ＺｎＯ基粉末－金属复合溅射靶材及其制备方法技术

本发明专利技术提供了一种用于溅射沉积薄膜晶体管有源层的粉末－金属复合靶，所述的粉末－金属复合靶表层的金属组成为ＩｎｗＧａｘＳｎｙＺｎｚ，其中０≤ｗ，ｘ，ｙ≤１，０≤ｚ≤６。本发明专利技术还提供了上述用于沉积薄膜晶体管有源层的粉末－金属复合靶的制作方法与传统高温烧结陶瓷靶相比，粉末－金属复合靶具有以下优点：１）对制作工艺和设备的要求低。２）导热好，可以避免像陶瓷靶那样在使用过程中的开裂。３）可以用螺钉直接固定到溅射靶的背板上，无需陶瓷靶的焊接工艺。４）靶材的金属组成容易调整。因此，所述的粉末－金属复合靶的制作、使用和维护成本低廉。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于半导体器件领域，尤其涉及一种应用于AM LCD、AM OLED等平板显示器TFT背板的ZnO基薄膜晶体管的有源层沉积靶材及其制造的新方法。
技术介绍
ZnO基TFT被认为是最有可能取代当前大规模产业化的a-Si:H TFT的下一代MOSFET，在最近几年引起普遍的关注。与a-Si:H TFT相比，透明氧化物薄膜晶体管，主要是氧化锌基薄膜晶体管，具有以下优点a)迁移率比非晶硅晶体管高一个数量级以上；b)对可见光的透明度大于80％；c)可在室温下沉积，可使用可挠性基片；d)薄膜结构为均匀的非晶态；e)加压下产生的电学应力均一；f)对于目前成熟的溅射法或脉冲激光沉积法，可以通过调节靶材的金属组成和优化沉积条件控制TFT的特性。 目前，ZnO基TFT有源层的沉积绝大多数采用溅射法和脉冲激光沉积法，也有一些工作采用分子束外延、溶胶-凝胶或溶液过程、固相反应外延和反应电子束蒸发法，但在阵列制造上几乎不使用这些方法，因为这些方法都不成熟或存在严重的缺点。最近也有一些工作采用Zn靶反应溅射沉积ZnO薄膜作为TFT的有源层(D.Hong et al，J.Vac.Sci.Technol.，2006，B24，L23；W.S.Cheong etal，Thin Sold Films，2008，516(22)8159)。 但是采用ZnO薄膜作为有源层的晶体管性能并不理想，多数情况下单一金属组成的ZnO薄膜的关态电流太大，TFT器件开关比小；另一个问题是溅射沉积的ZnO薄膜很容易结晶，由于多晶薄膜中穿行的电子受到频繁的晶界散射作用，有碍于器件迁移率的提高。因此，研究人员在ZnO薄膜中添加In2O3、Ga2O3、SnO2以阻止薄膜在沉积过程中的结晶，增强薄膜在使用过程中的稳定性，从而提高了TFT工作的可靠性。已往的工作表明，InGaZnO4薄膜在500℃下退火仍保持非晶形式。 a-IGZO TFT作为阵列基板在AM OLED和AM LCD的应用已引起高度重视。在2008年美国洛杉矶举行的SID年会上，三星先进技术研究院展出了以a-IGZO TFT阵列驱动的4英寸QVGA OLED屏，三星电子则展出了15英寸以a-IGZO TFT阵列驱动的XVGA AM LCD。但这些工作中，a-IGZO薄膜的沉积都采用射频磁控溅射法或脉冲激光沉积法，使用高温(～1550℃)烧结的氧化物陶瓷靶。在氧化锌基TFT阵列制造中，所采用的溅射和脉冲激光沉积两种方法中，溅射法的工艺窗口较宽。溅射法通常使用高温烧结的陶瓷靶，对于大面积镀膜来讲，靶材的制作是有相当难度的。目前，大尺寸陶瓷靶材通常采用拼接方法获得，要用到昂贵的金属铟和银作为焊接材料，还有，靶材制作工艺复杂且成本高，高温烧结过程容易引入杂质，在使用过程中容易发生开裂。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种用于溅射沉积薄膜晶体管有源层的粉末-金属复合靶材及其制作方法，所述的这种用于溅射沉积薄膜晶体管有源层的粉末-金属复合靶材及其制作方法要解决现有技术中的靶材及其制作工艺复杂且成本高、高温烧结过程容易引入杂质以及在使用过程中容易发生开裂的技术问题。 本专利技术提供了一种用于溅射沉积薄膜晶体管有源层的粉末-金属复合靶材，所述的粉末-金属复合靶材表层的金属组成为InxGaxSnyZnz，其中0≤w，x，y≤1，0≤z≤6。 进一步的，所述的金属靶体为纯度大于99.99wt％的金属锌，所述的粉末选自In2O3、或Ga2O3、或SnO2中的一种或一种以上的组合。 