一种提升晶圆边缘不完整区域套刻精度的方法技术

本发明专利技术公开了一种提升晶圆边缘不完整区域套刻精度的方法，对于晶圆边缘每一个不完整区域取出数个量测点，并在与该不完整区域相邻的两个区域内各取数个量测点，使得总的量测点数量超过13个，然后利用上述所有取出的量测点的套刻数据进行高阶拟合运算，得到高阶误差补偿参数，将得到的高阶误差补偿参数反馈给自动控制系统，用于自动修正晶圆边缘不完整区域的光刻参数。本发明专利技术所公开的方法在与不完整区域相邻的区域内取量测点，与该不完整区域内的量测点组成13点以上的量测数据，用于高阶拟合运算，以达到光刻在套刻精度上的补偿和光刻工艺窗口要求，从而提高了边缘不完整区域的套刻精度，保证了半导体器件的导电性能，提高了晶圆的利用率。的利用率。的利用率。

【技术实现步骤摘要】
一种提升晶圆边缘不完整区域套刻精度的方法


[0001]本专利技术涉及半导体制造
，特别涉及一种提升晶圆边缘不完整区域套刻精度的方法。

技术介绍

[0002]在半导体器件的制造过程中，为了在半导体晶圆上形成数层导电图形，要依次把超过20层以上的不同的掩模图形重叠到晶圆上。形成掩模图形的光刻工序是半导体器件制造的重要制程，为了保证半导体器件的导电性能，每层的图形都需要与其他层的图形具有较好的套刻精度。随着半导体技术的发展，电路图形的特征尺寸不断缩小，套刻精度的控制难度也越来越大。
[0003]在集成电路制造中，晶圆上当前层(光刻胶图形)与参考层(衬底内图形)之间的相对位置,即描述了当前的图形相对于参考图形沿X和Y方向的偏差和这种偏差在晶圆表面的分布；同时也是检测光刻工艺好坏的一个关键指标。
[0004]套刻精度的要求不只在晶圆中心的位置，而是对整片晶圆的要求。但由于集成电路制造中，晶圆会经过许多高温、研磨和薄膜制程，会导致晶圆在边缘套刻精度产生很大的偏差。现行光刻在套刻补偿上，除了对整片晶圆做套刻的线性补偿，也会使用高阶的运算本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种提升晶圆边缘不完整区域套刻精度的方法，其特征在于，对于晶圆边缘每一个不完整区域取出数个量测点，并在与该不完整区域相邻的两个区域内各取数个量测点，使得总的量测点数量超过13个，然后利用上述所有取出的量测点的套刻数据进行高阶拟合运算，得到高阶误差补偿参数，将得到的高阶误差补偿参数反馈给自动控制系统，用于自动修正晶圆边缘不完整区域的光刻参数。2.根据权利要求1所述的一种...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨尚勇，邱杰振，颜天才，
申请(专利权)人：青岛物元技术有限公司，
类型：发明
国别省市：