光罩、光罩的制作方法及使用该光罩的图案形成方法技术

本发明专利技术属于半导体制作方法技术领域。本发明专利技术提出一种光罩、光罩的制作方法及使用该光罩的图案形成方法，该光罩包括：基板；线条图案，其间隔形成于基板之上；基板具有透光区域，透光区域位于每两个相邻的线条图案之间；透光区域具有靠近其中一线条图案的第一侧，和靠近另一线条图案的第二侧；透光区域包括：第一相位移区域，其位于透光区域第一侧；第二相位移区域，其位于透光区域第二侧；其中，第一相位移区域和第二相位移区域的相位差为180

【技术实现步骤摘要】
光罩、光罩的制作方法及使用该光罩的图案形成方法


[0001]本专利技术属于半导体制作方法
，尤其涉及一种光罩、光罩的制作方法及使用该光罩的图案形成方法。

技术介绍

[0002]随着半导体器件集成化程度越来越高，电路图案的尺寸也越来越小，这就要求电路图案边缘清晰度更高。在形成电路图案时，曝光光线透过光罩将电路图案显影在基材上，光罩图形的透光边缘会有光线透出, 产生光强，增强了背景光,影响背景光与透射光的对比度，最终成像的光强度需要减去从边缘透过的光强度, 造成成像图形的光强度减小，图形成像的质量降低。这种光罩的曝光效果不佳, 成像品质不好, 造成聚焦深度（DOF）及导线微距均匀度（CD uniformity）不佳。

技术实现思路

[0003]为克服现有技术中光罩的成像质量低的缺陷，本专利技术提供一种光罩。
[0004]本专利技术采用的技术方案为：一种光罩，包括：基板；线条图案，所述线条图案间隔形成于所述基板之上；所述基板具有透光区域，所述透光区域位于每两个相邻的所述线条图案之间；所述透光区域具有靠近其中一所述线条图案本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种光罩，其特征在于，包括：基板；线条图案，所述线条图案间隔形成于所述基板之上；所述基板具有透光区域，所述透光区域位于每两个相邻的所述线条图案之间；所述透光区域具有靠近其中一所述线条图案的第一侧，和靠近另一所述线条图案的第二侧；所述透光区域包括：第一相位移区域，其位于所述透光区域第一侧；第二相位移区域，其位于所述透光区域第二侧；其中，所述第一相位移区域和所述第二相位移区域的相位差为180
°
。2.根据权利要求1所述的光罩，其特征在于，所述线条图案由不透光材质形成。3.根据权利要求2所述的光罩，其特征在于，所述线条图案为金属材质。4.根据权利要求1所述的光罩，其特征在于，所述第一相位移区域或所述第二相位移区域是通过刻蚀所述基板而形成的。5.根据权利要求1所述的光罩，其特征在于，还包括：掩膜层，其形成于所述线条图案上。6.一种光罩的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：在基板上形成遮光层；在所述遮光层上形成图案化的第一掩膜层；以所述第一掩膜层作为掩膜，进行刻蚀处理，移除部分所述遮光层，形成多个线条图案，并使得...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄永发，邱杰振，颜天才，
申请(专利权)人：青岛物元技术有限公司，
类型：发明
国别省市：