包含Al-Te-Cu-Zr基合金的溅射靶及其制造方法技术

一种溅射靶，其特征在于，所述溅射靶含有20原子％～40原子％Te，含有5原子％～20原子％Cu，含有5原子％～15原子％Zr，剩余部分包含Al，溅射靶组织由Al相、Cu相、CuTeZr相、CuTe相和Zr相构成。本发明专利技术的课题在于提供一种有效地抑制了由组成偏差引起的特性劣化的Al‑Te‑Cu‑Zr基合金溅射靶及其制造方法。

The sputtering target contains Al Te Cu Zr alloy and its manufacturing method

A sputtering target, which is characterized in that the sputtering target contains 20 atomic% ~ 40 atom%Te, containing 5 atomic% to 20 atom%Cu, containing 5 to 15 atomic%%Zr, the remaining part contains Al, sputtering target tissue is composed of Al phase, Cu phase, CuTeZr phase, CuTe phase and Zr phase. The subject of the invention is to provide an effectively suppress the deterioration caused by the deviation of the composition of Al Te Cu Zr base alloy sputtering target and manufacturing method thereof.

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】包含Al-Te-Cu-Zr基合金的溅射靶及其制造方法
本专利技术涉及包含Al-Te-Cu-Zr基合金的溅射靶及其制造方法，特别是用于形成作为电阻变化型材料的包含Al-Te-Cu-Zr基合金的薄膜的Al-Te-Cu-Zr基合金溅射靶及其制造方法。
技术介绍
近年来，使用利用电阻变化来记录信息的包含Te-Al基材料或Te-Zr基材料的薄膜作为电阻变化型记录材料。作为形成包含这些材料的薄膜的方法，通常利用真空蒸镀法、溅射法等一般被称为物理蒸镀法的方法来进行。特别是从操作性、成膜的稳定性出发，经常使用磁控溅射法来形成。利用溅射法的薄膜形成通过以下方式进行，使氩离子等正离子与设置在阴极的靶物理性地撞击，利用该撞击能量使构成靶的材料放出，从而将与靶材料几乎相同组成的膜层叠于对置的阴极侧的基板上。利用溅射法的成膜具有以下特征：通过调节处理时间、供给功率等，可以以稳定的成膜速度形成埃单位的薄膜到数十μm的厚膜。作为Te-Al基溅射用靶，例如，在专利文献1中公开了一种靶，其包含选自Ti、Zr、Hf、V、Nb、Ta和镧系元素的元素组中的一种以上高熔点金属元素、选自Al、Ge、Zn、Co、Cu、Ni、Fe本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种溅射靶，其特征在于，所述溅射靶含有20原子％～40原子％Te，含有5原子％～20原子％Cu，含有5原子％～15原子％Zr，剩余部分包含Al，溅射靶组织由Al相、Cu相、CuTeZr相、CuTe相和Zr相构成。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2014.10.09 JP 2014-2077701.一种溅射靶，其特征在于，所述溅射靶含有20原子％～40原子％Te，含有5原子％～20原子％Cu，含有5原子％～15原子％Zr，剩余部分包含Al，溅射靶组织由Al相、Cu相、CuTeZr相、CuTe相和Zr相构成。2.根据权利要求1所述的溅射靶，其特征在于，所述溅射靶的平均粒径为1μm～50μm，最大粒径为100μm以下。3.根据权利要求1或2中任一项所述的溅射靶，其特征在于，所述溅射靶的纯度为3N以上，氧含量为3000重量ppm以下。4.根据权利要求1～3中任一项所述的溅射靶，其特征在于，所述溅射靶含有选自Si、C、Ti、Hf、V、N...

【专利技术属性】
技术研发人员：小井土由将，
申请(专利权)人：捷客斯金属株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP