一种沟槽型功率器件结构及其制作方法技术

本发明专利技术公开了一种沟槽型功率器件结构及其制作方法，所述方法包括：提供半导体衬底；在半导体衬底上形成具有第一导电类型的外延层；在外延层中形成沟槽；对沟槽的底部执行第一离子注入，注入具有第二导电类型的离子，以在沟槽的底部下方的外延层中形成第二导电类型掺杂区；对沟槽的底部执行第二离子注入，注入具有第一导电类型的离子，以在沟槽的底部下方的外延层中形成第一导电类型掺杂区；其中，第二导电类型掺杂区的深度大于第一导电类型掺杂区的深度，第一导电类型掺杂区用于隔离第二导电类型掺杂区与沟槽。根据本发明专利技术提供的沟槽型功率器件结构及其制作方法，通过第一导电类型掺杂区将第二导电类型掺杂区与沟槽隔离，进而提高了沟槽型功率器件结构的耐压。提高了沟槽型功率器件结构的耐压。提高了沟槽型功率器件结构的耐压。

【技术实现步骤摘要】
一种沟槽型功率器件结构及其制作方法


[0001]本专利技术涉及半导体领域，具体而言涉及一种沟槽型功率器件结构及其制作方法。

技术介绍

[0002]SGT(Shield Gate Trench，屏蔽栅沟槽)MOSFET是一种新型的功率半导体器件，具有传统深沟槽MOSFET的低导通损耗的优点，同时具有更加低的开关损耗。SGT MOSFET作为开关器件应用于新能源电动车、新型光伏发电、节能家电等领域的电机驱动系统、逆变器系统及电源管理系统，是核心功率控制部件。
[0003]SGT MOSFET的耐压能力是表征器件性能的关键参数，该结构的耐压主要由场板承担,但传统的SGT无法在保证更好耐压的同时降低导通电阻(Ron)。

技术实现思路

[0004]在
技术实现思路
部分中引入了一系列简化形式的概念，这将在具体实施方式部分中进一步详细说明。本专利技术的
技术实现思路
部分并不意味着要试图限定出所要求保护的技术方案的关键特征和必要技术特征，更不意味着试图确定所要求保护的技术方案的保护范围。
[0005]本专利技术提供一种沟槽型功率器件本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种沟槽型功率器件结构的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：提供半导体衬底；在所述半导体衬底上形成具有第一导电类型的外延层；在所述外延层中形成沟槽；对所述沟槽的底部执行第一离子注入，注入具有第二导电类型的离子，以在所述沟槽的底部下方的所述外延层中形成第二导电类型掺杂区；对所述沟槽的底部执行第二离子注入，注入具有第一导电类型的离子，以在所述沟槽的底部下方的所述外延层中形成第一导电类型掺杂区；其中，所述第二导电类型掺杂区的深度大于所述第一导电类型掺杂区的深度，所述第一导电类型掺杂区用于隔离所述第二导电类型掺杂区与所述沟槽。2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一离子注入的能量高于所述第二离子注入的能量，所述第一离子注入的离子浓度高于所述第二离子注入的浓度。3.如权利要求2所述的方法，其特征在于，所述第一离子注入的注入角度与所述半导体衬底的法线的夹角范围为0
°
～10
°
，所述第一离子注入的能量范围为300keV～500keV，所述第一离子注入的剂量范围为1E13atom/cm2～2E13atom/cm2。4.如权利要求2所述的方法，其特征在于，所述第二离子注入的注入角度与所述半导体衬底的法线的夹角范围为0
°
～10
°
，所述第二离子注入的能量范围为30keV～50keV，所述第二离子注入的剂量范围为2E12a...

【专利技术属性】
技术研发人员：安秋爽，徐承福，罗顶，
申请(专利权)人：绍兴中芯集成电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：