光掩模坯制造技术

本发明专利技术涉及光掩模坯，其包含透明衬底和含铬膜。所述含铬膜由一个或多个铬化合物层构成，铬化合物层由包含Cr、N和可选的O的铬化合物形成，并且具有如下组成：Cr含量≥30at％，Cr+N+O总含量≥93at％，且满足式：3Cr≤2O+3N。满足第一组成的铬化合物层的厚度在所述含铬膜的总厚度的大于70％～100％的范围内，所述第一组成是：N/Cr原子比≥0.95，Cr含量≥40at％，Cr+N总含量≥80at％，O含量≤10at％。O含量≤10at％。

【技术实现步骤摘要】
光掩模坯
[0001]本专利技术是申请号为201610791249.8、申请日为2016年08月31日、专利技术名称为“光掩模坯”的专利技术申请的分案申请。


[0002]本专利技术涉及一种加工成适于用波长250nm以下的曝光光进行图案转印的光掩模的光掩模坯。

技术介绍

[0003]出于如微电子器件高操作速度和节约能耗的目的，大型集成电路向更高集成度的挑战仍在继续。为满足持续增长的对于电路图案缩微的需求，先进的半导体微处理技术变得重要。例如，构成电路的线路图的缩微技术和用于构成单元的层间连接的接触孔图案的缩微技术变得必要。
[0004]先进的微处理技术依赖于使用光掩模的光蚀刻技术。像光刻系统和抗蚀剂材料一样，光掩模是微型化技术的一个重要领域。为了得到具有细径线路图或细径接触孔图案的光掩模，而致力于开发在光掩模坯上形成更细微和更精确的图案的技术。
[0005]为了在光掩模衬底上形成高精度光掩模图案，首要任务是在光掩模坯上以高精度将抗蚀剂膜构图。因为对半导体衬底进行微处理的光蚀刻采用收缩投影，在光掩模上形成的图案尺寸是在半导体本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.光掩模坯，其被加工成适于使用波长250nm以下的曝光光进行图案转印的光掩模，该光掩模坯包含透明衬底和含铬膜，所述含铬膜直接设置在所述衬底上，其中，所述含铬膜由一个铬化合物层或至少两个铬化合物层构成，每个铬化合物层由包含铬和氮或包含铬、氮和氧的铬化合物形成，并且具有如下共同组成：铬含量为至少30at％，铬、氮和氧的总含量为至少93at％，且满足式(1)，3Cr≤2O+3N
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(1)其中，Cr是铬含量(at％)，O是氧含量(at％)，N是氮含量(at％)，当所述含铬膜由一个铬化合物层构成时，所述铬化合物层满足第一组成：氮/铬的原子比为至少0.95，铬含量为至少40at％，铬和氮的总含量为至少80at％，氧含量为10at％以下，当所述含铬膜由至少两个铬化合物层构成时，所述铬化合物层包含至少一个满足第一组成的铬化合物层，所述第一组成是，氮/铬的原子比为至少0.95，铬含量为至少40at％，铬和氮的...

【专利技术属性】
技术研发人员：笹本纮平，稻月判臣，
申请(专利权)人：信越化学工业株式会社，
类型：发明
国别省市：