光罩、光罩的制作方法及使用该光罩的图案形成方法技术

本发明专利技术属于半导体制作方法技术领域。本发明专利技术提出一种光罩、光罩的制作方法及使用该光罩的图案形成方法，该光罩包括：基板；线条图案，其间隔形成于基板之上；基板具有透光区域，透光区域位于每两个相邻的线条图案之间；透光区域具有靠近其中一线条图案的第一侧，和靠近另一线条图案的第二侧；透光区域包括：第一相位移区域，其位于透光区域第一侧；第二相位移区域，其位于透光区域第二侧；其中，第一相位移区域和第二相位移区域的相位差为180

【技术实现步骤摘要】
光罩、光罩的制作方法及使用该光罩的图案形成方法


[0001]本专利技术属于半导体制作方法
，尤其涉及一种光罩、光罩的制作方法及使用该光罩的图案形成方法。

技术介绍

[0002]随着半导体器件集成化程度越来越高，电路图案的尺寸也越来越小，这就要求电路图案边缘清晰度更高。在形成电路图案时，曝光光线透过光罩将电路图案显影在基材上，光罩图形的透光边缘会有光线透出, 产生光强，增强了背景光,影响背景光与透射光的对比度，最终成像的光强度需要减去从边缘透过的光强度, 造成成像图形的光强度减小，图形成像的质量降低。这种光罩的曝光效果不佳, 成像品质不好, 造成聚焦深度（DOF）及导线微距均匀度（CD uniformity）不佳。

