用于控制制造工艺的方法和相关联的装置制造方法及图纸

公开了一种确定工艺空间内的工艺窗口的方法，该方法包括：针对与跨多个层提供特征相关联的多个工艺条件(600)中的每一工艺条件，获得(610)与将跨所述多个层提供给衬底(625)的特征有关的轮廓数据(615)，以及描述对跨多个层的轮廓数据的约束的故障模式数据(650)。将故障模式数据应用于轮廓数据来为每个工艺条件确定(640)故障计数；并且通过将每个工艺条件与其对应的故障计数相关联来确定(655)工艺窗口。还公开了一种基于由多个致动器施加的致动约束来确定工艺窗口的致动约束子空间的方法。方法。方法。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】用于控制制造工艺的方法和相关联的装置
[0001]相关申请的交叉引用
[0002]本申请要求于2020年7月22日提交的EP申请20187251.2，于2020年7月31日提交的EP申请20188802.1和于2020年10月9日提交的US申请63/089,822的优先权，并且其通过整体引用并入本文。


[0003]本专利技术涉及用于在光刻工艺中向衬底施加图案的方法和装置。

技术介绍

[0004]光刻设备是将期望的图案施加到衬底上，通常施加到衬底的目标部分上的机器。光刻设备可以用于例如集成电路(IC)的制造中。在这种情况下，图案化装置(或者备选地被称为掩模或掩模版)可以用于生成将在IC的单个层上形成的电路图案。可以将该图案转移到衬底(例如，硅晶片)上的目标部分(例如，包括一个或多个管芯的一部分)上。图案的转移通常经由成像到被设置在衬底上的辐射敏感材料(抗蚀剂)层上而实现。通常，单个衬底将包含被连续图案化的相邻目标部分的网络。已知的光刻设备包括：所谓的步进器，其中通过一次将整个图案曝光到目标部分上来照射每个目标部分；以及所谓的扫描仪本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种为制造工艺确定工艺空间内的工艺窗口的方法，所述工艺空间由多个工艺参数限定，所述工艺窗口是所述工艺空间内与对处理要求的预期符合性相关联的子空间；所述方法包括：针对与跨多个层提供特征相关联的多个工艺条件中的每个工艺条件，获得与将跨所述多个层提供给衬底的所述特征有关的轮廓数据；获得故障模式数据，所述故障模式数据描述对跨所述多个层的所述轮廓数据的约束；通过将所述故障模式数据应用于所述轮廓数据来为每个工艺条件确定故障计数；以及通过将每个工艺条件与其对应的故障计数相关联来确定所述工艺窗口。2.根据权利要求1所述的方法，其中所述工艺窗口被确定为包括如下的所述工艺条件：对于所述工艺条件，所述故障计数满足计数标准。3.根据权利要求2所述的方法，其中所述计数标准是预期的零故障计数。4.根据权利要求1所述的方法，其中所述轮廓数据包括来自跨所述多个层的衬底上的曝光结构的经测量轮廓数据。5.根据权利要求1所述的方法，其中所述轮廓数据包括来自跨所述多个层上的结构的曝光的计算模拟的经模拟轮廓数据。6.根据权利要求1所述的方法，其中所述多个工艺参数包括以下中的两者或多者：聚焦、剂量、套刻、MA、MSD、任何投射像差参数、照射波长和/或带宽、任何蚀刻参数、任何图案化装置优化参数。7.根据权利要求7所述的方法，其中所述图案化装置优化参数包括：与光学邻近校正有...

【专利技术属性】
技术研发人员：P，
申请(专利权)人：ASML荷兰有限公司，
类型：发明
国别省市：