半导体发光装置和封装结构制造方法及图纸

本发明专利技术披露一种半导体发光装置和封装结构。该半导体发光装置具有发光结构以及光学元件。光学元件环绕连接发光结构，且光学元件的折射系数大于或接近于该发光结构的透明基板，或介于透明基板的折射系数与封装材料的折射系数之间。本发明专利技术可以减少被半导体叠层吸收的光线。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种半导体发光装置和封装结构，尤其关于一种具有外接光 学元件的半导体发光装置，此光学元件的折射系数大于或接近于发光结构的 透明基板的折射系数，或介于透明基板的折射系数与封装材料的折射系数之间。
技术介绍
发光二极管(Light Emitting Diode; LED )是一种固态物理半导体元件， 其至少包含p-n结(p-n junction ),此p-n结形成于p型与n型半导体层之间。 当于p-n结上施加一定程度的偏压时，p型半导体层中的空穴与n型半导体 层中的电子将会结合而释放出光。此光产生的区域一般又称为发光区 (light-emitting region )。发光区所产生的光朝各个方向前进。然而，使用者通常仅需要特定方向 的光，而需要利用反射层或镜面反射部分的光线。此外，LED材料与环境介 质间的折射系数差异会造成照射在LED边界的光线在特定入射角下产生全 反射。一^l殳来说，上述各种形式的被反射光难以避免地会再行经LED内部。如图1A所示，已知发光二极管100包括基板110与外延层130。外延 层130中包括发光层131。发光层131在承受一偏压下会朝各个方向本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体发光装置，包含：　发光结构，包含：　半导体叠层，包含发光层；及　透明基板，位于该半导体叠层的下方；及　光学元件，位于该发光结构周边，并曝露该发光结构至少部分的上或下表面，其中该光学元件具有相对的第一表面与第 二表面。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：谢明勋，
申请(专利权)人：晶元光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]