本发明公开了一种半导体器件，包括：衬底，包括至少一个鳍结构，鳍结构包括源极/漏极区，源极/漏极区包括第一应变层和形成于第一应变层上方的第二应变层；以及至少一个栅极堆叠件，形成在衬底上方。本发明提供的半导体器件，通过在衬底上方增设第一应变...

本发明公开了一种半导体器件的制备方法，包括以下步骤：步骤S1、提供一半导体中间体，半导体中间体包含衬底以及形成于衬底上方的有源结构和栅极堆叠体；步骤S2、在栅极堆叠体的预设区域内，由栅极堆叠体的顶表面往衬底方向凹陷以形成第一开口；步骤S...

本发明公开一种清洗装置，用于清洗基板，清洗装置包括壳体、承载台、接液结构以及导流件，其中，壳体内设有清洗腔；承载台转动设于清洗腔内，并用于承载基板；接液结构设于清洗腔内，接液结构设有环绕承载台外周设置的接液槽，接液槽用于接收承载台转动时...

本发明公开一种金属互连结构、半导体器件、及金属互连结构的制备方法，其中，金属互连结构包括基体、蚀刻停止层、介质层以及上层金属结构，基体内部形成有底层金属结构；蚀刻停止层形成于基体的上方；介质层形成于蚀刻停止层的上方；上层金属结构至少部分...

本发明公开了一种半导体器件及其制备方法，方法包括：提供一中间体，在相邻栅极堆叠体之间的间隔区域所对应的层间介质层的上方形成阻挡结构，根据阻挡结构蚀刻层间介质层，以形成暴露栅极堆叠体的接触开口并去除阻挡结构，在接触开口内填充材料以形成接触...

本发明公开一种预热环和基板处理装置，所述预热环包括呈相对设置的顶表面和底表面，所述预热环中央处设有通孔，至少部分所述顶表面朝向所述通孔倾斜，并与水平面呈锐角设置。本发明旨在提供一种有效减缓基板表面边缘区域的湍流现象的预热环，从而使得基板...

本发明公开一种蚀刻装置，所述蚀刻装置包括反应室、下部组件、上部组件、套环及等离子体发生组件，所述反应室设有反应腔，所述下部组件设于所述反应腔内，所述下部组件设有载物平台，所述载物平台用于支撑所述基板的中心区域，所述上部组件设于所述反应腔...

本发明提出了一种清洁系统、基板蚀刻装置及清洁方法。所述清洁系统，包括基体(410)以及安装在基体(410)上、用于受环境气压和温度变化影响而膨胀进入填充一需清洁空间，从而粘附该需清洁空间中的污染物的清洁构件(420)。本发明的清洁系统、...

一种半导体器件及其制造方法。所述半导体器件包括：衬底，所述衬底上方形成有源结构和栅极结构；蚀刻阻挡层，形成于两个所述栅极结构之间；所述蚀刻阻挡层与所述有源结构间隔开以形成扩充空间，所述扩充空间内填充有接触结构。所述制备方法中通过在蚀刻阻...

本申请公开一种半导体器件的制作方法和半导体器件，所述制作方法包括：提供一衬底，所述衬底上设置有源结构和栅极结构，所述栅极结构包括用于被移除的牺牲栅极结构和移除后剩余的预留栅极结构；在预定区域处，移除所述牺牲栅极结构以形成对应的栅极开口；...

本申请公开一种半导体器件的制作方法和半导体器件，所述制作方法包括：在一基板上设置多个栅极结构；在相邻的两个栅极结构之间的基板上设置第一介电层；在每个栅极结构的上表面上设置保护层，其中所述保护层完整地覆盖在栅极结构的上表面且不延伸至第一介...

本发明公开了一种半导体器件制备方法，包括：提供一基体，基体包括设置栅极结构和有源结构的衬底层；在基体上方淀积形成第一介质层；形成联接构件，包括：开设一次性贯穿第一介质层的用于暴露栅极结构或/和有源结构的开口，在开口中淀积导电材料形成连接...

本发明公开了一种存储单元及其阵列和制备方法，存储单元包括：设置有源结构和栅极结构的多个晶体管；位于所述多个晶体管上方的处于同一高度的相互隔开的多个区域金属层；连接晶体管和区域金属层的多个导电插塞，部分或全部的所述导电插塞采用一连续的联接...

本发明公开了一种半导体器件，包括：基体，包括设置栅极结构和有源结构的衬底层；位于基体上方的第一介质层；联接构件，所述联接构件为一导电构件，所述联接构件连续地直接贯穿所述第一介质层并连接所述栅极结构或/和有源结构；金属层，需要与所述金属层...

本申请公开一种半导体器件的制作方法和半导体器件，所述制作方法包括：提供一器件中间体，所述器件中间体包括：衬底、形成在所述衬底中的有源结构、形成在衬底上方的栅极结构以及形成在相邻两个栅极结构之间的第一介质层；其中，所述栅极结构包括伪栅极和...

本申请公开一种基板清洗装置，包括：清洗室；载物单元，其设置在所述清洗室内且用于承载基板；喷射单元，其用于将流体喷射至所述基板；旋转单元，其与所述载物单元连接且用于在旋转时带动所述载物单元旋转；以及阻挡单元，其环绕地设置在所述清洗室的内壁...

本申请提供了一种晶片保护电路和化学机械平坦化设备，所述晶片保护电路包括：阴极端和阳极端；所述阳极端设置为一导电性接触部件；所述阴极端设置为包括晶片；所述阴极端电连接到所述阳极端；至少一部分所述阳极端和所述阴极端中的至少一部分晶片浸入用于...

本发明公开一种半导体器件的制作方法和半导体器件，所述制作方法包括，在目标层的上方依次设置掩模层和光阻层；在所述光阻层中形成第一切口，以在所述掩模层中形成第一暴露区；通过反应在所述掩模层的第一暴露区中形成掩模层阻挡区；在所述光阻层中形成第...

本发明公开一种半导体器件及其制备方法，所述半导体器件包括衬底、源极和漏极、以及栅极，所述源极和漏极设于所述衬底上且间隔设置，所述栅极形成于所述衬底上方且位于所述源极和与漏极之间，在靠近所述衬底的方向上，所述栅极的宽度尺寸呈变小设置，如此...

本发明公开一种半导体结构及其制备方法、以及电子元器件，所述半导体结构的制备方法包括以下步骤：提供一基材，所述基材上设有多个间隔设置的栅极结构，相邻两个所述栅极结构之间形成有沟槽，所述栅极上方设有掩膜层；在所述基材上设置填充所述沟槽并覆盖...