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本发明提出一种半导体元件的形成方法，包括：提供一基底；在所述基底上形成一介电层，其中所述介电层内形成有一第一栅极沟槽；所述第一栅极沟槽内形成有第一介质层以及第一高介电常数介电层；对所述第一高介电常数介电层进行第一退火工艺；在所述第一栅极沟槽...
该专利属于青岛物元技术有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过青岛物元技术有限公司授权不得商用。

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