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本公开的实施例涉及制造电子器件的方法和垂直导电碳化硅电子器件。为了制造垂直导电碳化硅电子器件，加工具有碳化硅衬底的工作晶片，该衬底具有工作面。由碳化硅衬底的工作面形成粗糙面。粗糙面具有高于阈值的粗糙度。在粗糙表面上沉积金属层并对金属层进行退...
该专利属于意法半导体股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过意法半导体股份有限公司授权不得商用。

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