获得曝光数据的方法和使用曝光数据制造曝光掩模的方法技术

可以提供一种用于获得曝光数据的方法。可以接收用于掩模图案的MTO(掩模流片)设计数据。可以针对MTO设计数据执行掩模数据准备操作以获得曝光数据。可以通过使用掩模过程模型的仿真来提取曝光掩模中多种类型的测试图案的二维轮廓。可以通过使用计量算法针对多种类型的测试图案中的每种类型的测试图案在该轮廓的测量点处测量第一临界尺寸。可以对第一临界尺寸进行平均，以获得针对多种类型的测试图案中的每种类型的测试图案的第一平均临界尺寸。可以使用标准正态分布的逆函数在考虑了多种类型的测试图案中的每种类型的测试图案中的离散的情况下测量第二临界尺寸，并且可以对第二临界尺寸进行平均，以获得针对多种类型的测试图案中的每种类型的测试图案的第二平均临界尺寸。可以针对多种类型的测试图案中的每种类型的测试图案将平均目标差异(MTT)值计算为第二平均临界尺寸与目标临界尺寸之间的差。可以计算各个MTT值之间的差。当各个MTT值之间的差中的一个或多个在容限阈值之外时，可以校正曝光数据。正曝光数据。正曝光数据。

【技术实现步骤摘要】
获得曝光数据的方法和使用曝光数据制造曝光掩模的方法
[0001]相关申请的交叉引用
[0002]本申请要求2021年11月18日在韩国知识产权局(KIPO)提交的第10
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2021
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0159422号韩国专利申请的优先权，其内容通过引用整体结合于此。


[0003]本专利技术构思的实施例涉及一种获得用于制造在光刻(photolithography)过程中使用的曝光掩模的曝光数据的方法，以及一种使用该曝光数据制造曝光掩模的方法。

技术介绍

[0004]半导体器件可以包括用作密集且重复排列的电路图案的图案。曝光掩模可以用于形成电路图案，并且曝光掩模可以包括用于形成电路图案的图案。因此，曝光掩模中所包括的图案可以具有临界尺寸，使得可以形成目标电路图案。

