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本申请提供一种半导体结构的形成方法及半导体结构。半导体结构的形成方法包括以下步骤：在衬底上形成凸出的鳍片；形成覆盖在鳍片上方以及衬底上方的虚设栅极层；对虚设栅极层执行离子植入工艺，所植入的离子为P型掺杂离子或N型掺杂离子；对经离子植入后的虚...
该专利属于青岛物元技术有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过青岛物元技术有限公司授权不得商用。

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