制造电子器件的方法和垂直导电碳化硅电子器件技术

本公开的实施例涉及制造电子器件的方法和垂直导电碳化硅电子器件。为了制造垂直导电碳化硅电子器件，加工具有碳化硅衬底的工作晶片，该衬底具有工作面。由碳化硅衬底的工作面形成粗糙面。粗糙面具有高于阈值的粗糙度。在粗糙表面上沉积金属层并对金属层进行退火，从而使金属层与碳化硅衬底反应，形成具有多个硅化物突起部的硅化物层。化物突起部的硅化物层。化物突起部的硅化物层。

【技术实现步骤摘要】
制造电子器件的方法和垂直导电碳化硅电子器件


[0001]本公开涉及一种制造垂直导电碳化硅电子器件的方法和具有改善的机械稳定性的垂直导电碳化硅电子器件。

技术介绍

[0002]如已知的，碳化硅(SiC)电子器件，例如结势垒肖特基(JBS)二极管，合并引脚肖特基(MPS)二极管和MOSFET晶体管，具有比硅电子器件更好的性能，特别是对于其中采用高工作电压或其它特定工作条件(例如高温)的功率应用。
[0003]一种用于功率应用的碳化硅电子器件，以下称为功率器件，包括碳化硅主体，前金属区和后金属区。在使用中，电流可以流过前金属区和后金属区之间的碳化硅主体。
[0004]从具有前表面和后表面的碳化硅晶片获得功率器件是已知的，所述碳化硅晶片为其多种类型之一，例如3C－SiC，4H－SiC和6H－SiC。

技术实现思路

[0005]本公开提供了一种用于制造垂直导电碳化硅电子器件的并提供了一种垂直导电碳化硅电子器件。
附图说明
[0006]为了更好地理解本公开，现在参考附图描述非限制性实施例，其中：
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种用于制造垂直导电碳化硅电子器件的方法，所述方法包括：由碳化硅衬底的第一面形成粗糙面，所述粗糙面具有高于阈值的粗糙度；在所述粗糙面上沉积金属层；以及通过对所述金属层进行退火来形成硅化物层，所述硅化物层具有多个硅化物突起部。2.根据权利要求1所述的方法，其中所述阈值是所述粗糙面的粗糙度的均方根值，所述均方根值等于或高于30nm。3.根据权利要求1所述的方法，其中形成所述粗糙面包括从所述第一面减薄所述碳化硅衬底，从而形成具有所述粗糙面的减薄层。4.根据权利要求3所述的方法，其中形成所述粗糙面包括用研磨表面研磨所述碳化硅衬底的、位于所述第一面上的所述减薄层。5.根据权利要求4所述的方法，其中所述研磨表面的筛目尺寸在约1500至约500之间。6.根据权利要求3所述的方法，其中所述减薄层具有的厚度在约100μm至约250μm之间。7.根据权利要求1所述的方法，其中所述金属层具有接触面，并且对所述金属层进行退火包括用激光束对所述金属层的所述接触面进行激光退火。8.根据权利要求7所述的方法，其中所述激光束具有小于所述接触面的覆盖区，并且所述激光退火包括使用步进重复式扫描来利用所述激光束扫描整个接触面。9.根据权利要求7所述的方法，其中所述激光束在所述接触面上具有覆盖区，并且所述接触面的所述激光退火包括扫描所述接触面，使得所述接触面的两个相邻的被照射部分具有大约为零的相互重叠。10...

【专利技术属性】
技术研发人员：P，
申请(专利权)人：意法半导体股份有限公司，
类型：发明
国别省市：