相移掩模及触摸屏传感器制造技术

本申请适用于光刻技术领域，提出一种相移掩模，包括：基材层；遮光层，设于所述基材层上，所述遮光层包括交叉连接设置的多条遮光金属线，每条遮光金属线内设有沿其长度方向延伸的第一镂空区；相移层，叠设于所述遮光金属线上，所述相移层用于对透射光赋予相位差。本申请还提出了一种触摸屏传感器。本申请能够降低金属网格结构中的节点面积，改善节点可见的问题。改善节点可见的问题。改善节点可见的问题。

【技术实现步骤摘要】
相移掩模及触摸屏传感器


[0001]本申请涉及光刻领域，尤其涉及一种相移掩模及触摸屏传感器。

技术介绍

[0002]现有的金属网格结构触摸屏，是采用银、铜、含银或铜的金属合金等金属材料制作多条交叉和平行设置的金属电极线，以形成金属网格形状的触摸电极。由于金属电极线不透明，导致线条可见，尤其是节点位置。一般来说，线条宽度设置在3～5μm(微米)时，节点的长度、宽度均在10～12μm，人眼清晰可见。

技术实现思路

[0003]有鉴于此，本申请提供了一种相移掩模及触摸屏传感器，以降低节点面积，改善金属网格结构中节点可见的问题。
[0004]本申请的第一方面提出一种相移掩模，包括：
[0005]基材层；
[0006]遮光层，设于所述基材层上，所述遮光层包括交叉连接设置的多条遮光金属线，每条遮光金属线内设有沿其长度方向延伸的第一镂空区；
[0007]相移层，叠设于所述遮光金属线上，所述相移层用于对透射光赋予相位差。
[0008]在一实施例中，所述相移层的边界与所述遮光金属线的边界重合或设于所述遮光金属线内部；所述相移层的厚度满足d＝Nλ/2(n
‑
1)，N为正整数，d为所述相移层的厚度，λ为曝光波长，n为所述相移层的折射率；所述相移层的透过率为10％～90％，相移偏转角度是λ/2的整数倍。
[0009]在一实施例中，所述遮光层为黑色薄膜且所述遮光层的材质包括铬以及铬的氧化物、碳化物、氮化物、碳氧化物、氮氧化物中的一种或多种，所述相移层的材质包括金属氧化物、金属氮化物、金属氮氧化物、金属碳化物、金属合金氧化物、金属合金氮化物、金属合金氮氧化物、金属合金碳化物中的一种或多种。
[0010]在一实施例中，所述遮光层中的遮光金属线构成多个第一网格单元，且若干相邻的所述第一网格单元交叉于第一节点；所述遮光金属线的线宽为5μm～10μm，所述第一镂空区的宽度为1μm～4μm且所述第一镂空区设于所述遮光金属线的中部。
[0011]在一实施例中，所述遮光金属线由所述第一镂空区分隔为两条子线，四条所述遮光金属线中的一条子线相交于所述第一节点。
[0012]在一实施例中，所述第一节点的长度为4μm～6μm，所述第一节点与每个所述子线之间具有相等的第一夹角，所述第一夹角为90～150度；两条相邻的所述子线垂直相交。
[0013]在一实施例中，三条所述遮光金属线相交于所述节点并形成两个第二夹角和两个第三夹角，所述第二夹角为90度～150度，所述第三夹角为30度～90度。
[0014]在一实施例中，三条相交的所述遮光金属线中，两条所述遮光金属线的第一镂空区相互远离的侧边之间的垂直距离为6μm～20μm。
[0015]本申请的第二方面提出一种触摸屏传感器，所述触摸屏传感器采用如第一方面所述的相移掩模进行制作，所述触摸屏传感器包括多个相互连接的第二网格单元；所述第二网格单元包括交叉连接设置的多条金属电极线，若干相邻的所述第二网格单元交叉于第二节点。
[0016]本申请提供的相移掩模包括遮光层和相移层，遮光层包括交叉连接设置的多条遮光金属线，每条遮光金属线内设有沿遮光金属线的长度方向延伸的第一镂空区；相移层叠设在遮光金属线上。在曝光时，第一镂空区形成为暗区，能够形成对应宽度的金属电极线，从而利用相移掩模所制作的触摸屏传感器在节点处具有较窄的线宽和较小的节点面积，降低了节点的面积和可见性。
[0017]本申请提供的触摸屏传感器中，在节点的位置具有较小的遮光面积，从而降低了目视的可见性，提升了触摸屏的显示效果和品质。
附图说明
[0018]为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0019]图1为本申请一实施例提供的相移掩模的局部示意图；
[0020]图2为图1所示的相移掩模中遮光金属层的局部示意图；
[0021]图3为另一实施例提供的相移掩模的局部示意图；
[0022]图4为图3所示的相移掩模中遮光金属层的局部示意图；