技术实现思路

[0003]为克服现有技术中光罩的成像质量低的缺陷，本专利技术提供一种光罩。
[0004]本专利技术采用的技术方案为：一种光罩，包括：基板；线条图案，所述线条图案间隔形成于所述基板之上；所述基板具有透光区域，所述透光区域位于每两个相邻的所述线条图案之间；所述透光区域具有靠近其中一所述线条图案的第一侧，和靠近另一所述线条图案的第二侧；所述透光区域包括：第一相位移区域，其位于所述透光区域第一侧；第二相位移区域，其位于所述透光区域第二侧；其中，所述第一相位移区域和所述第二相位移区域的相位差为180
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[0005]在本申请其中一些实施例中，所述线条图案由不透光材质形成。
[0006]在本申请其中一些实施例中，所述线条图案为金属材质。<br/>[0007]在本申请其中一些实施例中，所述第一相位移区域或所述第二相位移区域是通过刻蚀所述基板而形成的。
[0008]在本申请其中一些实施例中，所述的光罩还包括：掩膜层，其形成于所述线条图案上。
[0009]本申请还提供一种光罩的制作方法，包括以下步骤：在基板上形成遮光层；在所述遮光层上形成图案化的第一掩膜层；以所述第一掩膜层作为掩膜，进行刻蚀处理，移除部分所述遮光层，形成多个线条图案，并使得位于每两条相邻所述线条图案之间的基板成为透光区域；所述透光区域具有
靠近其中一所述线条图案的第一侧，和靠近另一所述线条图案的第二侧；在所述透光区域上形成图案化的第二掩膜层；以所述第二掩膜层作为掩膜，进行刻蚀处理，移除所述透光区域位于第一侧或第二侧的部分，使得所述透光区域形成第一相位移区域和第二相位移区域；其中，所述第一相位移区域和所述第二相位移区域的相位差为180
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[0010]在本申请其中一些实施例中，所述遮光层为金属材质。
[0011]在本申请其中一些实施例中，所述第一掩膜层和所述第二掩膜层为光刻胶。
[0012]在本申请其中一些实施例中，所述的光罩的制作方法还包括：移除所述第一掩膜层和所述第二掩膜层；形成掩模保护膜，其覆盖所述线条图案、所述第一相位移区域和所述第二相位移区域。
[0013]本申请还提供一种图案形成方法，是使用前文所述的光罩的方法，包括以下步骤：在衬底上形成抗蚀膜；介于所述光罩对所述抗蚀膜照射曝光光线；对已照射了所述曝光光线的所述抗蚀膜进行显像，形成抗蚀图案。
[0014]与现有技术相比，本专利技术的优点和积极效果在于：本申请提供的光罩，透光区域分为第一相位移区域和第二相位移区域，两者具有相位差180度，因而在图形边缘的光具有不同的相位，两种相位的光叠加之后产生，光强度趋近于零，因此产生的背景光强度趋近于0，增大了图形与背景的对比度，提高曝光成像的品质。
附图说明
[0015]图1为现有技术中光罩各个位置光强度示意图；图2为本专利技术一实施例中光罩的结构示意图；图3为本专利技术另一实施例中光罩的结构示意图；图4为本专利技术一实施例中光罩的制作方法的步骤剖面示意图1；图5为本专利技术一实施例中光罩的制作方法的步骤剖面示意图2；图6为本专利技术一实施例中光罩的制作方法的步骤剖面示意图3；图7为本专利技术一实施例中光罩的制作方法的步骤剖面示意图4；图8为本专利技术一实施例中光罩各个位置光强度示意图；图中：100、基板；200、线条图案；210、遮光层；300、透光区域；301、第一侧；302、第二侧；310、第一相位移区域；320、第二相位移区域；400、掩模保护膜；500、第一掩膜层；600、第二掩膜层。
具体实施方式
[0016]下面将对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范
围。
[0017]术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。
[0018]此外，本申请实施例中的术语“和/或”仅描述了关联对象之间的关联关系，并且表示可以存在三种关系。例如，A和/或B可以表示以下三种情况：只有A存在，A和B都存在，只有B存在。此外，本规范中的字符“/”通常表示关联对象之间的“或”关系。
[0019]以下仅为本申请的具体实施方式，但本申请的保护范围并不局限于此，任何熟悉本
的技术人员在本申请揭露的技术范围内，可轻易想到变化或替换，都应涵盖在本申请的保护范围之内。
[0020]请参考图2，本申请一实施例提供一种光罩，包括：基板100；线条图案200，线条图案200间隔形成于基板100之上；基板100具有透光区域300，透光区域300位于每两个相邻的线条图案200之间；透光区域300具有靠近其中一线条图案的第一侧301，和靠近另一线条图案的第二侧302；透光区域300包括：第一相位移区域310，其位于透光区域第一侧301；第二相位移区域320，其位于透光区域第二侧302；其中，第一相位移区域310和第二相位移区域320的相位差为180
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[0021]本申请提供的光罩，透光区域300分为第一相位移区域310和第二相位移区域320，两者具有相位差180
°
，因而在线条图案200边缘的光具有不同的相位，两种相位的光叠加之后产生，对线条图案产生影响的光强度趋近于零，因此产生的背景光强度趋近于0，增大了线条图案与背景的对比度，提高曝光成像的品质。高品质的成像使得电路图案边缘清晰度更高，使电路图案的尺寸能够进一步缩小，进而使半导体器件集成化程度再提高成为可能。
[0022]基板100可例如是透明基板，透明基板的材料可例如是石英玻璃、聚合物或其他合适的透明材料。假设基板100为透明的，入射光穿透基板100时是完全透射并且不会产生任何相位移。入射光穿透本实施例的第一相位移区域和第二相位移区域时，可透射几乎100%的入射光，并且产生具有180
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的相位差的两部分。当然，基板还可以选择其他透射率的材料，例如，基板的透射率可介于18％至30％之间。本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种光罩，其特征在于，包括：基板；线条图案，所述线条图案间隔形成于所述基板之上；所述基板具有透光区域，所述透光区域位于每两个相邻的所述线条图案之间；所述透光区域具有靠近其中一所述线条图案的第一侧，和靠近另一所述线条图案的第二侧；所述透光区域包括：第一相位移区域，其位于所述透光区域第一侧；第二相位移区域，其位于所述透光区域第二侧；其中，所述第一相位移区域和所述第二相位移区域的相位差为180
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。2.根据权利要求1所述的光罩，其特征在于，所述线条图案由不透光材质形成。3.根据权利要求2所述的光罩，其特征在于，所述线条图案为金属材质。4.根据权利要求1所述的光罩，其特征在于，所述第一相位移区域或所述第二相位移区域是通过刻蚀所述基板而形成的。5.根据权利要求1所述的光罩，其特征在于，还包括：掩膜层，其形成于所述线条图案上。6.一种光罩的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：在基板上形成遮光层；在所述遮光层上形成图案化的第一掩膜层；以所述第一掩膜层作为掩膜，进行刻蚀处理，移除部分所述遮光层，形成多个线条图案，并使得...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄永发，邱杰振，颜天才，
申请(专利权)人：青岛物元技术有限公司，
类型：发明
国别省市：