本文的实施例描述了用于光刻设备中的图案形成装置处置设备和支撑结构处的掩模版的热调节的系统、方法和装置。图案形成装置处置设备包括具有多个气动管线(530)的夹持装置(510)。图案形成装置处置设备将图案形成装置(502)的第一表面定位在夹持装置下方，夹持装置使用多个气动管线将第一空气流施加到图案形成装置。图案形成装置处置设备将图案形成装置的第二表面定位在支撑结构中。支撑结构中的夹紧界面(506)中的一个或多个真空焊盘(516)将第二空气流(520)施加到图案形成装置。第一空气流和第二空气流导致图案形成装置的热调节。节。节。
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】用于光刻设备中掩模版的热调节的系统、方法和装置
[0001]相关申请的交叉引用
[0002]本申请要求于2020年7月21日提交的美国临时专利申请号63/054,535的优先权，其通过引用全部并入本文。
[0003]本公开涉及用于光刻设备中的热调节和掩模版冷却的系统、方法和装置。
技术介绍
[0004]光刻设备是将期望图案施加到衬底上(通常施加到衬底的目标部分上)的机器。光刻设备可以被用于例如集成电路(IC)的制造中。在该实例中，图案形成装置(备选地被称为掩模或掩模版)可以被用于生成要被形成在IC的单个层上的电路图案。该图案可以被转移到衬底(例如硅晶片)上的目标部分(例如包括部分管芯、一个或多个管芯)上。图案的转移通常经由成像到在衬底上提供的辐射敏感材料(抗蚀剂)层上。通常，单个衬底将包含被连续图案化的相邻目标部分的网络。已知的光刻设备包括所谓的步进器(其中每个目标部分通过将整个图案一次曝光到目标部分上来辐照)以及所谓的扫描仪(其中每个目标部分通过在给定方向(“扫描”方向)上通过辐射束扫描图案来辐照，同时同步扫描平行或反平行于该扫描方向的目标部分。也可以通过将图案压印到衬底上来将图案从图案形成装置转移到衬底。
[0005]为了将图案投影到衬底上，光刻设备可以使用电磁辐射。该辐射的波长确定了可以被形成在衬底上的特征的最小尺寸。光刻设备可以使用波长在4至20nm范围内(例如6.7nm或13.5nm)的极紫外(EUV)辐射或者波长在大约120至大约400nm范围内(例如193或248nm)的深紫外(DUV)辐射。
[0006]在DUV光刻中，辐射束可以引起掩模版中的热响应。具体地，掩模版可以吸收来自DUV辐射束的大量热能，这可以使掩模版加热并且膨胀。其他源(诸如掩模版处置器和掩模版工作台模块中的各种机电装置)也可以有助于掩模版加热。导致掩模版的不均匀热分布的掩模版加热可以充当光刻系统中的图像失真和重叠误差的主要贡献。因此，掩模版冷却方法可以被用于防止变形和覆盖问题。在一些情况下，利用定制喷嘴和气体出口的热调节系统可以被实施在图案化设备中，用于提供平行于掩模版表面和支撑结构的气流用于掩模版冷却。然而，用于冷却和控制掩模版温度的这种系统和方法可能需要定制的部分和附加的硬件，这导致高成本和提高的系统复杂性。
技术实现思路
[0007]因此，可能需要降低DUV光刻中的掩模版冷却和热调节的复杂性的低成本解决方案。因此，本公开提供了用于光刻设备中的图案形成装置处置设备和支撑结构处的掩模版的热调节的系统、方法和装置。
[0008]在一些实施例中，光刻设备包括照射系统、支撑结构、投影系统和图案形成装置处
置设备。照射系统被配置为调节辐射束。支撑结构被构造为支撑图案形成装置，该图案形成装置能够在其横截面中赋予辐射束图案以形成图案化的辐射束。投影系统被配置为将由图案形成装置赋予辐射束的图案投影到衬底的目标部分上。图案形成装置处置设备被配置为处置和定位图案形成装置。图案形成装置处置设备包括具有多个气动管线的夹持装置。图案形成装置处置设备被配置为将图案形成装置的第一表面定位在夹持装置下方。夹持装置被配置为使用多个气动管线将第一空气流施加到图案形成装置，以热调节图案形成装置。
[0009]在一些实施例中，公开了一种图案形成装置支撑结构。图案形成装置支撑结构包括图案化区域，其中图案形成装置被定位在图案化区域中。图案形成装置支撑结构还包括被布置在图案化区域的平行侧的两个夹紧界面。夹紧界面分别包括一个或多个真空焊盘。图案形成装置的两个相对边缘与两个夹紧界面相邻，并且一个或多个真空焊盘被配置为将空气流施加到图案形成装置。
[0010]在一些实施例中，公开了一种热调节图案形成装置的方法。该方法包括：将图案形成装置的第一表面定位在图案形成装置处置设备的夹持装置下方，其中图案形成装置被耦接至夹持装置；使用夹持装置中的多个气动管线将第一空气流施加到图案形成装置；以及将图案形成装置的第二表面定位在图案形成装置支撑结构的图案化区域中，其中图案形成装置支撑结构包括被布置在图案化区域的平行侧的两个夹紧界面，该夹紧界面分别包括一个或多个真空焊盘。该方法还包括：将图案形成装置的第一表面与夹持装置分开；以及使用夹紧界面中的一个或多个真空焊盘将第二空气流施加到图案形成装置，其中第一空气流和第二空气流提供图案形成装置的热调节。
