半导体元件的形成方法技术

本发明专利技术提出一种半导体元件的形成方法，包括：提供一基底；在所述基底上形成一介电层，其中所述介电层内形成有一第一栅极沟槽；所述第一栅极沟槽内形成有第一介质层以及第一高介电常数介电层；对所述第一高介电常数介电层进行第一退火工艺；在所述第一栅极沟槽内进行一第一阈值电压掺杂制作工艺；在所述第一栅极沟槽内形成第一栅极。该半导体元件的形成方法，在高介电常数介电层形成之后对沟道区域进行阈值电压掺杂制作工艺注入离子，可以减少高介电常数介电层退火工艺的热效应对离子扩散的影响。影响。影响。

【技术实现步骤摘要】
半导体元件的形成方法


[0001]本专利技术属于半导体制作方法
，尤其涉及一种半导体元件的形成方法。

技术介绍

[0002]随着MOS晶体管特征尺寸越来越小，为了增大饱和电流，必须要调低阈值电压。阈值电压的影响因素主要有：栅极氧化层中正电荷密度，衬底掺杂浓度，介质介电常数，栅极材料与衬底的功函数之差等。目前，业界常利用金属栅极来取代多晶硅栅极作为控制电极，与高介电常数的栅极介电层匹配，同时通过离子注入调整晶体管的阈值电压，但是通过离子注入方式调节阈值电压时，由于后续工艺不可控的干扰，获得的半导体其阈值电压往往不能达到预期。

技术实现思路

[0003]为克服现有技术其中一缺陷，本专利技术提供一种半导体元件形成方法。
[0004]本专利技术采用的技术方案为：
[0005]一种半导体元件的形成方法，包括：
[0006]提供一基底；
[0007]在所述基底上形成一介电层，其中所述介电层内形成有一第一栅极沟槽；
[0008]所述第一栅极沟槽内形成有第一介质层以及第一高介电常数介电层；
本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体元件的形成方法，其特征在于，包括：提供一基底；在所述基底上形成一介电层，其中所述介电层内形成有一第一栅极沟槽；所述第一栅极沟槽内形成有第一介质层以及第一高介电常数介电层；对所述第一高介电常数介电层进行第一退火工艺；在所述第一栅极沟槽内进行一第一阈值电压掺杂制作工艺；在所述第一栅极沟槽内形成第一栅极。2.根据权利要求1所述的半导体元件的形成方法，其特征在于，在所述第一阈值电压掺杂制作工艺之后，进行第二退火工艺。3.根据权利要求2所述的半导体元件的形成方法，其特征在于，在所述第一退火工艺之前，在所述第一高介电常数介电层上沉积一层阻挡层。4.根据权利要求3所述的半导体元件的形成方法，其特征在于：在所述阻挡层上形成一高介电常数介电层保护层；在所述第二退火工艺之后移除所述高介电常数介电层保护层。5.根据权利要求1所述的半导体元件的形成方法，其特征在于：在该基底上形成一第一虚置栅极结构，其中，所述第一虚置栅极结构包含所述第一介质层及一虚置栅极；移除所述第一虚置栅极结构的所述虚置栅极，以形成所述第一栅极沟槽。6.根据权利要求5所述的半导体元件的形成方法，其特征在于，在该基底上形成一鳍状结构，其中所述第一虚置栅极结构是形成在所述鳍状结构上。7.根据权利要求4所述的半导体元件的形成方法，其特征在于，还包括：在所述第二退火工艺之后，在所述第一栅极形成之前，在所述第一栅极沟槽内形成有至少一个第一功函数层。8.一种半导体元件的形...

【专利技术属性】
技术研发人员：颜天才，杨列勇，
申请(专利权)人：青岛物元技术有限公司，
类型：发明
国别省市：