一种MOSFET测试电路制造技术

本实用新型专利技术公开了一种MOSFET测试电路，提供了以下技术方案，包括给被测试MOSFET提供测试电流的电流源产生电路，连接在电流源产生电路与被测试MOSFET的栅极或漏极之间的参数测试切换控制电路；连接在被测试MOSFET的漏极与电压源之间用于Q参数测试的Q参数测试控制电路；连接在被测试MOSFET的栅极与漏极之间用于V

【技术实现步骤摘要】
一种MOSFET测试电路


[0001]本技术涉及测试电路领域，更具体地说，它涉及一种MOSFET测试电路。

技术介绍

[0002]MOSFET的电参数包括极限参数、静态参数和动态参数等参数，MOSFET的动态参数影响着器件的开关特性，在一些开关频率较高的应用领域，动态参数也是选型的关键参数，动态参数中Q参数是比较重要的参数，影响MOSFET的开关速度和开关损耗，以及整机死区时间的设置；
[0003]目前很多国内MOSFET生产厂家或者MOSFET的使用厂家很少对MOSFET的动态参数进行测试和检测，但是在产品的应用分析或不同品种产品的对比测试时，常常又需要对动态参数进行测试验证，因此本申请拟根据Q参数的定义设计线路简单的测试装置，以便于对MOSFET的Q参数进行检测，但是仅仅只对Q参数进行测试，无法全面测试出MOSFET的功能是否完整。

