适用于平面型SiCMOSFET器件的自对准工艺制造技术

本发明专利技术涉及一种适用于平面型SiC MOSFET器件的自对准工艺。其包括：提供SiC衬底；在上述SiC衬底的正面制备自对准掩膜层；选择性地掩蔽和刻蚀上述自对准掩膜层，以得到若干所需的离子注入第一窗口；利用上述离子注入第一窗口对SiC衬底的正面进行第一导电类型杂质离子的注入，以在SiC衬底内形成第一导电类型源区；对上述与离子注入第一窗口对应的离子注入阻挡层进行横向刻蚀，以在横向刻蚀后，基于离子注入第一窗口形成所需的离子注入第二窗口；利用上述离子注入第二窗口在SiC衬底的正面进行第二导电类型杂质离子的注入，以在SiC衬底内第二导电类型阱区。本发明专利技术与现有工艺兼容，降低工艺的复杂度，可有效提高自对准工艺的一致性、稳定性与可靠性。稳定性与可靠性。稳定性与可靠性。

【技术实现步骤摘要】
适用于平面型SiC MOSFET器件的自对准工艺


[0001]本专利技术涉及一种自对准工艺，尤其是一种适用于平面型SiC MOSFET器件的自对准工艺。

技术介绍

[0002]随着电力电子的不断发展，电子系统高度集成化，电子元器件向着小体积和高功率密度的方向发展。MOSFET(Metal
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Oxide
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Semiconductor Field
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Effect Transistor)器件作为重要的功率器件之一，也得到了大量的研究，其具有等比例缩小的特性，特征尺寸做的越来越小，对工艺精度要求越来越高。
[0003]目前，对SiC材料，以大的击穿场强、高的热导率、高的电子迁移率等优点备受青睐。但受SiC/SiO2界面态的影响，其沟道迁移率比体内迁移率小得多，因此，SiC MOSFET器件要求更短的沟道长度；而这会导致更高的工艺精度。
[0004]非自对准工艺，受限于两次光刻对准精度，很少被开发人员采用；由于杂质在SiC中实现扩散要求极高的温度，而高温会影响到SiC的特性，因此，传统本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种适用于平面型SiC MOSFET器件的自对准工艺，其特征是，用于制备形成功率器件的导电沟道；所述自对准工艺包括：提供第一导电类型的SiC衬底；在上述SiC衬底的正面制备自对准掩膜层，其中，所述自对准掩膜层包括覆盖于SiC衬底正面的离子注入阻挡层以及用于对离子注入阻挡层保护的阻挡保护层；选择性地掩蔽和刻蚀上述自对准掩膜层，以得到若干所需的离子注入第一窗口，其中，离子注入第一窗口贯通自对准掩膜层；利用上述离子注入第一窗口对SiC衬底的正面进行第一导电类型杂质离子的注入，以在SiC衬底内形成第一导电类型源区；对上述与离子注入第一窗口对应的离子注入阻挡层进行横向刻蚀，以在横向刻蚀后，基于离子注入第一窗口形成所需的离子注入第二窗口；利用上述离子注入第二窗口在SiC衬底的正面进行第二导电类型杂质离子的注入，以在SiC衬底内形成若干第二导电类型阱区，其中，利用一第二导电类型阱区收纳包围上述形成的一第一导电类型源区。2.根据权利要求1所述适用于平面型SiC MOSFET器件的自对准工艺，其特征是：阻挡保护层覆盖在离子注入阻挡层上，离子注入阻挡层的厚度大于阻挡保护层的厚度；所述离子注入阻挡层包括二氧化硅层；阻挡保护层包括氮化硅层。3.根据权利要求2所述适用于平面型SiC MOSFET器件的自对准工艺，其特征是：采用湿法刻蚀工艺，对与离子注入第一窗口对应的离子注入阻挡层进行横向刻蚀；对离子注入阻挡层横向刻蚀且利用相对应的离子注入第一窗口形成离子注入第二窗口时，形成第二导电类型阱区的第二导电类型杂质离子注入方式包括若干次的倾斜注入；对离子注入阻挡层横向刻蚀且利用去除阻挡保护层后对应的离子注入第一窗口形成离子注入第二窗口时，形成第二导电类型阱区的第二导电类型杂质离子的注入方式包括垂直注入。4.根据权利要求1所述适用于平面型SiC MOSFET器件的自对准工艺，其特征是，对平面型SiC功率器件，在自对准形成导电沟道后，还包括：制备于SiC衬底内的第二导电类型接触区，其中，一第二导电类型接触区与两相邻的第二导电类型阱区以及第一导电类型源区接触；制备于SiC衬底正面上的正面结构，其中，所述正面结构包括位于SiC...

【专利技术属性】
技术研发人员：王荣华，梁凯，许龙来，章文红，
申请(专利权)人：无锡美偌科微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：