半导体结构的形成方法及半导体结构技术

本申请提供一种半导体结构的形成方法及半导体结构。半导体结构的形成方法包括以下步骤：在衬底上形成凸出的鳍片；形成覆盖在鳍片上方以及衬底上方的虚设栅极层；对虚设栅极层执行离子植入工艺，所植入的离子为P型掺杂离子或N型掺杂离子；对经离子植入后的虚设栅极层执行退火工艺，以形成所植入离子由虚设栅极层的表面向内部变化的浓度分布；对虚设栅极层执行蚀刻工艺，以形成虚设栅极结构；利用栅极结构来替换虚设栅极结构。该半导体结构的形成方法可以直接快速地对栅极的形态进行调整，工艺简单，操作便捷。操作便捷。操作便捷。

【技术实现步骤摘要】
半导体结构的形成方法及半导体结构


[0001]本专利技术属于半导体
，尤其涉及一种半导体结构的形成方法及半导体结构。

技术介绍

[0002]半导体集成电路(IC)工业经历了指数级增长。IC材料和设计中的技术进步已经产生了多代IC，其中每一代都具有比上一代更小且更复杂的电路。在IC发展的过程中，功能密度(即，每芯片面积的互连器件的数量)普遍增加，而几何尺寸(即，可以使用制造工艺产生的最小组件(或线))已经减小。但当栅极长度越小，源极和漏极之间的距离就越近，栅极对通道的影响力也越小，限制了芯片尺寸的进一步减小。
[0003]为了解决以上问题，鳍式场效应晶体管(Fin Field Effect Transistor，即FinFET)应运而生，FinFET结构看起来像鱼鳍，所以也被称为鳍型结构，栅极三面环绕源漏两极之间的沟道(通道)，实际的沟道宽度急剧地变宽，沟道的导通电阻急剧地降低，流过电流的能力大大增强，同时也极大地减少了漏电流的产生，这样就可以和以前一样继续进一步减小Gate宽度。
[0004]FinFET的栅极形状为影响半本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括以下步骤：在衬底上形成凸出的鳍片；形成覆盖在所述鳍片上方以及所述衬底上方的虚设栅极层；对所述虚设栅极层执行离子植入工艺，所植入的离子为P型掺杂离子或N型掺杂离子；对经离子植入后的所述虚设栅极层执行退火工艺，以形成所植入离子由所述虚设栅极层的表面向内部变化的浓度分布；对所述虚设栅极层执行蚀刻工艺，以形成虚设栅极结构；利用栅极结构来替换所述虚设栅极结构。2.根据权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述蚀刻工艺为干法蚀刻工艺，N型掺杂后的蚀刻速率＞未掺杂的蚀刻速率＞P型掺杂后的蚀刻速率。3.根据权利要求2所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，经所述蚀刻工艺后形成的所述虚设栅极结构的截面为倒梯形。4.根据权利要求3所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，在执行所述离子植入工艺时，所植入的离子为P型掺杂离子，通过所述退火工艺控制所述P型掺杂离子的浓度由所述虚设栅极层的表面向内部递减。5.根据权利要求4所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述虚设栅极层的厚度为60～150nm，所述离子植入工艺采用硼离子束，所述硼离子束的能量为5～10kev，所植入深度为20～40nm。6....

【专利技术属性】
技术研发人员：黄任生，杨列勇，颜天才，任佳栋，
申请(专利权)人：青岛物元技术有限公司，
类型：发明
国别省市：