技术实现思路

[0004]本技术的目的是提供一种MOSFET测试电路，其优点是能够精确测试出MOSFET的相关Q参数、V
GS(TH)
、V
DSS
的值，便于对产品进行验证。
[0005]本技术的上述技术目的是通过以下技术方案得以实现的：一种MOSFET测试电路，包括电流源产生电路，用于给被测试MOSFET提供测试电流；
[0006]参数测试切换控制电路，连接在电流源产生电路与被测试MOSFET的栅极或漏极之间，用于实现Q参数测试与V
GS(TH)
测试或V
DSS
测试之间的切换；
[0007]Q参数测试控制电路，连接在被测试MOSFET的漏极与电压源之间，测试Q参数时闭合；
[0008]V
GS(TH)
测试控制电路，连接在被测试MOSFET的栅极与漏极之间，测试V
GS(TH)
时闭合；
[0009]V
DSS
测试控制电路，连接在被测试MOSFET的栅极与源极之间，测试V
DSS
时闭合；
[0010]所述被测试MOSFET处连接有用于测量栅
‑
源波形的波形测试仪器，连接有用于测量被测试MOSFET的V
GS(TH)
和V
DSS
电压或被测试MOSFET电流的电压、电流检测仪器。
[0011]通过上述技术方案，电流源产生电路与电压源通过参数测试切换控制电路以及3个测试控制电路按测试条件加到被测试MOSFET上，通过电流源产生电路产生稳定的电流，电压源提供稳定的电压，完成对Q参数、V
GS(TH)
、V
DSS
的测试。
[0012]本技术进一步设置为：所述电流源产生电路包括稳压源电路以及与稳压源电路连接用于调节输出电流大小的电流调节电路。
[0013]通过上述技术方案，通过稳压源电路实现电流源产生电路的稳定，通过电流调节电路对电流源产生电路的输出电流大小进行调节。
[0014]本技术进一步设置为：所述稳压源电路为可控精密稳压源TL431。
[0015]通过上述技术方案，通过可控精密稳压源TL431产生2.5V的精密基准电压Vref提
供电源支持。
[0016]本技术进一步设置为：所述电流调节电路为可调电阻R
W1
。
[0017]通过上述技术方案，通过可调电阻R
W1
调节输出稳定的电流。
[0018]本技术进一步设置为：所述参数测试切换控制电路为双刀双掷开关SW1，所述双刀双掷开关SW1设有切换端1和切换端2，连接端3、连接端4、连接端5和连接端6；在所述切换端1切换至与连接端3连接时、所述切换端2与连接端5连接，实现V
GS(TH)
测试或V
DSS
测试；在所述切换端1切换至与连接端4连接时、所述切换端2与连接端6连接，实现Q参数测试。
[0019]通过上述技术方案，通过设置双刀双掷开关SW1便于切换端与连接端的连接，方便实现V
GS(TH)
、V
DSS
、Q参数之间的测试切换。
[0020]本技术进一步设置为：所述Q参数测试控制电路为开关SW
‑
Q。
[0021]通过上述技术方案，开关SW
‑
Q闭合，Q参数测试控制电路接通。
[0022]本技术进一步设置为：所述V
GS(TH)
测试控制电路为开关SW
‑
V
GS(TH)
。
[0023]通过上述技术方案，开关SW
‑
V
GS(TH)
闭合，V
GS(TH)
测试控制电路接通。
[0024]本技术进一步设置为：所述V
DSS
测试控制电路为开关SW
‑
V
DSS
。
[0025]通过上述技术方案，开关SW
‑
V
DSS
闭合，V
DSS
测试控制电路接通。
[0026]本技术进一步设置为：所述波形测试仪器为示波器，所述电压检测仪器采用万用表，所述电流检测仪器采用与所述示波器连接的电流探头。
[0027]通过上述技术方案，连接在被测试MOSFET的栅极处的示波器用于测量栅
‑
源波形，通过万用表来测量被测试MOSFET处的V
GS(TH)
和V
DSS
值，通过电流探头来检测在测量被测试MOSFET的Q参数时的电流。
[0028]综上所述，本技术具有以下有益效果：
[0029]1.通过电流源产生电路给被测试MOSFET进行恒流充电，同时通过连接的示波器记录被测试MOSFET的栅
‑
源波形；读出栅
‑
源波形，根据充电时间以及对应的栅
‑
源波形，确定被测试MOSFET的Q参数（Qg、Qgs、Qgd），Q通过充电电流I和充电时间t的乘积确定；
[0030]2. 电流源产生电路与电压源通过参数测试切换控制电路以及3个测试控制电路按照测试条件加到被测试MOSFET上，完成对Q参数、V
GS(TH)
、V
DSS
的值测试，便于对产品进行验证。
附图说明
[0031]图1是本实施例流程框图；
[0032]图2是本实施例的综合测试原理图；
[0033]图3是本实施例的电流源产生电路原理图；
[0034]图4为本实施例的V
GS（TH）
测试原理图；
[0035]图5为本实施例的V
DSS
测试原理图；
[0036]图6为本实施例的Q参数测试原理图；
[0037]图7为本实施例的Q参数测试波形图。
具体实施方式本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种MOSFET测试电路，其特征在于，包括电流源产生电路，用于给被测试MOSFET提供测试电流；参数测试切换控制电路，连接在电流源产生电路与被测试MOSFET的栅极或漏极之间，用于实现Q参数测试与V
GS(TH)
测试或V
DSS
测试之间的切换；Q参数测试控制电路，连接在被测试MOSFET的漏极与电压源之间，测试Q参数时闭合；V
GS(TH)
测试控制电路，连接在被测试MOSFET的栅极与漏极之间，测试V
GS(TH)
时闭合；V
DSS
测试控制电路，连接在被测试MOSFET的栅极与源极之间，测试V
DSS
时闭合；所述被测试MOSFET处连接有用于测量栅
‑
源波形的波形测试仪器，连接有用于测量被测试MOSFET的V
GS(TH)
和V
DSS
电压或被测试MOSFET电流的电压检测仪器和电流检测仪器。2.根据权利要求1所述的一种MOSFET测试电路，其特征在于，所述电流源产生电路包括稳压源电路以及与稳压源电路连接用于调节输出电流大小的电流调节电路。3.根据权利要求2所述的一种MOSFET测...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘强，
申请(专利权)人：无锡美偌科微电子有限公司，
类型：新型
国别省市：