工艺控制方法、系统和计算机设备技术方案

本申请涉及一种工艺控制方法、系统和计算机设备。所述方法包括：获取第一套刻误差，所述第一套刻误差为前批次晶圆的第一膜层制作时的套刻误差，所述前批次晶圆已完成第一膜层制作；获取第二套刻误差，所述第二套刻误差为当前批次晶圆的第二膜层制作时的套刻误差，所述当前批次晶圆已完成第二膜层制作，所述第一膜层制作在所述第二膜层制作后完成；根据所述第一套刻误差和所述第二套刻误差得到修正数据，并将所述修正数据作为所述当前批次晶圆的所述第一膜层制作时的目标套刻误差。采用本方法能够提高校正准确度。能够提高校正准确度。能够提高校正准确度。

【技术实现步骤摘要】
工艺控制方法、系统和计算机设备


[0001]本申请涉及集成电路
，特别是涉及一种工艺控制方法、系统和计算机设备。

技术介绍

[0002]随着集成电路技术的发展，出现了自动过程校正（Automatic Process Correction，简称APC）技术。APC通过测量前面光刻工艺的套刻误差（Overlay）并进行反馈，对后面的光刻工艺进行校正，以减少后面光刻工艺的套刻误差。
[0003]光刻工艺按照衬底数量分为多个批次。传统技术中，APC采用前一批次衬底光刻工艺的套刻误差对后一批次衬底的光刻工艺进行校正。然而，这种校正方法的准确度不高。