技术实现思路

[0005]示例实施例提供了一种用于获得曝光数据的方法。
[0006]示例实施例提供了一种使用该曝光数据制造曝光掩模的方法。
[0007]根据示例实施例，提供了一种用于获得曝光数据的方法。可以接收用于掩模图案的MTO(Mask Tape Out，掩模流片)设计数据。可以针对MTO设计数据执行掩模数据准备操作以获得曝光数据。可以通过使用掩模过程模型的仿真来提取曝光掩模中多种类型的测试图案的二维轮廓。可以通过使用计量算法针对多种类型的测试图案中的每种类型的测试图案在该轮廓的测量点处测量第一临界尺寸。可以对第一临界尺寸进行平均，以获得针对多种类型的测试图案中的每种类型的测试图案的第一平均临界尺寸。可以通过使用标准正态分布的逆函数，在考虑了多种类型的测试图案中的每种类型的测试图案的离散的情况下，在测量点处测量第二尺寸，并且可以对考虑了离散的第二临界尺寸进行平均，以获得针对多种类型的测试图案中的每种类型的测试图案的第二平均临界尺寸。针对多种类型的测试图案中的每种类型的测试图案，可以将平均目标差异(mean to target，MTT)值计算为第二平均临界尺寸与目标临界尺寸之间的差。可以计算分别为多种类型的测试图案中的每种类型的测试图案计算的各个MTT值之间的差。当各个MTT值之间的差中的一个或多个差在容限阈值之外时，可以校正曝光数据。
[0008]根据示例实施例，提供了一种用于制造曝光掩模的方法。可以接收用于掩模图案的MTO(掩模流片)设计数据。可以针对MTO设计数据执行掩模数据准备操作以获得第一曝光数据。可以通过使用掩模过程模型的仿真来提取曝光掩模中多种类型的测试图案的二维轮廓。可以通过使用计量算法针对多种类型的测试图案中的每种类型的测试图案在该轮廓的测量点处测量第一临界尺寸。针对多种类型的测试图案中的每种类型的测试图案，可以对第一临界尺寸进行平均，以获得第一平均临界尺寸。可以使用标准正态分布的逆函数，在考虑了多种类型的测试图案中的每种类型的测试图案的离散的情况下，在测量点处测量第二
临界尺寸，并且可以对考虑了离散的第二临界尺寸进行平均，以获得针对多种类型的测试图案中的每种类型的测试图案的第二平均临界尺寸。针对多种类型的测试图案中的每种类型的测试图案，可以将平均目标差异(MTT)值计算为第二平均临界尺寸与目标临界尺寸之间的差。可以计算分别为多种类型的测试图案中的每种类型的测试图案计算的各个MTT值之间的差。当各个MTT值之间的差在容限阈值之内时，可以将第一曝光数据确定为曝光数据。当各个MTT值之间的差中的一个或多个差在容限阈值之外时，可以将校正后的第一曝光数据确定为曝光数据。可以使用曝光数据生成像素数据。可以基于像素数据在掩模基板上执行电子束写入。可以通过在掩模基板上执行显影和蚀刻过程来形成曝光掩模。
[0009]根据示例实施例，提供了一种用于制造曝光掩模的方法。可以接收用于掩模图案的MTO(掩模流片)设计数据。可以针对MTO设计数据执行掩模数据准备操作以获得第一曝光数据。可以通过使用掩模过程模型的仿真来提取曝光掩模中多种类型的测试图案的二维轮廓。可以通过使用计量算法针对多种类型的测试图案中的每种类型的测试图案在该轮廓的测量点处测量第一临界尺寸。针对多种类型的测试图案中的每种类型的测试图案，可以对第一临界尺寸进行平均，以获得第一平均临界尺寸。可以使用标准正态分布的逆函数在考虑了多种类型的测试图案中的每种类型的测试图案的离散的情况下在测量点处测量第二临界尺寸，并且可以对考虑了离散的第二临界尺寸进行平均，以获得针对多种类型的测试图案中的每种类型的测试图案的第二平均临界尺寸。可以通过测试图案中的每个测试图案中的第二临界尺寸与目标临界尺寸之间的差来计算平均目标差异(MTT)值。针对多种类型的测试图案中的每种类型的测试图案，可以将平均目标差异(MTT)值计算为第二平均临界尺寸与目标临界尺寸之间的差。可以计算分别为多种类型的测试图案中的每种类型的测试图案计算的各个MTT值之间的差。当各个MTT值之间的差在第一容限阈值之内时，可以将第一曝光数据确定为曝光数据。当各个MTT值之间的差中的一个或多个在第一容限阈值之外时，可以将校正后的第一曝光数据确定为曝光数据。可以使用曝光数据形成曝光掩模。可以使用曝光掩模执行曝光过程以形成实际曝光图案。可以通过使用计量算法针对实际曝光图案中的多种类型的测试图案中的每种类型的测试图案在测量点处测量第三临界尺寸，并且可以对第三临界尺寸进行平均，以获得针对多种类型的测试图案中的每种类型的测试图案的第三平均临界尺寸。针对多种类型的测试图案中的每种类型的测试图案，可以将第二MTT值计算为第三平均临界尺寸与目标临界尺寸之间的差。当各个第二MTT值之间的差在第二容限阈值之内时，维持曝光数据。当各个第二MTT值之间的差中的一个或多个在第二容限阈值之外时，可以校正掩模数据准备。
[0010]根据示例实施例，可以在通过仿真获得的轮廓的预定点处测量考虑了基于位置的离散的临界尺寸(即，线宽)。可以计算作为临界尺寸的平均临界尺寸的第二临界尺寸。由于在执行曝光过程之前，可以在通过仿真生成的轮廓处准确地测量第二临界尺寸，所以可以校正曝光数据，使得可以减少曝光掩模图案中各种测试图案的第二临界尺寸之间的差。因此，可以通过使用校正后的曝光数据来制造目标曝光掩模。
附图说明
[0011]从以下结合附图的详细描述中，将更清楚地理解示例实施例。图1至图7表示如本文所述的非限制性示例实施例。
[0012]图1是示出根据示例实施例的用于获得曝光数据的方法的流程图；
