本申请属于半导体技术领域，尤其涉及一种鳍式场效应晶体管阻隔结构的形成方法及半导体元件，该形成方法包括：在硅衬底上形成条状鳍片和伪多晶硅栅极；在条状鳍片上形成源极和漏极；沉积层间介质层并进行第一平坦化；依次沉积硬掩膜层和光刻胶层，在硬掩膜...

本实用新型涉及芯片加工技术领域，提供一种光刻胶边缘去胶设备。包括喷射清洗溶液的喷嘴结构，喷嘴结构的喷嘴座包括外圈喷嘴座和内圈喷嘴座，内圈喷嘴座安装在外圈喷嘴座的内部，且可相对外圈喷嘴座转动；外圈喷嘴座上具有若干个喷嘴安装位，内圈喷嘴座具...

本申请提出一种鳍式场效应晶体管阻隔结构的形成方法及半导体元件，该形成方法，包括以下步骤：在硅衬底上形成条状鳍片和伪多晶硅栅极；在条状鳍片上形成源极和漏极；沉积层间介质层并进行第一平坦化，以露出伪多晶硅栅极的顶部；刻蚀伪多晶硅栅极以去除伪...

本发明提供一种光刻胶材料及其应用。该光刻胶材料包括化学放大光刻胶及加入化学放大光刻胶中的iLine PAC。将该光刻胶材料应用于193nm或248nm的光刻工艺中，可以增加曝光后的光酸总量，在后续显影过程中实现与显影液的酸碱中和，避免产...

本申请涉及一种金属互连结构的形成方法、金属互连结构及半导体器件，其中，该形成方法包括：提供一层间介质层，用于形成所需金属互连结构；在所述层间介质层蚀刻形成金属互连所需的沟槽和通孔；在所述通孔内至少部分地沉积填充钨，形成无阻挡层的钨塞；沿...

本发明公开了一种提升晶圆边缘不完整区域套刻精度的方法，对于晶圆边缘每一个不完整区域取出数个量测点，并在与该不完整区域相邻的两个区域内各取数个量测点，使得总的量测点数量超过13个，然后利用上述所有取出的量测点的套刻数据进行高阶拟合运算，得...

本发明涉及集成电路技术领域，提供一种套刻标记结构及套刻偏移检测方法。呈三角形结构的第一套刻标记图形和第二套刻标记图形；第一套刻标记图形和第二套刻标记图形形成在晶圆衬底的不同层，且，所述第一套刻标记图形的投影面积位于所述第二套刻标记图形投...

本发明提出一种硅通孔的形成方法、半导体元件的形成方法及半导体元件，在基底中形成第一阻挡层、第二阻挡层、第三阻挡层，并去除第二阻挡层形成气隙间。本申请提供的硅通孔的形成方法，其具有气隙间，该方法一方面保留硅通孔中阻挡层与导电层的接触关系；...

本发明提供一种光刻极限应力的确定方法及改善光刻工艺质量的方法，属于半导体制造技术领域。光刻极限应力的确定方法包括以下步骤：确定测试图案；提供多个已被执行光刻前工序的晶圆；测量各晶圆的中心到边缘的应力值；将测试图案形成于最小应力值位置和最...

本发明属于半导体制作方法技术领域。本发明提出一种光罩、光罩的制作方法及使用该光罩的图案形成方法，该光罩包括：基板；线条图案，其间隔形成于基板之上；基板具有透光区域，透光区域位于每两个相邻的线条图案之间；透光区域具有靠近其中一线条图案的第...

本申请提供一种半导体结构的形成方法及半导体结构。半导体结构的形成方法包括以下步骤：在衬底上形成凸出的鳍片；形成覆盖在鳍片上方以及衬底上方的虚设栅极层；对虚设栅极层执行离子植入工艺，所植入的离子为P型掺杂离子或N型掺杂离子；对经离子植入后...

本发明涉及半导体技术领域，提供一种晶圆到晶圆封装位移检测结构及位移补偿方法。在第一晶圆和第二晶圆的各维度上对应设置标记组，每个标记组包括两行导电标块。记块，通过相互对应的两个导电块之间的电阻，可判断晶圆和晶圆之间的位移方向和位移偏差。封...

本发明提出一种晶圆接合方法及半导体器件，该方法通过在第一晶圆的金属连接层区域形成第一凹陷区；在第一凹陷区内沉积一粘附层；然后将第一晶圆和第二晶圆接合形成晶圆堆叠；接着，进行升温键结和降温退火工艺，使第一晶圆和第二晶圆形成金属键键合。本申...

本发明提出一种半导体元件的形成方法，包括：提供一基底；在所述基底上形成一介电层，其中所述介电层内形成有一第一栅极沟槽；所述第一栅极沟槽内形成有第一介质层以及第一高介电常数介电层；对所述第一高介电常数介电层进行第一退火工艺；在所述第一栅极...

本申请涉及半导体器件制造技术领域，特别是涉及半导体封装结构形成方法及半导体封装结构，其中，该形成方法包括：连接层形成步骤，提供氧化物层，所述氧化物层上形成有连接层，所述氧化物层包括对准标记、测量标记及金属块；标记初对准步骤，图案化所述连...

本发明提供一种半导体器件的制作方法及半导体器件。该制作方法,通过在基底层上加工鳍结构，在鳍结构外加工围绕鳍结构的氧化物层，使鳍结构伸出至氧化物层表面外，以及，在氧化物层表面、鳍结构之间加工伪多晶硅栅极，在相邻的伪多晶硅栅极之间，氧化物层...

本发明涉及一种非晶硅在晶圆上芯片中作为芯片之间填充材料的应用、晶圆上芯片的形成方法及晶圆上芯片。其中，晶圆上芯片的形成方法，包括以下步骤：提供待接合的晶圆以及多个芯片；执行接合工艺，在所述晶圆之上接合所述多个芯片且在所述多个芯片之间形成...

本发明涉及一种半导体装置的制造方法及半导体装置。半导体装置的制造方法包括以下步骤：在半导体基底上形成栅极沟槽；在栅极沟槽内形成栅极电介质；在栅极电介质之上填充多晶硅至高于栅极沟槽的表面；利用化学机械研磨工艺进行平坦化至露出栅极沟槽的开口...

本发明公开了一种SOI晶圆的制备方法及SOI晶圆，制备方法包括：晶圆准备步骤：提供一第一晶圆及一第二晶圆；研磨停止层制作步骤：通过向第二晶圆植入一介质后在第二晶圆中成型一具有介质的研磨停止层；半成品晶圆制作步骤：将第二晶圆与第一晶圆粘结...

本发明公开了一种半导体结构及其形成方法、以及电子元器件，上述的半导体结构的形成方法包括：提供一半导体衬底，在半导体衬底的表面上形成一包括SOG材料层、SiON材料层与SOC材料层的掩膜层；在掩膜层的表面上形成光刻胶层。本发明在光刻胶与硅...