[0011]本公开的其他特征以及本公开的各种实施例的结构和操作在下面参照附图详细描述。要注意的是，本公开不被限于本文描述的具体实施例。这种实施例是仅出于说明性目的而在本文中呈现的。基于本文包含的教导，附加实施例对于(多个)相关领域的技术人员将是显而易见的。
附图说明
[0012]被并入到本文中并且形成说明书的部分的附图图示了本公开，并且连同本描述，进一步用于解释本公开的原理并且使(多个)相关领域的技术人员能够制作和使用本公开。
[0013]图1A是根据本公开的实施例的反射光刻设备的示意性图示。
[0014]图1B是根据本公开的实施例的透射光刻设备的示意性图示。
[0015]图2描绘了根据本公开的实施例的与图案形成装置耦接的图案形成装置处置设备的图案形成装置支撑件和夹持装置的透视图。
[0016]图3描绘了根据本公开的实施例的图2的图案形成装置支撑件的透视图，其中图案形成装置被定位在图案形成装置支撑件上。
[0017]图4示意性地图示了根据本公开的实施例的图案形成装置处置设备。
[0018]图5描绘了根据本公开的实施例的被定位在图案形成装置支撑件的夹紧界面处的图案形成装置的透视图。
[0019]图6示意性地图示了根据本公开的实施例的图案形成装置支撑件的夹紧界面处用于热调节的图案形成装置的侧视图。
[0020]图7示意性地图示了根据本公开的实施例的被耦接至夹持装置用于热调节的图案
形成装置的侧视图。
[0021]图8示意性地图示了根据本公开的实施例的被耦接至夹持装置并且被定位在图案形成装置支撑件的夹紧界面处用于热调节的图案形成装置的侧视图。
[0022]图9是根据本公开的实施例的用于在图案形成装置支撑件处提供掩模版的热调节的示例性方法的流程图。
[0023]图10是根据本公开的实施例的用于在图案形成装置支撑件处通过夹持装置提供掩模版的热调节的示例性方法的流程图。
[0024]当结合附图时，通过下面陈述的详细描述，本公开的特征将变得更加明显，其中相同的附图标记始终标识对应的元件。在附图中，相同的附图标记通常指示相同的、功能类似和/或结构类似的元件。附加地，通常，附图标记的最左边的(多个)数字标识附图标记首次出现的附图。除非另有指示，否则本公开中提供的附图不应被解释为按比例绘制的附图。
具体实施方式
[0025]本说明书公开了并入本公开的特征的一个或多个实施例。所公开的(多个)实施例仅例示了本公开。本公开的范围不被限于所公开的(多个)实施例。本公开由所附权利要求限定。
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【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种光刻设备，包括：照射系统，被配置为调节辐射束；支撑结构，被构造为支撑图案形成装置，所述图案形成装置能够在其横截面中将图案赋予所述辐射束以形成图案化的辐射束；投影系统，被配置为将所述图案化的辐射束投影到衬底的目标部分上，以及图案形成装置处置设备，被配置为处置和定位所述图案形成装置，其中：所述图案形成装置处置设备包括具有多个气动管线的夹持装置，所述图案形成装置处置设备被配置为将所述图案形成装置的第一表面定位在所述夹持装置下方，并且所述夹持装置被配置为使用所述多个气动管线将第一空气流施加到所述图案形成装置，以热调节所述图案形成装置。2.根据权利要求1所述的光刻设备，其中：所述图案形成装置处置设备还被配置为将所述图案形成装置的第二表面定位在所述支撑结构的图案化区域中；所述支撑结构包括被布置在所述图案化区域的平行侧的两个夹紧界面；并且所述两个夹紧界面分别包括一个或多个真空焊盘。3.根据权利要求2所述的光刻设备，其中所述图案形成装置的所述第一表面包括掩模版背面，并且所述图案形成装置的所述第二表面包括成像侧。4.根据权利要求2所述的光刻设备，其中：所述图案形成装置处置设备还被配置为将所述图案形成装置的所述第一表面与所述夹持装置分开；并且所述支撑结构中的所述夹紧界面的所述一个或多个真空焊盘被配置为将第二空气流施加到所述图案形成装置。5.根据权利要求4所述的光刻设备，其中所述第一空气流和第二空气流包括极净干燥空气(XCDA)和/或其中所述第一空气流和第二空气流分别垂直于所述图案形成装置的所述第一表面和第二表面。6.一种图案形成装置支撑结构，包括：图案化区域，其中图案形成装置被定位在所述图案化区域中；以及两个夹紧界面，被布置在所述图案化区域的平行侧，所述夹紧界面分别包括一个或多个真空焊盘，其中所述图案形成装置的两个相对边缘与所述两个夹紧界面相邻，并且其中所述一个或多个真空焊盘被配置为将空气流施加到所述图案形成装置。7.根据权利要求6所述的图案形成装置支撑结构，还包括：温度传感器，被配置为确定所述图案形成装置的温度和/或其中所述图案形成装置使用图案形成装置处置设备被定位在所述图案化区域中。8.根据权利要求7所述的图案形成装置支撑结构，其中所述一个或多个真空焊盘被配置为响应于所述温度传感器确定所述温度的...
【专利技术属性】
技术研发人员：A，
申请(专利权)人：ASML控股股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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