半导体器件及其制造方法技术

本发明专利技术提供一种能够通过提高对准标记的可见度来高精度地对 半导体芯片和装配衬底进行定位的技术。在构成LCD驱动器的半导 体芯片中，标记形成于半导体衬底上方的对准标记形成区域中。标 记形成于与集成电路形成区域中的最上层布线(第三层布线)的层 相同的层中。然后在标记和围绕标记的背景区域的下层中形成图案。 这时，图案P1a形成于与第二层布线的层相同的层中，而图案P1b 形成于与第一层布线的层相同的层中。另外，图案P2形成于与栅极 电极的层相同的层中，而图案P3形成于与元件隔离区域的层相同的 层中。

【技术实现步骤摘要】

用于驱动液晶显示器单元的LCD (液晶显示器)驱动器及其制造有 用的技术。
技术介绍
在曰本专利特开平第11-330247号(专利文献1)中描述了如下 技术，该技术可以当在芯片内形成用于激光微调的对准标记时准确 地检测对准标记。具体而言，由SOI衬底制成的半导体衬底的表面 至少在对准标记的外围区域中具有相对于法线方向倾斜的锥形部 分，并且在锥形部分使激光在与法线方向不同的方向上反射。利用 该布置，有可能在对准标记的外围区域中减少激光在半导体衬底的 法线方向上的反射，因此对准标记可以准确地区别于它的外围区域。 因而推断当在芯片内形成对准标记时也可以准确地进行对准标记的 检测。在这一情况下，锥形部分形成于与半导体衬底上方形成元件 隔离区域的层相同的层中。在日本专利特开平第2000-182914号(专利文献2)中描述了提 供如下标记的技术，利用该标记可以在将要附加到半导体器件的用 于图像识别的对准标记中高精度地稳定识别和检测图像。具体而言， 在作为实心铝图案层而形成的十字形标记主体部分的外围区域中形成由铝制成的漫射反射层。作为漫射反射层，可以使用由铝层形成7的带形、光栅形或者点阵形精细图本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种包括半导体芯片的半导体器件：　所述半导体芯片包括：对准标记形成区域，其中对准标记用于当在装配衬底上方装配所述半导体芯片时进行定位；以及其中形成集成电路的集成电路形成区域；　形成于所述对准标记形成区域中的所述对准标记具有：（ａ ）其中形成标记的标记区域；以及（ｂ）围绕所述标记区域的背景区域；　（ｃ）形成于半导体衬底上方的多个元件隔离区域、（ｄ）在由所述元件隔离区域分割的有源区域中形成的ＭＩＳＦＥＴ以及（ｅ）在所述半导体衬底上方以及在所述ＭＩＳＦＥＴ上方形成的 布线形成于所述集成电路形成区域中；以及　所述布线越过多层来形成；以及　在所述布线之中的最上层布线和所述...

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：纐缬政巳，泽田敏昭，
申请(专利权)人：株式会社瑞萨科技，
类型：发明
国别省市：JP