[0013]图2A至图2C是示出根据示例实施例的半导体器件中的测试图案的示例的平面图；
[0014]图3示出了根据示例实施例的通过第一曝光数据获得的形状和通过仿真获得的轮廓；
[0015]图4是根据示例实施例的用于制造曝光掩模的方法的流程图；
[0016]图5是示出根据示例实施例的用于制造曝光掩模的方法的流程图；
[0017]图6是示出根据示例实施例的每种类型的图案中的第二临界尺寸与实际曝光图案的临界尺寸之间的差的曲线图；以及
[0018]图7是示出根据示例实施例的每种类型的图案的第一临本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种用于获得曝光数据的方法，包括：接收用于掩模图案的MTO(掩模流片)设计数据；针对MTO设计数据执行掩模数据准备以获得曝光数据；通过使用掩模过程模型的仿真来提取曝光掩模中多种类型的测试图案的二维轮廓；通过使用计量算法针对所述多种类型的测试图案中的每种类型的测试图案在所述轮廓的测量点处测量第一临界尺寸，并且对所述第一临界尺寸进行平均，以获得针对所述多种类型的测试图案中的每种类型的测试图案的第一平均临界尺寸；使用标准正态分布的逆函数在考虑了所述多种类型的测试图案中的每种类型的测试图案中的离散的情况下在所述测量点处测量第二临界尺寸，并且对考虑了离散的所述第二临界尺寸进行平均，以获得针对所述多种类型的测试图案中的每种类型的测试图案的第二平均临界尺寸；针对所述多种类型的测试图案中的每种类型的测试图案，将平均目标差异(MTT)值计算为所述第二平均临界尺寸与目标临界尺寸之间的差；计算分别为所述多种类型的测试图案中的每种类型的测试图案计算的各个MTT值之间的差；以及，当所述各个MTT值之间的差中的一个或多个在容限阈值之外时，校正所述曝光数据。2.根据权利要求1所述的方法，其中，在考虑了所述多种类型的测试图案中的每种类型的测试图案中的离散的情况下在所述测量点处测量第二临界尺寸包括：使用高斯随机数生成器生成所述测量点处的所述第二临界尺寸的概率值；以及通过组合相对应的第一平均临界尺寸和使用过程监控信息的离散来计算正态逆累积分布函数，其由以下公式表示：x＝f(x)
‑1(p,mean,sigma)，x：考虑了离散的所述第二临界尺寸，f(x)：高斯正态分布函数，p：高斯随机数，mean：所述第一平均临界尺寸，sigma：使用过程监控信息的所述离散。3.根据权利要求1所述的方法，其中，所述计量算法被配置用于在测量实际曝光图案的临界尺寸时使用。4.根据权利要求1所述的方法，其中，通过使用所述计量算法针对所述多种类型的测试图案中的每种类型的测试图案在所述轮廓的测量点处测量第一临界尺寸包括：预先确定用于测量所述轮廓的所述第一临界尺寸的感兴趣区域(ROI)；以及在所述感兴趣区域中的所述测量点中的每个测量点处测量所述第一临界尺寸。5.根据权利要求4所述的方法，其中，用于测量所述轮廓中的所述第一临界尺寸的感兴趣区域(ROI)和测量点与在测量实际曝光图案的临界尺寸时使用的感兴趣区域(ROI)和测量点相同。6.根据权利要求1所述的方法，其中，所述多种类型的测试图案包括设置在划线道中的第一图案、设置在芯片区域中的第二图案和用于校正电子束的剂量的第三图案。7.根据权利要求6所述的方法，其中，计算分别为所述多种类型的测试图案中的每种类
型的测试图案计算的各个MTT值之间的差包括计算所述第一图案的MTT值与所述第二图案的MTT值之间的差。8.根据权利要求6所述的方法，其中，计算分别为所述多种类型的测试图案中的每种类型的测试图案计算的各个MTT值之间的差包括计算所述第二图案的MTT值与所述第三图案的MTT值之间的差。9.根据权利要求1所述的方法，其中，执行所述掩模数据准备包括检查掩模、掩模过程校正(MPC)、断裂以及通过剂量调制进行的对比度增强(CED)。10.根据权利要求9所述的方法，其中，使用所述掩模过程模型来执行所述掩模过程校正。11.一种制造曝光掩模的方法，包括：接收用于掩模图案的MTO(掩模流片)设计数据；针对MTO设计数据执行掩模数据准备以获得第一曝光数据；通过使用掩模过程模型的仿真来提取曝光掩模中多种类型的测试图案的二维轮廓；通过使用计量算法针对所述多种类型的测试图案中的每种类型的测试图案在所述轮廓的测量点处测量第一临界尺寸，并且对所述第一临界尺寸进行平均，以获得针对所述多种类型的测试图案中的每种类型的测试图案的第一平均临界尺寸；使用标准正态分布的逆函数在考虑了所述多种类型的测试图案中的每种类型的测试图案中的离散的情况下在所述测量点处测量第二临界尺寸，并且对考虑了离散的所述第二临界尺寸进行平均，以获得针对所述多种类型的测试图案中的每种类型的测试图案的第二平均临界尺寸；针对所述多种类型的测试图案中的每种类型的测试图案，将平均目标差异(MTT)值计算为所述第二平均临界尺寸与目标临界尺寸之间的差；计算分别为所述多种类型的测试图案中的每种类型的测试图案计算的各个MTT值之间的差；当所述各个MTT值之间的差在容限阈值之内时，将所述第一曝光数据确定为曝光数据；当所述各个MTT值之间的差中的一个或多个在容限阈值之外时，将校正后的第一曝光数据确定为所述曝光数据；使用所述曝光数据生成像素数据；基于所述像素数据在掩模基板上执行电子束写入；以及通过...

【专利技术属性】
技术研发人员：S申，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：