工艺控制方法、系统和计算机设备技术方案

本申请涉及一种工艺控制方法、系统和计算机设备。所述方法包括：获取第一套刻误差，所述第一套刻误差为前批次晶圆的第一膜层制作时的套刻误差，所述前批次晶圆已完成第一膜层制作；获取第二套刻误差，所述第二套刻误差为当前批次晶圆的第二膜层制作时的套刻误差，所述当前批次晶圆已完成第二膜层制作，所述第一膜层制作在所述第二膜层制作后完成；根据所述第一套刻误差和所述第二套刻误差得到修正数据，并将所述修正数据作为所述当前批次晶圆的所述第一膜层制作时的目标套刻误差。采用本方法能够提高校正准确度。能够提高校正准确度。能够提高校正准确度。

【技术实现步骤摘要】
工艺控制方法、系统和计算机设备


[0001]本申请涉及集成电路
，特别是涉及一种工艺控制方法、系统和计算机设备。

技术介绍

[0002]随着集成电路技术的发展，出现了自动过程校正（Automatic Process Correction，简称APC）技术。APC通过测量前面光刻工艺的套刻误差（Overlay）并进行反馈，对后面的光刻工艺进行校正，以减少后面光刻工艺的套刻误差。
[0003]光刻工艺按照衬底数量分为多个批次。传统技术中，APC采用前一批次衬底光刻工艺的套刻误差对后一批次衬底的光刻工艺进行校正。然而，这种校正方法的准确度不高。

技术实现思路

[0004]基于此，有必要针对上述技术问题，提供一种能够提高校正准确度的工艺控制方法、系统和计算机设备。
[0005]第一方面，本申请提供了一种工艺控制方法。所述方法包括：获取第一套刻误差，所述第一套刻误差为前批次晶圆的第一膜层制作时的套刻误差，所述前批次晶圆已完成所述第一膜层制作；获取第二套刻误差，所述第二套刻误差为当前批次晶圆的第二膜层制作时的套刻误差，本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种工艺控制方法，其特征在于，所述方法包括：获取第一套刻误差，所述第一套刻误差为前批次晶圆的第一膜层制作时的套刻误差，所述前批次晶圆已完成所述第一膜层制作；获取第二套刻误差，所述第二套刻误差为当前批次晶圆的第二膜层制作时的套刻误差，所述当前批次晶圆已完成所述第二膜层制作，所述第一膜层制作在所述第二膜层制作后完成；根据所述第一套刻误差和所述第二套刻误差得到修正数据，并将所述修正数据作为所述当前批次晶圆的所述第一膜层制作时的目标套刻误差。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，获取第一套刻误差包括：获取前N个批次晶圆的所述第一膜层制作时的套刻误差，N为正整数，所述前N个批次晶圆均已完成所述第一膜层制作；基于所述前N个批次晶圆中各批次晶圆的所述第一膜层制作时的套刻误差，得到所述第一套刻误差。3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，获取前N个批次晶圆的所述第一膜层制作时的套刻误差包括：在所述前N个批次晶圆中的每一批次晶圆中选取部分所述晶圆进行量测，以得到所述前N个批次晶圆中各批次晶圆的所述第一膜层制作时的套刻误差。4.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，基于所述前N个批次晶圆中各批次晶圆的所述第一膜层制作时的套刻误差，得到所述第一套刻误差包括：将所述前N个批次晶圆中各批次晶圆的所述第一膜层制作时的套刻误差求平均值，以得到所述第一套刻误差。5.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，基于所述前N个批次晶圆中各批次晶圆的所述第一膜层制作时的套刻误差，得到所述第一套刻误差包括：将所述前N个批次晶圆中各批次晶圆的所述第一膜层制作时的套刻误差进行加权求和，以得到所述第一套刻误差。6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述前N个批次晶圆中各批次晶圆对应的加权系数按批次顺序依次递减。7.根据权利要求2的方法，其特征在于， 2≤N≤20。8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第二膜层和所述第一膜层在同一所述晶圆中相邻或者不相邻。9.根据权利要求...

【专利技术属性】
技术研发人员：付旺，邱杰振，田锋，冯伟，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：发明
国别省市：