所述的方法。
7、根据本申请实施例的第六方面，提供了一种计算机程序产品，包括计算机指令，所述计算机指令指示计算设备执行如第一方面所述方法对应的操作。
8、根据本申请各实施例提供的抛光压力控制方案，根据待抛光晶圆中相邻两个抛光区域的两个期望去除速率形貌，估算不同压力状态下待抛光晶圆的各区域之间的耦合关系，能够有效改善由于抛光头的各区域间的耦合效应所导致的压力计算准确度不高的问题，从而获得较佳的晶圆抛光处理形貌。
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1.一种抛光压力控制方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法应用于连续加工的多个晶圆，所述期望去除速率形貌具体为期望去除速率形貌的变化值；
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述根据每个抛光区域的压力响应系数、期望去除速率形貌，得到所述待抛光晶圆的每个抛光区域的压力推荐值，包括：
4.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述压力响应系数通过下述步骤得到：
5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，晶圆的各抛光区域包括一个圆形抛光区域和多个环形抛光区域，所述圆形抛光区域位于所述待抛光晶圆的中心，所述多个环形抛光区域为沿所述待抛光晶圆的径向分布的多个同心环，各抛光区域中任意相邻的两个抛光区域相互接界；
6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述根据所述目标区域和所述参考区域去除速率形貌的变化值与压力调整值的比值，执行拟合运算，得到所述目标区域的抛光权重、中心位置、影响区域，包括：
7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述目标区域的压力响应系数包括压力响应系数
8.根据权利要4至7中任一项所述的方法，其特征在于，所述方法应用于连续加工的多个晶圆；
9.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，通过以下方式得到所述前续抛光晶圆的每个抛光区域的系数校正值：
10.一种抛光压力控制装置，其特征在于，包括：
11.一种晶圆抛光系统，其特征在于，包括：
12.一种电子设备，包括：处理器、通信接口、存储器和总线，所述处理器、所述通信接口和所述存储器通过所述总线完成相互间的通信；
13.一种计算机可读存储介质，所述计算机可读存储介质上存储有计算机指令，所述计算机指令在被处理器执行时，使所述处理器执行权利要求1至9中任一项所述的方法。
...【技术特征摘要】
1.一种抛光压力控制方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法应用于连续加工的多个晶圆，所述期望去除速率形貌具体为期望去除速率形貌的变化值；
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述根据每个抛光区域的压力响应系数、期望去除速率形貌，得到所述待抛光晶圆的每个抛光区域的压力推荐值，包括：
4.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述压力响应系数通过下述步骤得到：
5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，晶圆的各抛光区域包括一个圆形抛光区域和多个环形抛光区域，所述圆形抛光区域位于所述待抛光晶圆的中心，所述多个环形抛光区域为沿所述待抛光晶圆的径向分布的多个同心环，各抛光区域中任意相邻的两个抛光区域相互接界；
6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述根据所述目标区域和所述参考区域去除速率形貌的变化值与压力调整值...
【专利技术属性】
技术研发人员：赵德文，温世乾，吴英明，田芳馨，路新春，
申请(专利权)人：华海清科北京科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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