一种半导体器件及其制备方法技术

本发明专利技术公开了一种半导体器件的制备方法，包括以下步骤：步骤S1、提供一半导体中间体，半导体中间体包含衬底以及形成于衬底上方的有源结构和栅极堆叠体；步骤S2、在栅极堆叠体的预设区域内，由栅极堆叠体的顶表面往衬底方向凹陷以形成第一开口；步骤S3、继续在栅极堆叠体的预设区域内，于第一开口下方继续凹陷以形成第二开口，其中，第一开口的宽度大于第二开口的宽度；步骤S4、在第一开口和第二开口内填充材料形成间隔结构，其中，间隔结构将连续的栅极堆叠体分隔为彼此并不连续的第一栅极堆叠体部分和第二栅极堆叠体部分。本发明专利技术在第一开口的基础上形成第二开口，缩短蚀刻窗口的深宽比，有利于提高端盖窗口的控制精确度以及降低控制难度。低控制难度。低控制难度。

【技术实现步骤摘要】
一种半导体器件及其制备方法


[0001]本专利技术涉及半导体
，尤其涉及一种半导体器件及其制备方法。

技术介绍

[0002]随着半导体集成电路产业的快速发展，器件的几何尺寸一直在逐渐缩小，而尺寸微缩加大了器件的内部结构复杂度以及加工难度。在晶体管的隔离制程中，往往需要将连续的栅极堆叠体截断并填充材料以形成隔离结构，从而实现多个晶体管的构造。
[0003]现有技术的隔离制程主要步骤如下：1)在栅极堆叠体中切割一部分以形成截断沟槽；2)在隔离沟槽中填充电绝缘材料以形成间隔结构。
[0004]由于器件尺寸微缩以及固定的栅极设计尺寸(CD，Critical Dimension)，导致间隔结构的切割控制(比如蚀刻制程的精度和均匀性)难度大大提高，只能在间隔结构尺寸和端盖(End Cap)尺寸之间多方衡量。
[0005]在隔离制程中，间隔沟槽一般是通过各向异性的蚀刻方式往器件深度方向推进，以形成侧壁垂直的沟槽。由于沟槽的高深宽比，为达到预期的尺寸，蚀刻过程容易出现：A.不完全去除，沟槽中残留有部分栅极材料，且留下的残留材料彼此本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体器件的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤S1、提供一半导体中间体，所述半导体中间体包含衬底以及形成于衬底上方的有源结构和栅极堆叠体；步骤S2、在所述栅极堆叠体的预设区域内，由栅极堆叠体的顶表面往衬底方向凹陷以形成第一开口；步骤S3、在栅极堆叠体的预设区域内，于所述第一开口下方继续凹陷以形成第二开口，其中，在栅极堆叠体的延伸方向上，所述第一开口的宽度大于所述第二开口的宽度；步骤S4、在所述第一开口和所述第二开口内填充材料形成间隔结构，其中，所述间隔结构将连续的栅极堆叠体分隔为彼此并不连续的第一栅极堆叠体部分和第二栅极堆叠体部分。2.根据权利要求1所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，所述步骤S3包括：步骤S31、在所述第一开口内形成抵接所述第一开口侧壁的侧墙；步骤S32、在形成侧墙的第一开口内继续往深度方向蚀刻栅极堆叠体，形成间隔栅极堆叠体的所述第二开口。3.根据权利要求2所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，在所述步骤S31中，在第一开口内以及所述栅极堆叠体的上方淀积形成薄膜层；通过蚀刻去除剩余栅极堆叠体上方和第一开口底部上方多余的材料，以形成所述侧墙。4.根据权利要求3所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，所述薄膜层为无机介质材料，所述薄膜层材料与形成间隔结构的填充材料相同；或，所述薄膜层为有机聚合物材料。5.根据权利要求4所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，所述薄膜层材...

【专利技术属性】
技术研发人员：苏韦菘，戴成奇，
申请(专利权)人：广州集成电路技术研究院有限公司，
类型：发明
国别省市：