[0023]图5中的(a)为现有技术中一种触摸传感器的局部示意图；
[0024]图5中的(b)为图1所示的相移掩模所制作的触摸传感器的局部示意图；
[0025]图5中的(c)为图2所示的相移掩模所制作的触摸传感器的局部示意图；
[0026]图6为本申请实施例提供的包含触摸传感器的触摸屏的示意图；
[0027]图7为本申请实施例提供的触摸屏的结构示意图；
[0028]图8为本申请实施例提供的触摸屏的制作方法的流程图。
[0029]图中标记的含义为：
[0030]1、触摸屏；2、基板；3、第一触摸电极层；4、绝缘层；5、第二触摸电极层；6、保护层；7、第二网格单元；100、相移掩模；10、遮光层；11、遮光金属线；111、第一镂空区；112、子线；12、第一节点；20、相移层。
具体实施方式
[0031]为了使本申请的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图即实施例，对本申请进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅用以解释本申请，并不用于限定本申请。
[0032]需说明的是，当部件被称为“固定于”或“设置于”另一个部件，它可以是直接或者间接在该另一个部件上。当一个部件被称为是“连接于”另一个部件，它可以是直接或者间接连接至该另一个部件上。术语“上”、“下”、“左”、“右”等指示的方位或位置关系为基于附
图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对专利的限制。术语“第一”、“第二”仅用于便于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明技术特征的数量。“多个”的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。
[0033]为了说明本申请所述的技术方案，下面结合具体附图及实施例来进行说明。
[0034]本申请第一方面的实施例提供一种相移掩模(Phase Shift Mask，PSM)，用于光刻制程，以下实施例以制作触摸屏传感器为例进行说明，但不限于此，相移掩模也可用于制作半导体显示器、MINILED等。
[0035]请参照图1和图2，在一实施例中，相移掩模100包括基材层(图未示)、遮光层10和相移层20。图1示意了相移掩模100中的遮光层10和相移层20，图2示意了遮光层10，且图1、图2均为相移掩模100在节点区域的局部示意图。
[0036]遮光层10设于基材层上，遮光层10包括交叉连接设置的多条遮光金属线11，每条遮光金属线11内设有沿遮光金属线11的长度方向延伸的第一镂空区111；相移层20叠设在遮光金属线11上，相移层20至少覆盖第一镂空本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种相移掩模，其特征在于，包括：基材层；遮光层，设于所述基材层上，所述遮光层包括交叉连接设置的多条遮光金属线，每条遮光金属线内设有沿其长度方向延伸的第一镂空区；相移层，叠设于所述遮光金属线上，所述相移层用于对透射光赋予相位差。2.如权利要求1所述的相移掩模，其特征在于，所述相移层的边界与所述遮光金属线的边界重合或设于所述遮光金属线内部；所述相移层的厚度满足d＝Nλ/2(n
‑
1)，N为正整数，d为所述相移层的厚度，λ为曝光波长，n为所述相移层的折射率；所述相移层的透过率为10％～90％，相移偏转角度是λ/2的整数倍。3.如权利要求1或2所述的相移掩模，其特征在于，所述遮光层为黑色薄膜且所述遮光层的材质包括铬以及铬的氧化物、碳化物、氮化物、碳氧化物、氮氧化物中的一种或多种，所述相移层的材质包括金属氧化物、金属氮化物、金属氮氧化物、金属碳化物、金属合金氧化物、金属合金氮化物、金属合金氮氧化物、金属合金碳化物中的一种或多种。4.如权利要求1或2所述的相移掩模，其特征在于，所述遮光层中的遮光金属线构成多个第一网格单元，且若干相邻的所述第一网格单元交叉于第一节点；所述遮光金属线的线宽为5μm...

【专利技术属性】
技术研发人员：古海裕，刘威，李金军，李威，唐少拓，
申请(专利权)人：深圳莱宝高科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：