进一步的，所述的金属靶体为锌-锡合金，所述的粉末选自In2O3、或Ga2O3中的一种或一种以上的组合。 进一步的，所述的金属靶体为锌-铟合金，所述的粉末选自SnO2、或Ga2O3的中一种或一种以上的组合。 进一步的，所述的金属靶体为锌-锡-铟合金，所述的粉末为Ga2O3。 进一步的，所述的金属靶体的厚度为6-10mm，所述的金属靶体的一侧表面设置有不贯穿的且均匀分布的孔洞。 进一步的，所述的另一种金属靶体的厚度为0.05-1.0mm，所述的金属靶体一侧表面设置有贯穿的且均匀分布的孔洞。 进一步的，所述的金属靶体的横截面为直径三英寸或六英寸的圆形，或80mm×150mm的长方形。 进一步的，所述的金属靶体设置有不贯穿的且均匀分布的圆孔，所述的圆孔的直径为2-10mm，所述的圆孔的深度为3-8mm，所述的圆孔面积占靶体开孔一侧表面面积的1-70％。 进一步的，所述的另一种金属靶体设置有贯穿的且均匀分布的圆孔，所述的圆孔的直径为2-10mm，所述的圆孔面积占靶体开孔一侧表面面积的1-70％。 进一步的，所述的金属靶体设置有不贯穿的且均匀分布的方孔，所述的方孔边长为2-15mm，所述的方孔深度为3-8mm，所述的方孔面积占靶体开孔一侧表面面积的1-80％。 进一步的，所述的另一种金属靶体设置有贯穿的且均匀分布的方孔，所述的方孔边长为2-15mm，所述的方孔深度为3-8mm，所述的方孔面积占靶体开孔一侧表面面积的1-80％。 本专利技术还提供了上述的用于溅射沉积薄膜晶体管有源层的粉末-金属复合靶材的制作方法，包括一个制作金属靶体的步骤，在所述的制作金属靶体的步骤中，把金属加工成圆片或板状，在所述的金属片上设置有不贯穿的孔洞，还包括有一个将氧化物粉末致密化的步骤，在所述的将氧化物粉末致密化的步骤中，在所述的金属靶体的不贯穿的孔洞里填充氧化物粉末，然后施加高压使金属氧化物粉末致密化。 进一步的，在孔洞中填充粉末的过程中，粉末经过冷等静压致密，成型压力180-300MPa，保压时间1-5分钟，使致密后的粉末和复合靶座表面持平。 进一步的，在孔洞中填充粉末的过程中，粉末经过干压致密，成型压力5-10MPa，保压时间0.1-1分钟，使粉末和金属靶体的表面持平。 本专利技术还提供了另一种上述的用于溅射沉积薄膜晶体管有源层的粉末-金属复合靶材的制作方法，包括一个制作金属靶体的步骤，在所述的制作金属靶体的步骤中，把金属加工成圆片或板状，在所述的金属片上设置有贯穿的且均匀分布的孔洞，还包括有一个将氧化物粉末施加高压致密化的步骤，然后将设置有贯穿孔洞的金属靶体放置于致密且表面平坦化的粉末块体上。 为了在使用时便于操作，设计了铝合金粉末池。所谓粉末池，就是把一定厚度(6-12mm)的铝合金材料加工成所需靶材的形状，然后在其长宽一侧加工一个相同形状的槽用于填放粉末，槽深4-10mm。 进一步的，铝合金池里的粉末经过干压致密，成型压力5-10MPa，保压时间0.1-1分钟。 进一步的，铝合金池里的粉末经过冷等静压致密，成型压力180-300MPa，保压时间1-5分钟。 若采用In-Ga-Sn-Zn合金靶反应溅射获得In-Ga-Sn-Zn-O有源层，引入Ga的含量将很有限。由于Ga的熔点只有30℃，在其他成分的金属中引入高含量的Ga，将大大降低合金的熔点，而溅射镀膜过程中一般要求靶材能够承受的温度在150℃以上，因此，Zn-In-Sn-Ga合金中引入Ga的含量必须控制在很小的范围内。为了解决这个问题，本专利设计Zn-In-Sn合金靶体，提供靶材中所需的Zn、In和Sn成分，靶材中所需要的Ga成分则以氧化物的形式引入。正如以上所述，本专利中设计的金属靶体有两种形式本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于溅射沉积薄膜晶体管有源层的粉末－金属复合靶材，其特征在于：所述的粉末－金属复合靶材表层的金属组成为Ｉｎ↓［ｗ］Ｇａ↓［ｘ］Ｓｎ↓［ｙ］Ｚｎ↓［ｚ］，其中，０≤ｗ，ｘ，ｙ≤１，０≤ｚ≤６。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：陈晨曦，林明通，
申请(专利权)人：上海广电电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：31[中国|上海]