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本发明公开了一种沟槽型功率器件结构及其制作方法，所述方法包括：提供半导体衬底；在半导体衬底上形成具有第一导电类型的外延层；在外延层中形成沟槽；对沟槽的底部执行第一离子注入，注入具有第二导电类型的离子，以在沟槽的底部下方的外延层中形成第二导电...
该专利属于绍兴中芯集成电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过绍兴中芯集成电路制造股份有限公司授权不得商用。

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