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本发明公开了一种半导体器件的制备方法，包括以下步骤：步骤S1、提供一半导体中间体，半导体中间体包含衬底以及形成于衬底上方的有源结构和栅极堆叠体；步骤S2、在栅极堆叠体的预设区域内，由栅极堆叠体的顶表面往衬底方向凹陷以形成第一开口；步骤S3、...
该专利属于广州集成电路技术研究院有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过广州集成电路技术研究院有限公司授权不得商用。

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