技术实现思路

[0004]基于此，有必要针对上述技术问题，提供一种能够提高校正准确度的工艺控制方法、系统和计算机设备。
[0005]第一方面，本申请提供了一种工艺控制方法。所述方法包括：获取第一套刻误差，所述第一套刻误差为前批次晶圆的第一膜层制作时的套刻误差，所述前批次晶圆已完成所述第一膜层制作；获取第二套刻误差，所述第二套刻误差为当前批次晶圆的第二膜层制作时的套刻误差，所述当前批次晶圆已完成所述第二膜层制作，所述第一膜层制作在所述第二膜层制作后完成；根据所述第一套刻误差和所述第二套刻误差得到修正数据，并将所述修正数据作为所述当前批次晶圆的所述第一膜层制作时的目标套刻误差。
[0006]在其中一个实施例中，获取第一套刻误差包括：获取前N个批次晶圆的所述第一膜层制作时的套刻误差，N为正整数，所述前N个批次晶圆均已完成所述第一膜层制作；基于所述前N个批次晶圆中各批次晶圆的所述第一膜层制作时的套刻误差，得到所述第一套刻误差。
[0007]在其中一个实施例中，获取前N个批次晶圆的所述第一膜层制作时的套刻误差包括：在所述前N个批次晶圆中的每一批次晶圆中选取部分所述晶圆进行量测，以得到所述前N个批次晶圆中各批次晶圆的所述第一膜层制作时的套刻误差。
[0008]在其中一个实施例中，基于所述前N个批次晶圆中各批次晶圆的所述第一膜层制作时的套刻误差，得到所述第一套刻误差包括：将所述前N个批次晶圆中各批次晶圆的所述第一膜层制作时的套刻误差求平均值，以得到所述第一套刻误差。
[0009]在其中一个实施例中，基于所述前N个批次晶圆中各批次晶圆的所述第一膜层制
作时的套刻误差，得到所述第一套刻误差包括：将所述前N个批次晶圆中各批次晶圆的所述第一膜层制作时的套刻误差进行加权求和，以得到所述第一套刻误差。
[0010]在其中一个实施例中，所述前N个批次晶圆中各批次晶圆对应的加权系数按批次顺序依次递减。
[0011]在其中一个实施例中，2≤N≤20。
[0012]在其中一个实施例中，所述第二膜层和所述第一膜层在同一所述晶圆中相邻或者不相邻。
[0013]在其中一个实施例中，根据所述第一套刻误差和所述第二套刻误差得到修正数据包括：根据所述第一套刻误差得到第一修正数据；根据所述第二套刻误差得到第二修正数据；基于所述第一修正数据和所述第二修正数据得到所述修正数据。
[0014]在其中一个实施例中，基于所述第一修正数据和所述第二修正数据得到所述修正数据包括：将所述第一修正数据和所述第二修正数据进行加权求和，以得到所述修正数据。
[0015]在其中一个实施例中，根据所述第一套刻误差和所述第二套刻误差得到目标套刻误差之后，还包括：基于所述目标套刻误差对所述当前批次晶圆的所述第一膜层制作时的工艺参数进行修正。
[0016]在其中一个实施例中，基于所述目标套刻误差对所述当前批次晶圆的所述第一膜层制作时的工艺参数进行修正包括：运行控制系统中的自动过程校正模型基于所述目标套刻误差，控制光刻设备对所述当前批次晶圆的所述第一膜层制作时的工艺参数进行修正。
[0017]第二方面，本申请还提供了一种工艺控制系统。所述系统包括：套刻误差获取模块，用于获取第一套刻误差和第二套刻误差，所述第一套刻误差为前批次晶圆的第一膜层制作时的套刻误差，所述前批次晶圆已完成所述第一膜层制作，所述第二套刻误差为当前批次晶圆的第二膜层制作时的套刻误差，所述当前批次晶圆已完成所述第二膜层制作，所述第一膜层制作在所述第二膜层制作后完成；修正数据获取模块，用于根据所述第一套刻误差和所述第二套刻误差得到修正数据，并将所述修正数据作为所述当前批次晶圆的所述第一膜层制作时的目标套刻误差。
[0018]在其中一个实施例中，还包括：修正模块，用于基于所述目标套刻误差对所述当前批次晶圆的所述第一膜层制作时的工艺参数进行修正。
[0019]第三方面，本申请还提供了一种计算机设备。所述计算机设备包括存储器和处理器，所述存储器存储有计算机程序，所述处理器执行所述计算机程序时实现以下步骤：获取第一套刻误差，所述第一套刻误差为前批次晶圆的第一膜层制作时的套刻误差，所述前批次晶圆已完成所述第一膜层制作；获取第二套刻误差，所述第二套刻误差为当前批次晶圆的第二膜层制作时的套刻
误差，所述当前批次晶圆已完成所述第二膜层制作，所述第一膜层制作在所述第二膜层制作后完成；根据所述第一套刻误差和所述第二套刻误差得到修正数据，并将所述修正数据作为所述当前批次晶圆的所述第一膜层制作时的目标套刻误差。
[0020]上述工艺控制方法、系统和计算机设备，通过获取前批次晶圆的第一膜层制作时的第一套刻误差和当前批次晶圆的第二膜层制作时的第二套刻误差，第一膜层制作在第二膜层制作后完成，并根据第一套刻误差和第二套刻误差得到修正数据，作为当前批次晶圆的第一膜层制作时的目标套刻误差，可以基于修正数据对当前批次的晶圆的第一膜层制作时的工艺参数进行修正。由于修正数据是结合前批次晶圆的第一膜层制作时的第一套刻误差和当前批次晶圆的第二膜层制作时的第二套刻误差，因此修正数据综合有前批次晶圆的套刻误差和当前批次晶圆的套刻误差，对于当前批次晶圆的第一膜层制作来说，充分考虑到不同膜层之间的差异、以及不同批次晶圆之间的差异，因而可以对当前批次晶圆的第一膜层制作进行更准确地校正，进而可以更准确地控制当前批次晶圆的第一膜层的套刻误差，最终提高晶圆的稳定性和导电性能。
附图说明
[0021]图1为一个实施例中工艺控制方法的应用环境图；图2为一个实施例中工艺控制方法的流程示意图；图3为一个实施例中工艺控制过程的示意图；图4为一个实施例中晶圆位置关系的示意图；图5为一个实施例中步骤202的流程示意图；图6为一个实施例中步骤204的流程示意图；图7为另一个实施例中工艺控制方法的流程示意图；图8为一个实施例中工艺控制系统的结构框图；图9为一个实施例中计算机设备的内部结构图。
具体实施方式
[0022]为了使本申请的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本申请进行进一步详细说明。应当理解，此处描述的具体实施例仅仅用以解释本申请，并不用于限定本申请。
[0023]本申请实施例提供的工艺控制方法，可以应用于如图1所示的应用环境中。其中，晶圆102先放入光刻设备104内本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种工艺控制方法，其特征在于，所述方法包括：获取第一套刻误差，所述第一套刻误差为前批次晶圆的第一膜层制作时的套刻误差，所述前批次晶圆已完成所述第一膜层制作；获取第二套刻误差，所述第二套刻误差为当前批次晶圆的第二膜层制作时的套刻误差，所述当前批次晶圆已完成所述第二膜层制作，所述第一膜层制作在所述第二膜层制作后完成；根据所述第一套刻误差和所述第二套刻误差得到修正数据，并将所述修正数据作为所述当前批次晶圆的所述第一膜层制作时的目标套刻误差。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，获取第一套刻误差包括：获取前N个批次晶圆的所述第一膜层制作时的套刻误差，N为正整数，所述前N个批次晶圆均已完成所述第一膜层制作；基于所述前N个批次晶圆中各批次晶圆的所述第一膜层制作时的套刻误差，得到所述第一套刻误差。3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，获取前N个批次晶圆的所述第一膜层制作时的套刻误差包括：在所述前N个批次晶圆中的每一批次晶圆中选取部分所述晶圆进行量测，以得到所述前N个批次晶圆中各批次晶圆的所述第一膜层制作时的套刻误差。4.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，基于所述前N个批次晶圆中各批次晶圆的所述第一膜层制作时的套刻误差，得到所述第一套刻误差包括：将所述前N个批次晶圆中各批次晶圆的所述第一膜层制作时的套刻误差求平均值，以得到所述第一套刻误差。5.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，基于所述前N个批次晶圆中各批次晶圆的所述第一膜层制作时的套刻误差，得到所述第一套刻误差包括：将所述前N个批次晶圆中各批次晶圆的所述第一膜层制作时的套刻误差进行加权求和，以得到所述第一套刻误差。6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述前N个批次晶圆中各批次晶圆对应的加权系数按批次顺序依次递减。7.根据权利要求2的方法，其特征在于， 2≤N≤20。8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第二膜层和所述第一膜层在同一所述晶圆中相邻或者不相邻。9.根据权利要求...

【专利技术属性】
技术研发人员：付旺，邱杰振，田锋，冯伟，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：发明
国别省市：