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本发明涉及一种适用于平面型SiC MOSFET器件的自对准工艺。其包括：提供SiC衬底；在上述SiC衬底的正面制备自对准掩膜层；选择性地掩蔽和刻蚀上述自对准掩膜层，以得到若干所需的离子注入第一窗口；利用上述离子注入第一窗口对SiC衬底的正面...
该专利属于无锡美偌科微电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过无锡美偌科微电子有限公司授权不得商用。

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